本公开提供了用于处理包含SiC表面的基板的装置、方法以及真空处理系统，用于处理包含SiC表面的基板的装置，包括：处理容器，处理容器包括：第一壳体；第二壳体，与第一壳体相配合，以形成容纳空间；承载结构，设置在容纳空间内，用于承载包含SiC表面的基板，以将容纳空间分隔成第一空间和第二空间，其中，第一壳体用于在加热情况下在第一空间内产生Si气氛。
【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别涉及一种用于处理包含sic表面的基板的装置、方法以及半导体真空处理系统。
技术介绍
1、sic(碳化硅)在芯片制造
中具有广泛的应用。与同样应用于芯片制造的氮化镓相比，且sic具有更强的导热能力、器件寿命更长、可靠性更高、系统所需的散热系统更小等优势。另外，由于sic具有较高的禁带宽度，sic功率器件可以承受较高的电压和功率，在同样条件下，与硅基器件相比，sic器件体积可以更小、电阻更低、能量损失也更低。因此，目前的第三代半导体普遍采用sic作为衬底材料。
2、sic外延片的生产制造对于稳定性要求较高，国内企业在全球市场占有率仅有10％左右，且主要集中在4英寸的领域，大尺寸sic外延片制作困难。同时，作为衬底的sic晶圆切割抛光后会产生表面损伤、缺陷等问题，使得其不能够直接被使用，需要在其上外延sic才能使用，制作处理工艺复杂，外延操作难度高，生产成本较高。另外，sic外延片的耐压程度越高，其所需的外延层就越厚，这进一步提高了外延工艺难度，使得sic外延片成品率低，质量较差。
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【技术保护点】
1.一种用于处理包含SiC表面的基板的装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于处理包含SiC表面的基板的装置，其特征在于，所述承载结构包括设置在所述第一壳体或所述第二壳体上的承载表面。
3.根据权利要求2所述的用于处理包含SiC表面的基板的装置，其特征在于，所述承载结构包括设置在所述第一壳体和所述第二壳体之间的承载环，所述承载环与所述第一壳体和所述第二壳体相配合，形成所述容纳空间，所述承载环包括位于所述容纳空间内的承载表面。
4.根据权利要求1所述的用于处理包含SiC表面的基板的装置，其特征在于，所述第一壳体包括Ta盖，用于在加热情况下在...
【技术特征摘要】
1.一种用于处理包含sic表面的基板的装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于处理包含sic表面的基板的装置，其特征在于，所述承载结构包括设置在所述第一壳体或所述第二壳体上的承载表面。
3.根据权利要求2所述的用于处理包含sic表面的基板的装置，其特征在于，所述承载结构包括设置在所述第一壳体和所述第二壳体之间的承载环，所述承载环与所述第一壳体和所述第二壳体相配合，形成所述容纳空间，所述承载环包括位于所述容纳空间内的承载表面。
4.根据权利要求1所述的用于处理包含sic表面的基板的装置，其特征在于，所述第一壳体包括ta盖，用于在加热情况下在所述第一空间内产生si气氛，并且用于吸附所述第一空间内的c。
5.根据权利要求4所述的用于处理包含sic表面的基板的装置，其特征在于，
6.根据权利要求1-5中任一项所述的用于处理包含sic表面的基板的装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢斌平，
申请(专利权)人：费勉仪器科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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