【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光电二极管(二极体)结构的制造方法，特别是一种可维持高线性度的光电二极管结构的制造方法。
技术介绍
1、光电二极管用于接收外来光线，并输出相应的模拟电信号或者执行电路中不同状态的切换。目前光电二极管广泛应用在有光学测量需求的产品上，例如，许多智慧型穿戴装置会使用光电二极管来执行相应脉博或/及血氧量测等功能。
2、现有光电二极管在制造过程中，会先形成所需的n型及p型半导体层，再于这些半导体层表面上涂布抗反射层。由于各抗反射层所使用的材料及厚度并不相同，部分抗反射层的制程可能需要在高温环境下执行，以利于形成相应的抗反射层。然而，这些半导体层受到制程的高温影响可能产生材质变化，容易出现线性度下降等问题，进而影响光电二极管的感测效能。
3、因此，如何设计出能改善前述问题的光电二极管结构的制造方法，实为一个值得研究的课题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种可维持高线性度的光电二极管结构的制造方法。
2、为达上述目的，本专利技术的光电二极管结构的制造方法包括以下步骤：提供基材；执行磊晶制程以在基材上形成第一半导体层；执行主动区图形化蚀刻制程以在第一半导体层上形成凹陷部；执行第一涂布制程以在第一半导体层上形成第一抗反射层；以及执行离子注入制程以穿过第一抗反射层并在凹陷部内形成第二半导体层。
3、在本专利技术的一实施例中，第一涂布制程为高温lpcvd制程。
4、在本专利技术的一实施例中，第一涂布制程的制程温
5、在本专利技术的一实施例中，第一抗反射层的厚度介于20nm至30nm之间。
6、在本专利技术的一实施例中，第一抗反射层以lpcvd制程。
7、在本专利技术的一实施例中，所述制造方法还包括以下步骤：执行第二涂布制程以在第一抗反射层上形成第二抗反射层；执行第一金属化制程以形成电连接到基材的第一电极；以及执行第二金属化制程以形成电连接到第二半导体层的第二电极。
8、在本专利技术的一实施例中，第二涂布制程为pvd制程，并且第二涂布制程的制程温度低于第一涂布制程的制程温度。
9、在本专利技术的一实施例中，第二涂布制程的制程温度不高于200℃。
10、在本专利技术的一实施例中，第二抗反射层的厚度介于100nm至150nm之间。
11、在本专利技术的一实施例中，第一半导体层为n型半导体层，第二半导体层为p型半导体层，第一电极为负极，并且第二电极为正极。
12、本专利技术还包括一种使用前述制造方法制程的光电二极管结构。
13、据此，借由将形成第一反射层的高温涂布制程执行于形成第二半导体层之前，可避免制程的高温影响已成型的第二半导体层，减少第二半导体层的线性度下降的可能性，进而维持本专利技术的光电二极管结构的原有感测效能。
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1.一种光电二极管结构的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一涂布制程为高温LPCVD制程。
3.如权利要求2所述的制造方法，其中，所述第一涂布制程的制程温度不低于800℃。
4.如权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一抗反射层的厚度介于20nm至30nm之间。
5.如权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一抗反射层以LPCVD制程。
6.如权利要求1所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：执行第二涂布制程以在所述第一抗反射层上形成第二抗反射层；执行第一金属化制程以形成电连接到所述基材的第一电极；以及执行第二金属化制程以形成电连接到所述第二半导体层的第二电极。
7.如权利要求6所述的制造方法，其中，所述第二涂布制程为PVD制程，并且所述第二涂布制程的制程温度低于所述第一涂布制程的制程温度。
8.如权利要求7所述的制造方法，其中，所述第二涂布制程的制程温度不高于200℃。
9.如权利要求6所述的制造方法，其中，所述第二抗反射层的厚度介于
10.如权利要求6所述的制造方法，其中，所述第二抗反射层通过PVD制程形成。
11.如权利要求6所述的制造方法，其中，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层，所述第一电极为负极，并且所述第二电极为正极。
12.一种使用权利要求1至11中任一项所述的制造方法制造的光电二极管结构。
...【技术特征摘要】
1.一种光电二极管结构的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一涂布制程为高温lpcvd制程。
3.如权利要求2所述的制造方法，其中，所述第一涂布制程的制程温度不低于800℃。
4.如权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一抗反射层的厚度介于20nm至30nm之间。
5.如权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一抗反射层以lpcvd制程。
6.如权利要求1所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：执行第二涂布制程以在所述第一抗反射层上形成第二抗反射层；执行第一金属化制程以形成电连接到所述基材的第一电极；以及执行第二金属化制程以形成电连接到所述第二半导体层的第二电极。
【专利技术属性】
技术研发人员：林骏杰，
申请(专利权)人：台亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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