本公开提供一种长晶装置及PVT法生长碳化硅系统。长晶装置包括坩埚和导流环，坩埚具有容纳空间和可拆卸的上盖；导流环的轴向平行坩埚的轴向且可拆卸地设置于容纳空间内，导流环上朝向上盖的上环口处设有第一台阶面，第一台阶面所在的环形的口径小于上环...

本发明涉及碳化硅制备领域，公开了一种碳化硅晶体制备方法和碳化硅晶体生长装置及其应用。该方法在碳化硅晶体生长装置中进行，所述碳化硅晶体生长装置包括：籽晶托，所述籽晶托包括籽晶托本体和设于所述籽晶托本体下方的阶梯构件；所述阶梯构件的内侧呈台...

本申请涉及晶体制备技术领域，公开了一种碳化硅晶体生长装置及长晶方法，本申请提供的碳化硅晶体生长装置，通过将籽晶托盖设在坩埚的开口部，籽晶托底部朝向碳化硅原料设置有碳化硅籽晶；使籽晶托局部凹陷形成有控温腔，控温腔沿径向环绕设置于碳化硅籽晶...

本发明公开一种PVT法制备碳化硅晶锭的调温长晶炉，涉及碳化硅晶体生长技术领域。PVT法制备碳化硅晶锭的调温长晶炉包括长晶炉本体、保温结构和冷却结构。长晶炉本体内具有长晶空间，长晶空间用于放置坩埚；保温结构设置于长晶炉本体内，且包裹长晶空...