半导体结构及其制备方法、存储器及其制备方法技术

本公开实施例提供一种半导体结构、存储器、半导体结构的制备方法及存储器的制备方法，其中，半导体结构包括：沿第一方向间隔设置的多个晶体管层；其中，每一所述晶体管层均包括沿第二方向依次排列的多个晶体管；每一所述晶体管包括有源柱和栅极；每一所述有源柱包括沿第三方向依次连接的源极、沟道和漏极，每一所述晶体管中的栅极环绕所述晶体管中有源柱的沟道；每一所述晶体管层中各晶体管的有源柱，与在所述第一方向上同所述晶体管层相邻的晶体管层中各晶体管的有源柱，沿所述第一方向上的投影是相互错位的；所述第一方向、所述第二方向、所述第三方向两两相交。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，本公开涉及但不限于一种半导体结构、存储器、半导体结构的制备方法及存储器的制备方法。

技术介绍

1、在半导体集成电路中，晶体管起到控制电路的作用。例如，在动态随机存储器(dyna mic ra nd om access memory，简称dram)中，晶体管与电容连接，通过晶体管可以控制对电容内存储的数据的读取或者写入。

2、在半导体产品中，多个晶体管可以呈阵列排布。然而，相关技术中，阵列排布的晶体管之间的寄生电容较大。在超大规模集成电路中，为保证晶体管的电学性能，晶体管排布密度通常较低，从而导致半导体集成电路的集成度不够高。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构、存储器、半导体结构的制备方法及存储器的制备方法，至少用于改善晶体管之间的寄生电容，提高晶体管的性能，从而为晶体管之间排布密度的增大提供可能性，进而可以支持半导体集成电路集成度的提升。

2、本公开实施例提供一种半导体结构，包括：

3、沿第一方向间隔设置的多个晶体管层；其中，...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每一所述晶体管层中各晶体管的有源柱，与在所述第一方向上同所述晶体管层相邻的晶体管层中各晶体管的有源柱，沿所述第一方向上的投影是无重叠的。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每一所述晶体管层中各晶体管的有源柱，与在所述第一方向上同所述晶体管层相邻的晶体管层中各晶体管的有源柱，沿所述第一方向上的投影是部分重叠的。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管层包括沿所述第一方向相邻的第一晶体管层和第二晶体管层，所述第一晶体管层中各晶体管的有源...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每一所述晶体管层中各晶体管的有源柱，与在所述第一方向上同所述晶体管层相邻的晶体管层中各晶体管的有源柱，沿所述第一方向上的投影是无重叠的。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每一所述晶体管层中各晶体管的有源柱，与在所述第一方向上同所述晶体管层相邻的晶体管层中各晶体管的有源柱，沿所述第一方向上的投影是部分重叠的。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管层包括沿所述第一方向相邻的第一晶体管层和第二晶体管层，所述第一晶体管层中各晶体管的有源柱沿所述第一方向上的投影与所述第二晶体管层中各晶体管的有源柱沿所述第一方向上的投影相重叠的面积为第一面积；所述第一晶体管层中各晶体管的有源柱沿所述第一方向上的投影的面积为第二面积；所述第一面积与所述第二面积之比小于或等于1/3。

5.一种存储器，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：

7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述半导体结构包括沿所述第一方向相邻的第一晶体管层和第二晶体管层，与所述第一晶体管层中的有源柱连接的电容为第一电容，与所述第二晶体管层中的有源柱连接的电容为第二电容；所述第一电容与所述第二电容沿所述第一方向上的投影是无重叠的；

8.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述半导体结构包括沿所述第一方向相邻的第一晶体管层和第二晶体管层，与所述第一晶体管层中的有源柱连接的电容为第一电容，与所述第二晶体管层中的有源柱连接的电容为第二电容；所述第一电容与所述第二电容沿所述第一方向上的投影是部分重叠的；

9.根据权利要求5至6中任一项所述的存储器，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵光速，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：