【技术实现步骤摘要】
本公开涉及碳化硅生长，尤其涉及一种长晶装置及pvt法生长碳化硅系统。
技术介绍
1、碳化硅(sic)作为第三代宽带隙半导体材料具有优异的电、热性能，其已经成为制作高温、高频、大功率、高压电子器件的理想材料；用碳化硅单晶衬底所制备的功率器件被广泛的应用于新能源汽车、高压输电、led照明、5g和航天航空等领域。
2、目前，工业上一般使用中频感应加热或者电阻加热式的pvt生长系统，该过程中将碳化硅籽晶粘接在籽晶承台上，在高温气氛环境下进行长晶。
3、但是，粘接的效果取决于操作者的水平，若是粘接不良会造成籽晶背面不同程度的刻蚀，影响导热继而影响长晶质量。
技术实现思路
1、本公开所要解决的一个技术问题是：现有碳化硅生长过程中籽晶的粘接影响长晶质量的问题。
2、为解决上述技术问题，本公开实施例提供一种长晶装置，其包括：
3、坩埚，坩埚具有容纳空间和可拆卸的上盖；
4、导流环，导流环的轴向平行坩埚的轴向且可拆卸地设置于容纳空间内，导流环上朝向上盖的上环口处设有第一台阶面，第一台阶面所在的环形的口径小于上环口的口径且第一台阶面低于上环口的端面，以形成第一承托平面，用于承托籽晶。
5、在一些实施例中，前述的长晶装置，其还包括限位部；
6、限位部可拆卸地套接于导流环的上环口，以在第一台阶面和限位部之间形成容纳空间，以使限位部和第一台阶面配合容纳并夹持籽晶。
7、在一些实施例中，前述的长晶装置，其中限位部包
8、压环用于活动套接于导流环的上环口；
9、夹持件设置于压环的中心位置，夹持件用于贴合籽晶。
10、在一些实施例中，前述的长晶装置，其中夹持件为相对于导流环的轴心呈中心对称形状的板体，夹持件通过若干连杆接于压环内壁。
11、在一些实施例中，前述的长晶装置，其中夹持件包括夹持环和夹持网格；
12、夹持环相对于导流环的轴心呈中心对称形状，夹持环通过若干连杆接于压环内壁；
13、夹持网格设置于夹持环内。
14、在一些实施例中，前述的长晶装置，其中压环沿其轴向具有第一表面和第二表面，夹持件至少在压环的轴向上与第一表面具有指定距离；
15、导流环的上环口处设有第二台阶面，第二台阶面所在的环形的口径大于上环口的口径且第二台阶面低于上环口的端面，以形成第二承托面，用于贴合并支撑压环的第一表面。
16、在一些实施例中，前述的长晶装置，其中导流环的上环口和下环口之间的环壁倾斜设置，以使上环口的口径小于下环口的口径。
17、在一些实施例中，前述的长晶装置，其中坩埚的内侧壁和/或内底壁上设有第一定位件；
18、导流环上设有与第一定位件相适配的第二定位件，以使导流环能够可拆卸地设置于容纳空间内。
19、在一些实施例中，前述的长晶装置，其中导流环为石墨制得；和/或
20、导流环的外露面上均设有碳化钽涂层。
21、本申请第二方面实施例提供一种pvt法生长碳化硅系统，其包括至少一前述的长晶装置。
22、通过上述技术方案，本公开提供的长晶装置，在坩埚内设置可拆卸的导流环作为籽晶的承托结构，避免将籽晶粘接在坩埚的上盖上；同时在导流环的上环口处设置第一承托平面对籽晶的边缘进行承托，实现籽晶在坩埚内的稳定设置同时还能够保持籽晶中心的悬置状态，由导流环的下环口向上环口进行高温气氛的流通，保证高温气氛与籽晶的充分接触，提高长晶质量；有效解决现有碳化硅生长过程中籽晶的粘接影响长晶质量的问题。
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1.一种长晶装置，其特征在于，其包括：
2.根据权利要求1所述的长晶装置，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的长晶装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的长晶装置，其特征在于：
5.根据权利要求3所述的长晶装置，其特征在于：
6.根据权利要求3所述的长晶装置，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的长晶装置，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的长晶装置，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的长晶装置，其特征在于：
10.一种PVT法生长碳化硅系统，其特征在于，其包括：至少一权利要求1-9任一所述的长晶装置。
【技术特征摘要】
1.一种长晶装置，其特征在于，其包括：
2.根据权利要求1所述的长晶装置，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的长晶装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的长晶装置，其特征在于：
5.根据权利要求3所述的长晶装置，其特征在于：
6.根据权利要求3所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐峰，翟虎，孙金梅，
申请(专利权)人：北京旭灿半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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