【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对适于各种显示装置的自发光电子元件适合的化合物、特别是适于有机电致发光元件(以下，简称为有机el元件)的化合物及使用了该化合物的有机el元件、电子设备或电子元件。
技术介绍
1、有机el元件由于为自发光性元件，因此与液晶元件相比，明亮、可视性优异，能够进行鲜明的显示，因此进行了积极的研究。
2、1987年伊士曼-柯达公司的c.w.tang等通过开发将各种职能分担于各材料的层叠结构元件，由此使使用了有机材料的有机el元件成为了实用的元件。它们将能够传输电子的荧光体和能够传输空穴的有机物层叠，将两者的电荷注入到荧光体的层中而使其发光，由此以10v以下的电压得到1000cd/m2以上的高亮度(例如参照专利文献1及专利文献2)。
3、到目前为止，为了有机el元件的实用化，进行了大量的改进，在将层叠结构的各种职能进一步细分化，在基板上依次设置了阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极的场致发光元件中，逐渐通过从底部发光的底部发射结构的发光元件，实现了高效率和耐久性(例如，参照非专利文献1)。
4、近年来，逐渐使用将具有高功函数的金属用于阳极、从上部发光的顶部发射结构的发光元件。在从具有像素电路的底部将光取出的底部发射结构中，发光部的面积受到限制，与此相对，在顶部发射结构的发光元件中，通过从上部将光取出，不会将像素电路遮挡，因此具有使发光部扩大的优点。在顶部发射结构的发光元件中，在阴极使用lif/al/ag(例如参照非专利文献2)、ca/mg(例如参照非专利文献3)
5、在这样的发光元件中，在发光层中发出的光入射到其他膜的情况下，如果以某角度以上入射，则在发光层与其他膜的界面被全反射。因此，只能利用发出的光的一部分。近年来，为了提高光的取出效率，提出在折射率低的半透明电极的外侧设置折射率高的“封盖层”的发光元件(例如，参照非专利文献2及非专利文献3)。
6、就顶部发射结构的发光元件中的封盖层的效果而言，在将ir(ppy)3用于发光材料的发光元件中，在无封盖层的情况下电流效率为38cd/a，与此相对，在使用了膜厚60nm的znse作为封盖层的发光元件中，为64cd/a，确认了约1.7倍的效率提高。另外，示出半透明电极与封盖层的透射率的极大点与效率的极大点未必一致，示出光的取出效率的最大点由干涉效应决定(例如，参照非专利文献3)。
7、以往，对于封盖层的形成，提出使用精细度高的金属掩模，但在高温条件下的使用中，金属掩模由于热而产生变形，由此存在对位精度降低的问题。因此，就znse而言，熔点高达1100℃以上(例如，参照非专利文献3)，在精细度高的金属掩模中，不能在正确的位置蒸镀，有可能对发光元件自身也造成影响。进而，即使是采用溅射法的成膜，对发光元件也造成影响，因此以无机物作为构成材料的封盖层不适于使用。
8、此外，作为调整折射率的封盖层，在使用三(8-羟基喹啉)铝(alq3)的情况下(例如参照非专利文献2)，已知alq3为一般用作绿色发光材料或者电子传输材料的有机el材料，在用于青色发光材料的450nm附近具有弱吸收，因此在青色发光元件的情况下，也具有色纯度的降低及光的取出效率降低的问题。
9、另外，在用以往的封盖层所制作的元件中，太阳光的波长400nm至410nm的光通过，对元件内部的材料造成影响，也具有色纯度的降低及光的取出效率降低的问题。
10、为了改善有机el元件的元件特性，特别地，为了吸收太阳光的波长400nm至410nm的光，不对元件内部的材料造成影响，另外，为了大幅地改善光的取出效率，作为封盖层的材料，需要吸光系数高、折射率高、薄膜的稳定性、耐久性优异的材料。
11、现有技术文献
12、专利文献
13、专利文献1：日本特开平8-048656号公报
14、专利文献2：日本专利第3194657号公报
15、专利文献3：国际公开第2014/009310号
16、专利文献4：国际公开第2013/038627号
17、非专利文献
18、非专利文献1：应用物理学会第9次讲习会预稿集第55～61页(2001)
19、非专利文献2：appl.phys.let.，78，544(2001)
20、非专利文献3：appl.phys.let.，82，466(2003)
21、非专利文献4：synlett.，7，1172(2009)
22、非专利文献5：j.org.chcm.，60，7508(1995)
23、非专利文献6：synth.commun.，11，513(1981)
24、非专利文献7：appl.phys.lett.，98，083302(2011)
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、就本专利技术的目的而言，在于：为了改善有机el元件的元件特性，提供特别是吸收太阳光的波长400nm至410nm的光、对元件内部的材料不造成影响、波长450nm至750nm的范围的折射率高的化合物，通过将该化合物用作有机el元件的封盖层材料，提供防止元件内部的劣化、大幅地改善光的取出效率的有机el元件。
3、即，作为适于有机el元件的封盖层的材料的物理特性，能够列举出(1)吸光系数高，(2)折射率高，(3)可蒸镀，(4)薄膜状态稳定，(5)玻璃化转变温度高。另外，作为本专利技术提供的有机el元件的特性，能够列举出(1)吸收波长400nm至410nm的光，(2)光的取出效率高，(3)无色纯度的降低，(4)不会经时变化地透过光，(5)长寿命。
4、用于解决课题的手段
5、因此，本专利技术人等为了实现上述的目的，着眼于芳基胺系材料的薄膜的稳定性、耐久性优异，由折射率高的具有特定的苯并唑环结构的二胺化合物，设计在浓度10-5mol/l的吸收光谱中波长400nm至410nm的范围中的吸光度高的材料，制作作为构成封盖层的材料而使用的有机el元件，深入进行了元件的特性评价，结果，完成了本专利技术。
6、即，根据本专利技术，提供以下的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物及使用了其的有机el元件和电子设备或者电子元件。
7、1)由下述通式(a-1)表示的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，
8、[化1]
9、
10、上述通式(a-1)中，a、b、c及d可彼此相同也可不同，表示由下述结构式(b-1)表示的具有氮杂苯并噁唑基的一价基团、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团，其中，a、b、c或者d的至少一者为由下述结构式(b-1)表示的具有氮杂苯并噁唑基的一价基团，l表示取代或未取代的芳香族烃的二价基团、取代或未取代的芳香族杂环的二价基团、或者取代或未取代的稠合多环芳香族的二价基团，可与a、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.由下述通式(a-1)表示的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，
