【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于材料表面处理，涉及一种因瓦合金表面低温沉积氧化铝膜层的方法。
技术介绍
1、oled柔性显示技术因其具有可弯曲、响应速度快、高色域、宽视角的特点，以及对比传统的显示技术其不论是在画面品质、功耗及成本上都有很大的优势，使得其大规模取代传统显示技术而被在应用在电视、手机、平板显示等领域。
2、目前，oled柔性显示屏幕使用cvd mask蒸镀氮化硅，通过表面镀膜的方法提高其绝缘耐腐蚀特性，即通过磁控溅射方式在表面制备氧化铝膜层。
3、现有的磁控溅射方式中，采用溅射阴极与基片表面垂直的方式进行制备氧化铝膜层。因氧化铝和因瓦合金的热膨胀系数相差较大，在溅射过程中随着温度不断提高，膜层和基片膨胀程度存在差异，导致在冷却过程中发生形变，存在较大内应力，从而引起脱膜、掩膜版褶皱变形严重。而溅射过程中也会存在一定的缺陷，如：氧化铝膜层的沉积速率慢；氧化铝膜层较疏松，耐击穿及耐腐蚀性能较差；掩膜版开口边缘包覆性差。
技术实现思路
1、为解决现有技术中存在的技术问题，本专利技术提供一种因瓦合金表面低温沉积氧化铝膜层的方法，所述方法可以降低因瓦合金与氧化铝膜层间的内应力，提高沉积速率、绝缘阻隔性、耐腐蚀性和具有良好的包覆性，同时提高生产效率。
2、为达到上述技术效果，本专利技术采用以下技术方案：
3、本专利技术目的之一在于提供一种瓦合金表面低温沉积氧化铝膜层的方法，其特征在于，所述方法包括：
4、步骤s010，将至少两个基片组置于
5、步骤s011，第一基片组进入离子源室使用气体离子源轰击，进行气体离子源清洗；
6、步骤s012，所述第一基片组进入工艺室进行磁控溅射，对所述第一基片组温度进行监测，待所述第一基片组温度达到预设温度时，进行下一步骤；
7、所述预设温度不高于80℃；
8、步骤s013，所述第一基片组进入冷却室进行冷却并静置，此时第二基片组进入工艺室进行磁控溅射；
9、步骤s014，所有基片组进行步骤s011～步骤s013后，由所述第一基片组开始所有基片组依次循环重复进行步骤s011～步骤s013，至所有基片组完成单面镀膜；
10、其中，步骤s012的预设温度可以是50℃、60℃、70℃、75℃或80℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内气体未列举的数值同样适用。
11、作为本专利技术优选的技术方案，步骤s011中所述气体离子源为线性离子源。
12、作为本专利技术优选的技术方案，步骤s011所述气体离子源轰击的电压为500～1200v，轰击时间为2～20min。其中，电压可以是500v、600v、700v、800v、900v、1000v、1100v或1200v等，轰击时间可以是2min、5min、10min、12min、15min、18min或20min等，但并不仅限于所列举的数值，上述各数值范围内气体未列举的数值同样适用。
13、作为本专利技术优选的技术方案，步骤s012所述磁控溅射的溅射阴极为旋转阴极结合电子中和器或孪生阴极。
14、作为本专利技术优选的技术方案，所述溅射阴极和基片的距离为8～20cm，如8cm、9cm、10cm、11cm、12cm、13cm、14cm、15cm、16cm、17cm、18cm、19cm或20cm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内气体未列举的数值同样适用。
15、作为本专利技术优选的技术方案，所述中和器通入的正电压为5～100v，如5v、10v、15v、20v、25v、30v、40v、50v、60v、70v、80v、90v或100v等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内气体未列举的数值同样适用。
16、作为本专利技术优选的技术方案，所述孪生阴极的靶面法线与基片垂线夹角角度为20～75°，如20°、25°、30°、35°、40°、45°、50°、55°、60°、65°、70°或75°等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内气体未列举的数值同样适用。
17、作为本专利技术优选的技术方案，所述磁控溅射的溅射电压为330～700v，如330v、400v、450v、500v、550v、600v、650v或700v等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内气体未列举的数值同样适用。
18、作为本专利技术优选的技术方案，所述冷却室的预设冷却范围为20～50℃，如20℃、25℃、30℃、35℃、40℃、45℃或50℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内气体未列举的数值同样适用。
19、作为本专利技术优选的技术方案，所述存放室在所述基片组出室后作为冷却室使用。
20、与现有技术相比，本专利技术至少具有以下有益效果：
21、本专利技术提供一种因瓦合金表面低温沉积氧化铝膜层的方法，所述方法可以降低因瓦合金与氧化铝膜层间的内应力，提高沉积速率、绝缘阻隔性、耐腐蚀性和具有良好的包覆性，同时提高生产效率。
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1.一种因瓦合金表面低温沉积氧化铝膜层的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S011中所述气体离子源为线性离子源。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S011所述气体离子源轰击的电压为500～1200V，轰击时间为2～20min。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S012所述磁控溅射的溅射阴极为旋转阴极结合电子中和器或孪生阴极。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述溅射阴极和基片的距离为8～20cm。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述中和器通入的正电压为5～100V。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述孪生阴极的靶面法线与基片垂线夹角角度为20～75°。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁控溅射的溅射电压为330～700V。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述冷却室的预设冷却范围为20～50℃。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述
...【技术特征摘要】
1.一种因瓦合金表面低温沉积氧化铝膜层的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s011中所述气体离子源为线性离子源。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s011所述气体离子源轰击的电压为500～1200v，轰击时间为2～20min。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s012所述磁控溅射的溅射阴极为旋转阴极结合电子中和器或孪生阴极。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述溅射阴极和基片的距离为...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱超，余洋，牛恩众，甘帅燕，
申请(专利权)人：江苏高光半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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