【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及覆铜板领域，特别涉及基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法。
技术介绍
1、覆铜板(copper clad laminate，全称覆铜板层压板，英文简称ccl)，是由木浆纸或玻纤布等作增强材料，浸以树脂，单面或双面覆以 铜箔，经热压而成的一种产品，是电子工业的基础材料，主要用于加工制造印制电路板(pcb)，广泛用在电视机、收音机、电脑、 计算机、移动通讯等电子产品中。
2、覆铜板在贮存和运输的过程中易被空气中的水蒸气和氧气氧化，从而使其表面的cu层的结构遭到损失和破坏，影响覆铜板的性能。
3、目前针对覆铜板的防氧化处理主要是通过化学方法实现的。如记载在公开号为cn106757245a中的一种黑化铜箔的表面处理工艺、以及公开号为cn114481245a中的一种挠性覆铜板用反转电解铜箔表面处理工艺，均采用的是通过电镀的方法引入镍、钴、锌等元素提升抗氧化性能；如记载在公开号为cn115505983a中的一种挠性覆铜板生产用表面清洁工艺，其将覆铜板置于铜钝化剂中，利用化学方法在覆铜板表面形成钝化膜从而进行保护；如记载在公开号为cn110331369a中的柔性覆铜板的制造方法，其将覆铜板置于含有甲基苯并三氮唑的抗氧化液中，甲基苯并三氮唑通过物理吸附和化学吸附在覆铜板表面形成一层防护膜。
4、但上述方法存在着以下缺陷：
5、（1）电镀引入镍、钴、锌等元素的方法会引入杂质元素，从而影响覆铜板的性能，而且电镀的方法生成膜层的均匀性无法保证；
6、（2）使用钝化剂的方法会损耗覆铜
7、（3）使用抗氧化液的方法不仅引入有机杂质，抗氧化液吸附在覆铜板表面也会与金属作用从而对表层金属造成损耗，且甲基苯并三氮唑还可能会引起皮肤、呼吸道以及眼刺激，表面处理过程对实施人员易产生危害。
8、本申请旨在基于磁控溅射来解决上述问题。
技术实现思路
1、为了实现根据本专利技术的上述目的和其他优点，本专利技术的第一目的是提供基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，包括如下步骤：
2、s1、清洗覆铜板基片，对覆铜板基片表面进行清洁以去除其表面附着物；
3、s2、将清洗后的覆铜板基片置于磁控溅射镀膜装置内，利用铜靶对基片进行反应溅射，控制氧气和氩气的分压，以在第一分压下沉积得到氧化亚铜薄膜后再在第二分压下沉积得到氧化铜薄膜；其中，第一分压小于第二分压；
4、s3、对沉积的氧化亚铜薄膜与氧化铜薄膜进行退火处理，以减小晶粒之间的间隙在覆铜板表面形成致密的防护结构。
5、优选地，所述氧化亚铜薄膜的厚度大于所述氧化铜薄膜厚度。
6、优选地，所述氧化亚铜薄膜的厚度范围为1um-2um；所述氧化铜薄膜厚度范围为0.5um-0.7um。
7、优选地，所述步骤s1具体包括以下步骤：
8、s11、对覆铜板基片进行超声清洗：在振动频率为40khz的条件下，先将覆铜板基片放入丙酮中浸润，再放入无水乙醇中浸润；将覆铜板基片用水冲洗干净后在纯水中进行超声清洗，最后将覆铜板基片离心甩干；
9、s12、等离子清洗：在气压为0.5pa～5pa，氩气流量为400sccm～500sccm，温度为150℃ ，偏压设置为-800v～-500v的条件下，对超声清洗后的覆铜板基片进行等离子清洗处理。
10、优选地，所述步骤s2具体包括以下步骤：
11、s21、基底加热：将铜靶放在磁控溅射镀膜装置的溅射室的溅射靶之上进行固定，关闭磁控溅射镀膜装置的腔盖并抽真空到2×10-4pa以下，加热覆铜板基片至200℃～300℃；
12、s22、沉积氧化亚铜薄膜：充入气体，随后进行溅射室压强调整，按照第一分压的比例充入氧气与氩气的混合气体，控制溅射室内压强范围为0.2pa～1pa，设置铜靶的功率为120w，工作偏压为-100v，执行溅射，以形成覆铜板基片表面的氧化亚铜薄膜；
13、s23、沉积氧化铜薄膜：随后调整溅射室压强，调整为第二分压的氧气和氩气比例，控制溅射室内压强范围为0.2pa～1pa；设置铜靶的功率为120w，工作偏压为-100v，执行溅射，以在氧化亚铜薄膜表面覆以氧化铜薄膜。
14、优选地，第一分压范围为氧气含量占比7.5%～10%；第二分压的范围为氧气含量占比20%以上。
15、优选地，所述步骤s3中，对s22中沉积的氧化亚铜薄膜和s23中沉积的氧化铜薄膜进行退火处理，退火温度为600℃，退火时间为1～3h。