2.根据权利要求1所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述通式(a-1)中的A、B、C及D为由所述结构式(b-1)表示的具有氮杂苯并噁唑基的一价基团、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的咪唑并吡啶基、取代或未取代的苯并噁唑基、取代或未取代的苯并噻唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或者取代或未取代的二苯并噻吩基。
3.根据权利要求1或2所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述结构式(b-1)为下述结构式(b-2)或者结构式(b-3)，
4.根据权利要求1或2所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述通式(a-1)中的L为取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、或者取代或未取代的亚萘基。
5.根据权利要求1或2所述的具有氮杂苯并噁唑环
6.根据权利要求1或2所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述结构式(b-1)为下述结构式(b-4)或者结构式(b-5)，
7.根据权利要求6所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述通式(a-1)中的A、B、C或者D中的仅仅任一者为结构式(b-4)或者结构式(b-5)。
8.根据权利要求6所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述通式(a-1)中的A、B、C或者D中的任二者为结构式(b-4)或者结构式(b-5)。
9.根据权利要求6所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述通式(a-1)中的A及B为结构式(b-4)或者结构式(b-5)。
10.根据权利要求6所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述通式(a-1)中的A及C为结构式(b-4)或者结构式(b-5)。
11.一种有机电致发光元件，其依次至少具有阳极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极电极及封盖层，其特征在于，所述封盖层含有权利要求1～10中任一项所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述封盖层的400nm至410nm的波长范围内的消光系数为0.2以上，并且所述具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物的浓度10-5mol/L的吸收光谱中的400nm至410nm的波长范围内的吸光度为0.2以上。
13.根据权利要求11所述的有机电致发光元件，其特征在于，所述封盖层的折射率在透过该封盖层的光的波长为450nm～750nm的范围内，为1.85以上。
14.根据权利要求11所述的有机电致发光元件，其特征在于，在所述封盖层由包含2种以上的化合物的叠层或者混合层构成的情况下，至少一种化合物为所述具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物。
15.一种电子设备或者电子元件，其具有一对电极和在其间夹持的至少一层有机层，其特征在于，所述有机层含有权利要求1～10中任一项所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.由下述通式(a-1)表示的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，
2.根据权利要求1所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述通式(a-1)中的a、b、c及d为由所述结构式(b-1)表示的具有氮杂苯并噁唑基的一价基团、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的咪唑并吡啶基、取代或未取代的苯并噁唑基、取代或未取代的苯并噻唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或者取代或未取代的二苯并噻吩基。
3.根据权利要求1或2所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述结构式(b-1)为下述结构式(b-2)或者结构式(b-3)，
4.根据权利要求1或2所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述通式(a-1)中的l为取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、或者取代或未取代的亚萘基。
5.根据权利要求1或2所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述通式(a-1)中的m为1或2。
6.根据权利要求1或2所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述结构式(b-1)为下述结构式(b-4)或者结构式(b-5)，
7.根据权利要求6所述的具有氮杂苯并噁唑环结构的二胺化合物，其特征在于，所述通式(a-1)中的a、b、c或者d中的仅仅任一者为结构式(b-4)或者结构式(b-5)。
8.根据权利要求6所述的具有氮杂苯并噁唑环结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：千叶绘里子，加濑幸喜，山本刚史，平山雄太，林秀一，
申请(专利权)人：保土谷化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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