【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管结构，尤指一种可提升发光亮度的发光二极管结构。
技术介绍
1、近年来，发光二极管广泛地应用在照明、医疗及3c产品上。发光二极管晶片主要由不同的半导体材料制成，借由电流通过两种半导体材料的连接面，产生电致发光效应以将电能转化为光能，使得发光二极管晶片不但能发射出高亮度的光线，而且更具有节能省电功效。
2、针对发光二极管晶片的结构设计，需要在发光二极管晶片的表面上设置焊接电极以便连接线路进行导电，进而产生电流。然而，由于前述半导体材料的连接面的一部分会受到焊接电极遮蔽，使得被遮蔽的连接面因电流通过所产生的光线无法顺利射出，因此将导致发光二极管晶片的发光效率降低，从而造成亮度衰减。
3、因此，如何设计出能改善前述问题的发光二极管结构以提升发光亮度，实为一个值得研究的课题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种可提升发光亮度的发光二极管结构。
2、为达上述目的，本专利技术的发光二极管结构包括基板、第一半导体层、第二半导体层、...
【技术保护点】
1.一种发光二极管结构，所述发光二极管结构包括：
2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，于所述至少一个电流阻挡沟槽内填充高电阻材料。
3.如权利要求2所述的发光二极管结构，其中，所述高电阻材料与所述第二电极的材料相同。
4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，所述至少一个电流阻挡沟槽不接触所述发光层。
5.如权利要求4所述的发光二极管结构，其中，所述第一半导体层的厚度、所述第二半导体层的厚度及所述至少一个电流阻挡沟槽的深度的比例为1:3:2。
6.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，所述至少一个...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，所述发光二极管结构包括：
2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，于所述至少一个电流阻挡沟槽内填充高电阻材料。
3.如权利要求2所述的发光二极管结构，其中，所述高电阻材料与所述第二电极的材料相同。
4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，所述至少一个电流阻挡沟槽不接触所述发光层。
5.如权利要求4所述的发光二极管结构，其中，所述第一半导体层的厚度、所述第二半导体层的厚度及所述至少一个电流阻挡沟槽的深度的比例为1:3:2。
6.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，所述至少一个电流阻挡沟槽延伸至所述第一半导体层，但不接触所述基板。
7.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，所述至少一个电流阻挡沟槽被所...
【专利技术属性】
技术研发人员：林坤德，吴国祯，马景时，
申请(专利权)人：台亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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