【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对适于各种显示装置的自发光电子元件适合的化合物、特别是适于有机电致发光元件(以下简称为有机el元件)的化合物和使用该化合物的有机el元件、电子元件和电子设备。
技术介绍
1、有机el元件由于为自发光性元件，因此与液晶元件相比，明亮、视觉辨认性优异，能够进行鲜明的显示，因此进行了积极的研究。
2、1987年伊士曼柯达公司的c.w.tang等开发出将各种功能分担于各材料的层叠结构元件，从而使使用有有机材料的有机el元件成为实用的元件。他们将能够传输电子的荧光体和能够传输空穴的有机物层叠，将两者的电荷注入荧光体的层中而使其发光，从而用10v以下的电压得到1000cd/m2以上的高亮度(例如，参照专利文献1和专利文献2)。
3、目前为止，为了有机el元件的实用化，进行了大量的改进，对层叠结构的各种功能进一步细分，通过制成在基板上依次设置有阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极的电致发光元件中从底部发光的底部发光结构的发光元件，从而实现了高效率和耐久性(例如参照非专利文献1)。
4、近年来，逐渐使用了将具有高功函数的金属用于阳极、从上部发光的顶部发光结构的发光元件。在从具有像素电路的底部取出光的底部发光结构中，发光部的面积受到限制，而在顶部发光结构的发光元件中，由于从上部将光取出，不会遮挡像素电路，因此具有使发光部扩大的优点。在顶部发光结构的发光元件中，作为阴极使用lif/al/ag(例如参照非专利文献2)、ca/mg(例如参照非专利文献3)、lif/mgag等
5、在这样的发光元件中，在发光层发射的光入射其他膜的情况下，如果以某角度以上入射，则在发光层与其他膜的界面全反射。因此，只能利用发射的光的一部分。近年来，为了提高光的取出效率，提出了在折射率低的半透明电极的外侧设置有折射率高的“封盖层”的发光元件(例如参照非专利文献2和非专利文献3)。
6、就顶部发光结构的发光元件中的封盖层的效果而言，在将ir(ppy)3用于发光材料的发光元件中，无封盖层的情况下电流效率为38cd/a，而在使用有膜厚60nm的znse作为封盖层的发光元件中，为64cd/a，确认了约1.7倍的效率提高。另外，示出了半透明电极和封盖层的透射率的极大点与效率的极大点未必一致，示出了光的取出效率的最大点由干涉效应决定(例如参照非专利文献3)。
7、以往，提出了在封盖层的形成中使用精细度高的金属掩模，但在高温条件下的使用中在金属掩模产生由热引起的变形，从而具有对位精度降低的问题。上述的znse的熔点高达1100℃以上(例如参照非专利文献3)，在精细度高的金属掩模中不能蒸镀于正确的位置，有可能对发光元件自身也造成影响。进而，即使是采用溅射法的成膜，对发光元件也造成影响，因此以无机物作为构成材料的封盖层不适合使用。
8、此外，作为调整折射率的封盖层，在使用三(8-羟基喹啉)铝(以下简称为alq3)的情况下(例如参照非专利文献2)，alq3已知为一般用作绿色发光材料或电子传输材料的有机el材料，但由于在蓝色发光材料中使用的450nm附近具有弱的吸收，因此在蓝色发光元件的情况下，也具有色纯度降低和光的取出效率降低的问题。
9、另外，就用以往的封盖层制造的元件而言，由于透过太阳光的波长400nm至410nm的光，因此对元件内部的材料造成影响，也具有色纯度的降低和光的取出效率降低的问题。
10、为了改善有机el元件的元件特性，特别地，为了吸收太阳光的波长400nm至410nm的光而不对元件内部的材料造成影响，还为了大幅地改善光的取出效率，作为封盖层的材料，需要吸光系数高、折射率高、薄膜的稳定性、耐久性优异的材料。
11、现有技术文献
12、专利文献
13、专利文献1：us5792557
14、专利文献2：us5639914
15、专利文献3：国际公开第2014/009310号
16、专利文献4：us2014/0225100a1
17、非专利文献
18、非专利文献1：应用物理学会第9次讲习会预稿集第55～61页(2001)
19、非专利文献2：appl.phys.let.，78，544(2001)
20、非专利文献3：appl.phys.let.，82，466(2003)
21、非专利文献4：j.org.chem.，71，1802(2006)
22、非专利文献5：chem.rev.2016，116，12564
23、非专利文献6：tetrahedron，58，(2002)，9633
24、非专利文献7：appl.phys.lett.，98，083302(2011)
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于为了改善有机el元件的元件特性，提供特别是吸收太阳光的波长400nm至410nm的光而不对元件内部的材料造成影响、在波长450nm至750nm的范围的折射率高的化合物，通过使用这样的化合物，从而提供防止元件内部的劣化、大幅地改善光取出效率的有机el元件。
2、作为适于有机el元件的封盖层的材料的物理特性，能够列举出(1)吸光系数高，(2)折射率高，(3)能够蒸镀，(4)薄膜状态稳定，(5)玻璃化转变温度高。另外，作为适于本专利技术的化合物的物理特性，能够列举出(1)吸收400nm至410nm的光，(2)光的取出效率高，(3)无色纯度的降低，(4)不会经时变化地透过光，(5)长寿命。
