一种紫外非线性光学CLBO晶体助熔剂及晶体生长方法技术

本发明专利技术公开了一种紫外非线性光学CLBO晶体助熔剂及晶体生长方法。采用LiVO<subgt;3</subgt;作为助熔剂，一方面LiVO<subgt;3</subgt;助熔剂可以有效打断B‑O键链，降低硼酸盐熔体的粘度(小于500cP)，降低晶体生长温度(650‑678℃)，大大减少高温溶液的挥发，且不会引入杂质离子到晶体中，提高了晶体光学质量，同时溶液透明，生长期间可以实时观察，挥发极小，不产生漂晶；采用合适生长工艺，生长出尺寸为84mm×82mm×52mm完全透明的高光学质量CLBO晶体，晶体透过率，从深紫外波段晶体透过率波段到近红外波段，210nm‑1100nm不小于90％，抗激光损伤阈值达到10.98J/cm<supgt;2</supgt;@1ns,355nm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体生长，具体涉及一种紫外非线性光学clbo晶体助熔剂及晶体生长方法。

技术介绍

1、硼酸铯锂(cslib6o10,简称clbo)晶体是一种非常重要的新型紫外非线性光学晶体，透光范围180-2750nm，可用于钕激光四倍频(fhg)获得266nm、五倍频(5hg)获得213nm和差频(sfg)获得至193nm真空紫外波长。该晶体具有高抗激光损伤阈值、较低的紫外吸收、较小的走离角、较大的可接受角度、较大的温度带宽和光谱带宽，特别在四倍频和五倍频大功率紫外、紫外/深紫外固体激光器领域有着的广阔的应用前景。

2、clbo晶体为同成分熔融化合物，一般按照下面的方程进行合成：

3、cs2co3+li2co3+12h3bo3→2cslib6o10+2co2↑+18h2o↑

4、由于高温熔体中的cs2o挥发性强，采用提拉法生长clbo晶体存在着一定的困难。一般采用熔体法和助熔剂法生长。

5、熔体法和助熔剂法生长clbo晶体，由于体系的粘度较大(大于1000cp)，导致生长的边界层过厚、质量输运不畅，给晶体生长本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种紫外非线性光学CLBO晶体助熔剂，其特征在于，所述助熔剂为LiVO3。

2.一种紫外非线性光学CLBO晶体的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的紫外非线性光学CLBO晶体的生长方法，其特征在于，晶体生长炉内的溶液温度梯度从液面中心向下为-0.1℃/cm～-0℃/cm，温度梯度为平坦梯度～负梯度。

【技术特征摘要】

1.一种紫外非线性光学clbo晶体助熔剂，其特征在于，所述助熔剂为livo3。

2.一种紫外非线性光学clbo晶体的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈建荣，肖亚波，王国影，韩加红，
申请(专利权)人：中材人工晶体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：