【技术实现步骤摘要】
本申请涉及气液输送系统领域，尤其是涉及一种鼓泡供应系统。
技术介绍
1、半导体硅片外延层的制作通常采用气相外延工艺，即由氢气携带硅源(通常为三氯氢硅，其具有外延生长速度快以及使用安全的特性)进入置有硅衬底的反应室并在反应室中进行高温化学反应，以使得含硅反应气体还原或热分解，从而使所产生的硅原子在硅衬底的表面上外延生长。具体地，目前常通过鼓泡供应系统来实现上述含硅反应气体的制作，该鼓泡供应系统能够将工艺气体(即氢气)作为载气通入液态源(即三氯化硅溶液)中，以形成含有液态源蒸汽的气泡(即含硅反应气体)，进而再将该蒸汽输出至外延机台进行外延生长。
2、但现有的鼓泡供应系统存在以下问题：一是由于无法对三氯化硅溶液的含量进行实时监测，从而容易导致含硅反应气体供应不及时且不连续，进而影响半导体硅片外延层的质量；二是现有的鼓泡供应系统并没有安全可靠的监测模块，若发生例如三氯化硅泄漏等险情无法及时处理；三是现有的鼓泡供应系统不便于对管路进行清洁，如此也会影响半导体硅片外延层的质量。
技术实现思路
<...【技术保护点】
1.一种鼓泡供应系统，其特征在于，所述鼓泡供应系统包括：
2.根据权利要求1所述的鼓泡供应系统，其特征在于，所述液罐的顶部形成有第一接口和第二接口；所述供气支路包括第一子供气支路和第二子供气支路，所述第一子供气支路第一端的端部形成为所述第一进气口，所述第一子供气支路第二端的端部与所述第一接口连通；所述第二子供气支路第一端的端部与所述第二接口连通，所述第二子供气支路第二端的端部形成为所述第一排气口。
3.根据权利要求2所述的鼓泡供应系统，其特征在于，所述第一子供气支路设置有第一阀门组，所述第一阀门组包括设置于所述第一子供气支路的第二端的第一隔离阀...
【技术特征摘要】
1.一种鼓泡供应系统，其特征在于，所述鼓泡供应系统包括：
2.根据权利要求1所述的鼓泡供应系统，其特征在于，所述液罐的顶部形成有第一接口和第二接口；所述供气支路包括第一子供气支路和第二子供气支路，所述第一子供气支路第一端的端部形成为所述第一进气口，所述第一子供气支路第二端的端部与所述第一接口连通；所述第二子供气支路第一端的端部与所述第二接口连通，所述第二子供气支路第二端的端部形成为所述第一排气口。
3.根据权利要求2所述的鼓泡供应系统，其特征在于，所述第一子供气支路设置有第一阀门组，所述第一阀门组包括设置于所述第一子供气支路的第二端的第一隔离阀；所述第二子供气支路设置有第二阀门组，所述第二阀门组包括设置于所述第二子供气支路的第一端的第二隔离阀。
4.根据权利要求3所述的鼓泡供应系统，其特征在于，所述供液支路包括第一子供液支路和第二子供液支路；所述液罐的顶部还形成有第三接口；所述第一子供液支路第一端的端部形成为所述进液口，所述第一子供液支路的第二端与所述第三接口连通；所述第二子供液支路的第一端与所述第二子供气支路连通，并且所述第二子供液支路的第一端位于所述第二隔离阀远离所述第二接口的一端；所述第二子供液支路第二端的端部形成为所述第二排气口。
5.根据权利要求4所述的鼓泡供应系统，其特征在于，所述第一子供液支路和所述第二子供液支路分别设置有第三阀门组和第四阀门组...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯建，
申请(专利权)人：鸿舸半导体设备上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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