【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料表面处理，具体涉及一种金属材料阳极氧化涂层的封孔方法。
技术介绍
1、半导体是现代信息技术发展的重要支柱，在集成电路制造产业中，等离子体刻蚀、光刻、薄膜沉积是半导体制备的核心制造设备。其中，等离子体刻蚀和薄膜沉积设备由于铝合金比强度高、热传导性能优异，被广泛用于制造真空腔室、机械臂、气体分配板等部件。然而，在半导体制造的刻蚀和薄膜沉积过程中，由于大量使用f、cl、br等含卤素元素的腐蚀性气体，这些腐蚀性气体会引发设备腔室中铝合金部件的腐蚀，并且其腐蚀产物剥离形成的颗粒会污染晶圆，降低芯片的良品率，因此需要特别关注真空腔室中各部件的腐蚀问题。
2、目前，一般采用表面改性处理，以提高真空腔室中各部件的耐腐蚀性能。阳极氧化作为一种成熟的表面处理技术，由于其成本低廉且可快速大批量生产，被广泛用于铝、镁、钛等金属材料的表面改性。例如，将铝合金置于硫酸、草酸溶液等电解液中，施加适当的阳极氧化处理参数，可形成具有纳米管结构的多孔性氧化铝膜层，随阳极氧化电压的提高，多孔氧化铝膜层的厚度可由几微米增大至数百微米。由于阳极氧化...
【技术保护点】
1.一种金属材料阳极氧化涂层的封孔方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的金属材料阳极氧化涂层的封孔方法，其特征在于，S2中，确定用于真空浸渍的金属盐溶液的条件是：
3.根据权利要求1所述的金属材料阳极氧化涂层的封孔方法，其特征在于，筛选出在近中性条件下具有沉积形成氧化物或氢氧化物倾向的金属离子，具体是：
4.根据权利要求1所述的金属材料阳极氧化涂层的封孔方法，其特征在于，筛选出对应的氧化物或氢氧化物与氢离子、卤化氢气体反应倾向相对较小的金属离子，具体是：
5.根据权利要求1所述的金属材料阳极氧化涂层的...
【技术特征摘要】
1.一种金属材料阳极氧化涂层的封孔方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的金属材料阳极氧化涂层的封孔方法，其特征在于，s2中，确定用于真空浸渍的金属盐溶液的条件是：
3.根据权利要求1所述的金属材料阳极氧化涂层的封孔方法，其特征在于，筛选出在近中性条件下具有沉积形成氧化物或氢氧化物倾向的金属离子，具体是：
4.根据权利要求1所述的金属材料阳极氧化涂层的封孔方法，其特征在于，筛选出对应的氧化物或氢氧化物与氢离子、卤化氢气体反应倾向相对较小的金属离子，具体是：
5.根据权利要求1所述的金属材料阳极氧化涂层的封孔方法，其特征在于，筛选出对应的卤化物气化倾向相对较小的金属离子，具体是：
6.根据权利要求1所述的金属材料阳极氧化涂层的封孔方法，其特征在于，s2中，所述金属盐溶液为具有至少一种金属离子作为阳...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宇航，赵阳，沈永乐，张涛，王福会，
申请(专利权)人：东北大学，
类型：发明
国别省市：
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