16、本专利技术目的之二是提供一种基于磁控溅射的覆铜板，包括：基片、氧化亚铜薄膜、氧化铜薄膜；其中，所述氧化亚铜薄膜位于所述基片与所述氧化铜薄膜之间；所述氧化亚铜薄膜与所述氧化铜薄膜共同形成所述基片的氧化防护。
17、优选地，所述氧化亚铜薄膜的厚度大于所述氧化铜薄膜厚度。
18、本专利技术目的之三是提供一种覆铜板表面处理方法，包括以下步骤：
19、s4、去除所述的覆铜板表面的氧化亚铜薄膜与氧化铜薄膜。
20、优选地，步骤s4具体包括如下步骤：
21、先将覆铜板置于碱性环境中；
22、再利用氯离子诱发氧化铜薄膜和氧化亚铜薄膜破裂脱落。
23、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
24、本专利技术公开了一种基于磁控溅射的覆铜板及其表面处理方法，涉及覆铜板领域；包括以下步骤：清洗覆铜板基片；将清洗后的覆铜板基片置于磁控溅射镀膜装置内，利用铜靶对基片进行反应溅射，控制氧气和氩气的分压，以在第一分压下沉积得到氧化亚铜薄膜后再在第二分压下沉积得到氧化铜薄膜；对沉积的氧化亚铜薄膜与氧化铜薄膜进行退火处理，以减小晶粒之间的间隙并形成覆铜板表面致密的防护结构。本专利技术通过使用磁控溅射的方式在覆铜板表面沉积氧化亚铜/氧化铜薄膜作为钝化膜，有效地解决了使用化学方法进行覆铜板防护处理的问题。本专利技术采用的磁控溅射方法不会对基底材料造成损耗，而且该技术可以精确控制钝化膜的厚度，满足对高精度钝化的需求，同时该方法制备的薄膜结合性能好，组分均匀稳定，不会引入其它杂质。
25、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
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1.一种基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，其特征在于，所述氧化亚铜薄膜的厚度大于所述氧化铜薄膜厚度。
3.根据权利要求2所述的基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括以下步骤：
5.根据权利要求1所述的基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，其特征在于，第一分压范围为氧气含量占比7.5%～10%；第二分压的范围为氧气含量占比20%以上。
7.根据权利要求5所述的基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，其特征在于，所述步骤S3中，对S22中沉积的氧化亚铜薄膜和S23中沉积的氧化铜薄膜进行退火处理，退火温度为600℃，退火时间为1～3h。
8.一种基于磁控溅射的覆铜板，其特征在于，包括：基片、氧化亚铜薄膜、氧化铜薄膜；其中，所述氧化
9.根据权利要求8所述的基于磁控溅射的覆铜板，其特征在于：所述氧化亚铜薄膜的厚度大于所述氧化铜薄膜厚度。
10.一种覆铜板表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
11.根据权利要求10所述的覆铜板表面处理方法，其特征在于，步骤S4具体包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，其特征在于，所述氧化亚铜薄膜的厚度大于所述氧化铜薄膜厚度。
3.根据权利要求2所述的基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，其特征在于，所述步骤s1具体包括以下步骤：
5.根据权利要求1所述的基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，其特征在于，所述步骤s2具体包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的基于磁控溅射的覆铜板表面处理方法，其特征在于，第一分压范围为氧气含量占比7.5%～10%；第二分压的范围为氧气含量占比20%以上。
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【专利技术属性】
技术研发人员：靳世旭，刘鑫，潘远志，
申请(专利权)人：苏州博志金钻科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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