3、因此，本专利技术人等为了实现上述的目的，着眼于芳基胺系材料的薄膜的稳定性、耐久性优异，由折射率高的具有特定的苯并唑环结构的胺化合物，选择在浓度10-5mol/l的吸收光谱中波长400nm至410nm的吸光度高的材料，制造作为构成封盖层的材料使用的有机el元件，深入进行了元件的特性评价，结果完成了本专利技术。
4、即，根据本专利技术，提供以下的由下述通式(a)表示的化合物和有机el元件。
5、1)由下述通式(a)表示的胺化合物，
6、[化1]
7、
8、式中，ar表示取代或未取代的芳族烃基、取代或未取代的芳族杂环基或取代或未取代的稠合多环芳族基团，
9、l1～l5可彼此相同也可不同，表示单键、未取代的2价的芳族烃基、未取代的2价的芳族杂环基或未取代的2价的稠合多环芳族基团，x1和x2可彼此相同也可不同，表示氧原子或硫原子。
10、2)根据上述1)所述的化合物，其中，所述通式(a)中的l1为未取代的1，4-亚苯基。
11、3)根据上述1)所述的胺化合物，其中，所述通式(a)中的l2～l5为单键、未取代的亚苯基、未取代的亚联苯基、或未取代的亚萘基。
12、4)根据上述3)所述的胺化合物，其中，所述通式(a)中的l2～l5为单键、未取代的1，4-亚苯基、未取代的4本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.由下述通式(a)表示的胺化合物，
2.根据权利要求1所述的胺化合物，其中，所述通式(a)中的L1为未取代的1，4-亚苯基。
3.根据权利要求1所述的胺化合物，其中，所述通式(a)中的L2～L5为单键、未取代的亚苯基、未取代的亚联苯基、或未取代的亚萘基。
4.根据权利要求3所述的胺化合物，其中，所述通式(a)中的L2～L5为单键、未取代的1，4-亚苯基、未取代的4，4’-亚联苯基、未取代的2，6-亚萘基、或未取代的2，7-亚萘基。
5.根据权利要求1所述的胺化合物，其中，所述通式(a)中的Ar为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或取代或未取代的二苯并噻吩基。
6.根据权利要求5所述的胺化合物，其中，所述通式(a)中的Ar为未取代的苯基、未取代的4-联苯基、未取代的2-萘基、未取代的2-菲基、未取代的3-菲基、未取代的9-菲基、未取代的3-吡啶基、未取
7.有机电致发光元件，其为依次至少具有阳极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极电极和封盖层的有机EL元件，其中，所述封盖层含有根据权利要求1～6中任一项所述的胺化合物。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光元件，其中，所述封盖层的消光系数在400nm至410nm的波长范围为0.2以上，并且所述胺化合物的浓度10-5mol/L的吸收光谱中的吸光度在400nm至410nm的波长范围为0.2以上。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光元件，其中，所述封盖层的折射率在波长为450nm～750nm的范围内为1.85以上。
10.根据权利要求7所述的有机电致发光元件，其中，所述封盖层为包含不同的化合物的2层以上的层叠或包含2种以上的化合物的混合层，含有根据权利要求1～6中任一项所述的胺化合物。
11.电子元件，其为具有一对电极和夹于其间的有机层的电子元件，其中，所述有机层含有根据权利要求1～6中任一项所述的胺化合物。
12.电子设备，其包含根据权利要求11所述的电子元件。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.由下述通式(a)表示的胺化合物，
2.根据权利要求1所述的胺化合物，其中，所述通式(a)中的l1为未取代的1，4-亚苯基。
3.根据权利要求1所述的胺化合物，其中，所述通式(a)中的l2～l5为单键、未取代的亚苯基、未取代的亚联苯基、或未取代的亚萘基。
4.根据权利要求3所述的胺化合物，其中，所述通式(a)中的l2～l5为单键、未取代的1，4-亚苯基、未取代的4，4’-亚联苯基、未取代的2，6-亚萘基、或未取代的2，7-亚萘基。
5.根据权利要求1所述的胺化合物，其中，所述通式(a)中的ar为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或取代或未取代的二苯并噻吩基。
6.根据权利要求5所述的胺化合物，其中，所述通式(a)中的ar为未取代的苯基、未取代的4-联苯基、未取代的2-萘基、未取代的2-菲基、未取代的3-菲基、未取代的9-菲基、未取代的3-吡啶基、未取代的3-喹啉基、未取代的2-苯并呋喃基、未取代的2-苯并噻吩基、...
【专利技术属性】
技术研发人员：加濑幸喜，梁炳善，黄文濽，泉田淳一，平山雄太，林秀一，
申请(专利权)人：保土谷化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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