【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及覆铜板或集流膜，尤其涉及一种聚醚醚酮/cu复合薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
1、近年来，随着3c产品、新能源汽车等产业等迅猛发展，各类电子产品提出轻薄化、多功能化的发展路径，要求电子电路更高密度集成及更高承载功率。作为印制电路板基础材料的挠性覆铜板(flexible copper clad laminate，fccl)因其具有轻薄、可挠曲等优点，目前广泛应用于手机、平板、液晶显示器等领域。与此同时，二次电池的快速发展，需要更薄、导电率更高的集流cu薄膜(cu箔)。无论是集成电路用覆铜板，还是二次电池用集流膜，目前都可以用聚酰亚胺/cu薄膜来实现。由于聚醚醚酮比聚酰亚胺具有更好的强度与塑性、抗电压击穿能力，以及超薄膜成型能力(目前可以在实验室实现3微米厚度的peek薄膜)，可以替代聚酰亚胺薄膜，实现新型的peek/cu薄膜型覆铜板或二次电池用集流膜。
2、当前，复合薄膜一般采用溅射-电镀法，即在聚酰亚胺等基体薄膜上先通过磁控溅射沉积cu膜，然后再用电镀法沉积cu膜，使其加厚。溅镀法有表面平滑性高及可形成薄层导体的优点，然而它的剥离强度和绝缘可靠性稍差，电镀对环境造成污染，基体和cu膜之间界面结合力小。
3、分析国内外已发表的论文和专利，研究人员对如何提高有机聚合物/cu膜之间的结合力、增大结合强度做了很多研究，例如使用化学处理、电晕处理、低压等离子体处理基体薄膜，以上方法在一定程度上都可以提高cu/有机聚合物的界面结合力，但其成本较高、具有环境污染、和产品生产效率低等问题，且制备的复合薄
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种聚醚醚酮/cu复合薄膜及其制备方法和应用。本专利技术提供的制备方法制备的复合薄膜之间具有优异的结合力，且方法简单、成本低、效率高。
2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种聚醚醚酮/cu复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
4、(1)在聚醚醚酮薄膜的单面或双面进行磁控溅射过渡层，得到单面或双面过渡层包覆聚醚醚酮薄膜；所述过渡层包括al层、ti层、cr层、al-ti合金层、al-cr合金层、ti-cr合金层或al-ti-cr合金层；
5、(2)在所述步骤(1)得到的单面或双面过渡层包覆聚醚醚酮薄膜的过渡层表面进行磁控溅射铜层，得到聚醚醚酮/cu复合薄膜。
6、优选地，所述步骤(1)中聚醚醚酮薄膜的厚度为1～50μm。
7、优选地，所述步骤(1)中过渡层的厚度为2～100nm。
8、优选地，所述步骤(1)中磁控溅射的背底真空度＜1×10-3pa，磁控溅射的ar压力为0.1～2pa，磁控溅射速率为10～100nm/min。
9、优选地，所述步骤(2)中铜层的厚度为1～10μm。
10、优选地，所述步骤(2)中磁控溅射的背底真空度＜1×10-3pa，磁控溅射的ar压力为0.1～2pa，磁控溅射速率为50～2000nm/min。
11、优选地，所述步骤(2)中磁控溅射时还施加偏压。
12、优选地，所述偏压为50～500v。
13、本专利技术提供了上述技术方案所述制备方法制备得到的聚醚醚酮/cu复合薄膜。
14、本专利技术还提供了上述技术方案所述聚醚醚酮/cu复合薄膜作为挠性覆铜板或二次电池集流膜的应用。
15、本专利技术提供了一种聚醚醚酮/cu复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
16、(1)在聚醚醚酮薄膜的单面或双面进行磁控溅射过渡层，得到单面或双面过渡层包覆聚醚醚酮薄膜；所述过渡层包括al层、ti层、cr层、al-ti合金层、al-cr合金层、ti-cr合金层或al-ti-cr合金层；(2)在所述步骤(1)得到的单面或双面过渡层包覆聚醚醚酮薄膜的过渡层表面进行磁控溅射铜层，得到聚醚醚酮/cu复合薄膜。本专利技术在聚醚醚酮薄膜的单面或双面磁控溅射过渡层和cu层，并控制过渡层的具体种类，采用高活性的al、ti、cr或其合金，既能够与聚醚醚酮薄膜中的官能团形成化学键，又能够与cu层形成冶金结合，从而提高聚醚醚酮和cu之间的结合力，且制备方法简单、效率高、没有环境污染。实施例的结果显示，本专利技术制备的复合薄膜的剥离强度＞16.76n/cm，超过电子行业要求。
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1.一种聚醚醚酮/Cu复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中聚醚醚酮薄膜的厚度为1～50μm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中过渡层的厚度为2～100nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中磁控溅射的背底真空度＜1×10-3Pa，磁控溅射的Ar压力为0.1～2Pa，磁控溅射速率为10～100nm/min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中铜层的厚度为1～10μm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中磁控溅射的背底真空度＜1×10-3Pa，磁控溅射的Ar压力为0.1～2Pa，磁控溅射速率为50～2000nm/min。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中磁控溅射时还施加偏压。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述偏压为50～500V。
9.权利要求1～8任意一项所述制备方
10.权利要求9所述聚醚醚酮/Cu复合薄膜作为挠性覆铜板或二次电池集流膜的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种聚醚醚酮/cu复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中聚醚醚酮薄膜的厚度为1～50μm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中过渡层的厚度为2～100nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中磁控溅射的背底真空度＜1×10-3pa，磁控溅射的ar压力为0.1～2pa，磁控溅射速率为10～100nm/min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中铜层的厚度为1～10μ...
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