System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种纳米碳化钨的制备方法技术_技高网

一种纳米碳化钨的制备方法技术

技术编号:41239463 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-09 23:52
本发明专利技术属于纳米粉体技术领域,具体涉及一种纳米碳化钨的制备方法。本发明专利技术提供了一种纳米碳化钨的制备方法,包括以下步骤:将偏钨酸铵进行煅烧,得到氧化钨团聚体;将所述氧化钨团聚体和炭黑混合,造粒,得到球形料;将所述球形料依次进行还原碳化和钝化,得到所述纳米碳化钨。本发明专利技术提供了一种采用动态还原碳化法制备纳米碳化钨粉的方法。本发明专利技术首先制备出晶粒分散均匀的预碳化料,并在此基础上制备出高品质的纳米碳化钨。本发明专利技术提供的制备方法工艺简便,生产成本低,易于实现工业化;且得到的纳米碳化钨纯度高、分散性好,进一步提升了钨行业精深加工和应用产品的技术水平和产品质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米粉体,具体涉及一种纳米碳化钨的制备方法


技术介绍

1、纳米碳化钨粉末是一种具有高硬度、高热稳定性和高耐磨性的新型功能材料,打破了传统硬质合金高硬度与高韧性不可兼得的桎梏,使得纳米碳化钨粉末在工具、精密模具、钻头等领域有广泛的应用前景。同时,纳米碳化钨具有的优良催化性能,使其可用于加氢、脱氢、异构化等反应,可以替代一些贵重金属作为电池材料中的阴极材料。

2、纳米碳化钨的制备方法主要有三种,分别是固相法、气相法和液相法。常规的气相合成法因其设备昂贵、工艺复杂、成本较高等特点,制约了其工业化应用。液相法的制备过程比较简单,纯度也比较高,但液相法一般都会用到各种溶剂,而且还会在高温的情况下进行一段时间的反应,因此对大规模的工业化生产提出了一定的要求。传统的固相法一般要进行高温煅烧和高能球磨,制备成本较高,而且制备出来的纳米wc颗粒容易出现不均匀、引入杂质的问题。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种纳米碳化钨的制备方法,本专利技术提供的方法工艺简便,生产成本低,且得到的纳米碳化钨纯度高、分散性好。

2、为了实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:

3、本专利技术提供了一种纳米碳化钨的制备方法,包括以下步骤:

4、将偏钨酸铵进行煅烧,得到氧化钨团聚体;

5、将所述氧化钨团聚体破碎后和炭黑混合,造粒,得到球形料;所述破碎后得到的氧化钨粉体的粒径为≤0.5μm;

6、将所述球形料依次进行还原碳化和钝化,得到所述纳米碳化钨。

7、优选的,所述煅烧的温度为750~850℃,保温时间为4~6h。

8、优选的,所述破碎的方式为气流磨破碎;所述气流磨破碎的气流量为150~200m3/h,气体压力为0.03~0.06mpa,时间为30~50min。

9、优选的,所述氧化钨粉体和炭黑的质量比为5:1或1:0.19。

10、优选的,所述还原碳化的温度为850~1100℃,保温时间为30~60min。

11、优选的,所述还原碳化在惰性气氛中进行;所述惰性气体包括氮气和/或氩气。

12、优选的,所述还原碳化在回转还原炉中进行;

13、所述回转还原炉从炉头到炉尾依次包括第一温度带、第二温度带、第三温度带、第四温度带、第五温度带和第六温度带;

14、所述第一温度带的温度为850~880℃;所述第二温度带的温度为880~910℃;所述第三温度带的温度为910~930℃;所述第四温度带的温度为930~950℃;所述第五温度带的温度为980~1000℃;所述第六温度带的温度为980~1080℃;

15、所述回转还原炉中物料的转动速度为3~6r/min。

16、优选的,所述钝化的温度为1400~1500℃,保温时间为20~40min。

17、优选的,所述钝化在还原气氛中进行;

18、所述还原气氛包括一氧化碳和/或氢气。

19、优选的,所述纳米碳化钨的比表面积为3.5~4.3m2/g。

20、本专利技术提供了一种纳米碳化钨的制备方法,包括以下步骤:将偏钨酸铵进行煅烧,得到氧化钨团聚体;将所述氧化钨团聚体破碎后和炭黑混合,造粒,得到球形料;所述破碎后得到的氧化钨粉体的粒径为≤0.5μm;将所述球形料依次进行还原碳化和钝化,得到所述纳米碳化钨。本专利技术提供了一种采用动态还原碳化法制备纳米碳化钨粉的方法。本专利技术首先制备出晶粒分散均匀的wc和w2c预碳化料,并在此基础上制备出高品质的纳米碳化钨。本专利技术提供的制备方法工艺简便,生产成本低,易于实现工业化;且得到的纳米碳化钨纯度高、分散性好,进一步提升了钨行业精深加工和应用产品的技术水平和产品质量。

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【技术保护点】

1.一种纳米碳化钨的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述煅烧的温度为750~850℃,保温时间为4~6h。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述破碎的方式为气流磨破碎;所述气流磨破碎的气流量为150~200m3/h,气体压力为0.03~0.06MPa,时间为30~50min。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述氧化钨粉体和炭黑的质量比为5:1或1:0.19。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述还原碳化的温度为850~1100℃,保温时间为30~60min。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述还原碳化在惰性气氛中进行;所述惰性气体包括氮气和/或氩气。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法,其特征在于,所述还原碳化在回转还原炉中进行;

8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述钝化的温度为1400~1500℃,保温时间为20~40min。

9.根据权利要求1或8所述的制备方法,其特征在于,所述钝化在还原气氛中进行;

10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述纳米碳化钨的比表面积为3.5~4.3m2/g。

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【技术特征摘要】

1.一种纳米碳化钨的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述煅烧的温度为750~850℃,保温时间为4~6h。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述破碎的方式为气流磨破碎;所述气流磨破碎的气流量为150~200m3/h,气体压力为0.03~0.06mpa,时间为30~50min。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述氧化钨粉体和炭黑的质量比为5:1或1:0.19。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述还原碳化的温度为850~1100℃...

【专利技术属性】
技术研发人员:张永会王燕飞何翕张帆唐炜蒋家发杨树忠肖颖奕
申请(专利权)人:赣州有色冶金研究所有限公司
类型:发明
国别省市:

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