【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种栅氧厚度监测方法。
技术介绍
1、为了高密度，高速度，低功耗，mos的特征尺寸不断按比例缩小；与此同时，为了抑制短沟道效应，栅氧化层的厚度也不断降低，使得栅漏电流产生的功耗越来越受到重视,因此监测mos器件栅氧化层的电学厚度十分重要。业界普遍采用c-v特性曲线监测栅氧厚度tox,即 tox＝ε*s/cox，cox为栅氧电容＝ctotal(积累或反型)-cbeol，平面28hk采用rm aa的方法监测cbeol，但finfet平台一方面连接有源区的金属层m0a会深入sti过深(m0a块状)，另一方面finfet独特的结构使其cof(栅极侧壁与金属层m0a的电容)相对平面mos要大很多，因此rm aa与真实结构相差较大，监测出来的栅氧厚度tox误差也较大。因此提出一种准确监测栅氧厚度tox的方法至关重要。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种栅氧厚度监测方法，用于解决现有技术中监测栅氧厚度不准确的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种栅氧厚度监测方法，至少包括：
3、步骤一、提供器件结构，所述器件结构包括栅极结构、位于所述栅极结构下的栅氧层、源漏区以及基区；
4、步骤二、在所述栅极结构上施加电压在-vdd附近变化的交流电压，该交流电压的变化范围为以-vdd为中心的-30mv～+30mv；其中vdd为工作电压；-vdd表示加在所述栅极结构上的电压使得源漏区之
5、步骤三、根据电容-电压测试方法得到所述栅氧层的电容cox；
6、步骤四、根据公式tox＝ε*s/cox得到所述栅氧层的厚度，其中tox表示为所述栅氧层的厚度，ε为介电常数；s表示为所述栅氧层覆盖在所述p阱上的面积。
7、优选地，步骤一中的所述器件结构还包括：衬底；位于所述衬底上的p阱；所述栅氧层位于所述p阱上表面；所述栅极结构位于所述栅氧层之上；所述栅极结构的侧壁设有侧墙；所述栅极结构两侧的p阱内分别设有n+区，所述n+区形成所述源漏区；所述p阱内还设有p+区，所述p+区形成所述基区。
8、优选地，步骤一中的所述n+区、p+区上以及所述栅极结构上分别设有金属结构。
9、优选地，步骤一中所述n+区上的金属结构包括与所述n+区接触的金属线m0a；位于所述金属线m0a上的绝缘介质；所述绝缘介质上设有第一金属线m1；所述栅极结构和所述p+区上的金属线包括分别直接与所述栅极结构和所述p+区接触的金属线m0a；位于所述金属线m0a 上的填充有金属的第一通孔；位于所述第一通孔上的第一金属线m1。
10、优选地，步骤三中通过wat测试在所述基区收集得到所述栅氧层的电容cox。
11、优选地，步骤二中通过在所述栅极结构上的所述第一金属线m1施加电压-vdd；通过所述源漏区上的所述第一金属线m1将所述源漏区接地；通过所述基区上的所述第一金属线m1在所述基区上施加接近0电位的电压信号。
12、如上所述，本专利技术的栅氧厚度监测方法，具有以下有益效果：本专利技术提出了一种基于 finfet平台栅氧厚度监测方法，测得的栅氧层电容较为纯粹，可以较为准确地监测栅氧层厚度,避免了传统方法带来的误差，简单可行，容易实现。
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1.一种栅氧厚度监测方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的栅氧厚度监测方法，其特征在于：步骤一中的所述器件结构还包括：衬底；位于所述衬底上的P阱；所述栅氧层位于所述P阱上表面；所述栅极结构位于所述栅氧层之上；所述栅极结构的侧壁设有侧墙；所述栅极结构两侧的P阱内分别设有N+区，所述N+区形成所述源漏区；所述P阱内还设有P+区，所述P+区形成所述基区。
3.根据权利要求2所述的栅氧厚度监测方法，其特征在于：步骤一中的所述N+区、P+区上以及所述栅极结构上分别设有金属结构。
4.根据权利要求3所述的栅氧厚度监测方法，其特征在于：步骤一中所述N+区上的金属结构包括与所述N+区接触的金属线M0A；所述金属线M0A上设有绝缘介质；位于所述绝缘介质上的第一金属线M1；所述栅极结构和所述P+区上的金属线包括分别直接与所述栅极结构和所述P+区接触的金属线M0A；位于所述金属线M0A上的填充有金属的第一通孔；位于所述第一通孔上的第一金属线M1。
5.根据权利要求1所述的栅氧厚度监测方法，其特征在于：步骤三中通过WAT测试在所述基区收集得
6.根据权利要求1所述的栅氧厚度监测方法，其特征在于：步骤二中通过在所述栅极结构上的所述第一金属线M1施加电压-Vdd；通过所述源漏区上的所述第一金属线M1将所述源漏区接地；通过所述基区上的所述第一金属线M1在所述基区上施加接近0电位的电压信号。
...【技术特征摘要】
1.一种栅氧厚度监测方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的栅氧厚度监测方法，其特征在于：步骤一中的所述器件结构还包括：衬底；位于所述衬底上的p阱；所述栅氧层位于所述p阱上表面；所述栅极结构位于所述栅氧层之上；所述栅极结构的侧壁设有侧墙；所述栅极结构两侧的p阱内分别设有n+区，所述n+区形成所述源漏区；所述p阱内还设有p+区，所述p+区形成所述基区。
3.根据权利要求2所述的栅氧厚度监测方法，其特征在于：步骤一中的所述n+区、p+区上以及所述栅极结构上分别设有金属结构。
4.根据权利要求3所述的栅氧厚度监测方法，其特征在于：步骤一中所述n+区上的金属结构包括与所述n+区接触的金属线m...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷海波，杨星梅，轩慎龙，刘巍，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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