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本公开实施例提供一种半导体结构、存储器、半导体结构的制备方法及存储器的制备方法，其中，半导体结构包括：沿第一方向间隔设置的多个晶体管层；其中，每一所述晶体管层均包括沿第二方向依次排列的多个晶体管；每一所述晶体管包括有源柱和栅极；每一所述有源...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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