【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路中扰动毛刺防护，尤指一种毛刺防护电路和预驱动芯片。
技术介绍
1、高侧驱动（高边驱动）是指所驱动的外部负载为电源侧的场效应晶体管；低侧驱动（低边驱动）是所驱动的外部负载为gnd侧的场效应晶体管。很多高侧驱动电路输出电压大于50v，所驱动的场效应晶体管的导通电流通常能达到数安培的量级。同时在高电压predriver（预驱动）芯片里面通常存在浮动衬底的高压隔离环，高侧的驱动电路都位于有着浮动的高压隔离衬底的隔离环内。所以在predriver芯片驱动功率mosfet导通时，predriver芯片的高侧电路衬底和高侧输出有着很大的电压摆幅和很大的电压变化率（slew rate），这样就比较容易对predriver芯片高侧的驱动电路有很大的扰动。如果在predriver芯片高压侧信号链路上有异常扰动产生的脉冲，可能会导致高压侧输出失效或异常。
技术实现思路
1、本申请提供毛刺防护电路和预驱动芯片，以期对基于预驱动芯片的高压侧前置电路的毛刺扰动信号进行屏蔽。
2、第一方面，提供一种高侧扰动毛刺防护电路，用于对基于预驱动芯片的高压侧前置电路的毛刺扰动信号进行屏蔽，包括：比较电路，比较电路的两个输入端分别用于接收参考信号和预驱动芯片的高压侧输出，在预驱动芯片的高压侧输出大于参考信号时输出高电平，在预驱动芯片的高压侧输出小于参考信号时输出低电平；第一锁存器，第一锁存器的s端口接收前置电路的置位信号，第一锁存器的r端口与比较电路的输出端连接，使置位信号由低电平跳变为高电平
3、在一种实现中，比较电路包括电压比较器，电压比较器的正相输入端与预驱动芯片的高压侧输出端连接，电压比较器的反相输入端接收参考信号，电压比较器的输出端与第一锁存器的r端口连接。
4、进一步的，参考信号由预驱动芯片的高压侧的电源电压分压产生；或，参考信号为预设电压。
5、在一种实现中，参考信号等于或略小于预驱动芯片的高压侧的电源电压。
6、在一种实现中，毛刺防护电路还包括延时电路，延时电路连接在比较电路和第一锁存器之间，使比较电路的输出信号到达第一锁存器的时间延长。
7、进一步的，延时电路包括延时器，延时器连接在比较电路和第一锁存器之间，使屏蔽信号的脉宽根据延时器的预设延时延长预设宽度。
8、进一步的，延时电路包括电阻-电容电路，电阻-电容电路连接在比较电路和第一锁存器之间，屏蔽信号的脉宽与电阻-电容电路中电阻值和电容值成正相关。
9、进一步的，延时电路可以是数字逻辑电路延时，比如反相器级联形成的缓冲器。反相器是一种电路元件，能够将输入信号的极性进行反转，即当输入为高电平时，输出为低电平，反之亦然。通过将偶数个反相器级联，可以实现信号的放大和衰减，同时保持输出信号与输入信号的相位关系。通过设计每级反相器的增益和阻抗及所驱动负载，可实现所需的延时的需求。
10、在一种实现中，信号屏蔽电路包括第一反相器和与门，第一反相器的输入端连接第一锁存器的输出端，与门的输入端接收第一反相器的输出信号和复位信号，与门的输出端连接驱动电路的复位端口。
11、在一种实现中，信号屏蔽电路包括第二反相器、传输门和n型场效应管，第一锁存器的输出端连接第二反相器的输入端、传输门的反相控制端和n型场效应管的栅极，第二反相器的输出端连接传输门的控制端，传输门的输出端和n型场效应管的漏极连接驱动电路的复位端口。
12、第二方面，提供一种预驱动芯片，包括驱动电路和以上第一方面任一项提供的毛刺防护电路，驱动电路包括第二锁存器和驱动电路模块；其中：第二锁存器的s端口接收置位信号，第二锁存器的r端口与毛刺防护电路的输出端连接，第二锁存器的q端口连接驱动电路模块的输入端，预驱动芯片的输出端连接毛刺防护电路的输入端；驱动电路模块的输出端与场效应管连接，场效应管与电机连接，用于电机驱动。
13、综上，本申请提供的毛刺防护电路和预驱动芯片至少具备以下有益效果：
14、（1）屏蔽了基于预驱动芯片的高压侧前置电路中可能产生的毛刺扰动信号，保护电路安全。
15、（2）在保护电路安全的同时不影响电路工作效率，即不降低电压转换速率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种毛刺防护电路，其特征在于，用于对基于预驱动芯片的高压侧前置电路的毛刺扰动信号进行屏蔽，包括：
2.根据权利要求1所述的毛刺防护电路，其特征在于，所述比较电路包括电压比较器，所述电压比较器的正相输入端与所述预驱动芯片的高压侧输出端连接，所述电压比较器的反相输入端接收所述参考信号，所述电压比较器的输出端与所述第一锁存器的R端口连接。
3.根据权利要求2所述的毛刺防护电路，其特征在于，所述参考信号由所述预驱动芯片的高压侧的电源电压分压产生；或，所述参考信号为预设电压。
4.根据权利要求1-3任一项所述的毛刺防护电路，其特征在于，所述参考信号等于或略小于所述预驱动芯片的高压侧的电源电压。
5.根据权利要求1所述的毛刺防护电路，其特征在于，还包括延时电路，所述延时电路连接在所述比较电路和所述第一锁存器之间，使所述比较电路的输出信号到达所述第一锁存器的时间延长。
6.根据权利要求5所述的毛刺防护电路，其特征在于，所述延时电路包括延时器，所述延时器连接在所述比较电路和所述第一锁存器之间，使所述屏蔽信号的脉宽根据所述延时器的预设
7.根据权利要求5所述的毛刺防护电路，其特征在于，所述延时电路包括电阻-电容电路或数字逻辑电路，所述电阻-电容或数字逻辑电路连接在所述比较电路和所述第一锁存器之间，所述屏蔽信号的脉宽与所述电阻-电容电路中电阻值和电容值或数字逻辑电路信号传输延迟成正相关。
8.根据权利要求1所述的毛刺防护电路，其特征在于，所述信号屏蔽电路包括第一反相器和与门，所述第一反相器的输入端连接所述第一锁存器的输出端，所述与门的输入端接收所述第一反相器的输出信号和所述复位信号，所述与门的输出端连接所述驱动电路的复位端口。
9.根据权利要求1所述的毛刺防护电路，其特征在于，所述信号屏蔽电路包括第二反相器、传输门和N型场效应管，所述第一锁存器的输出端连接所述第二反相器的输入端、所述传输门的反相控制端和所述N型场效应管的栅极，所述第二反相器的输出端连接所述传输门的控制端，所述传输门的输出端和所述N型场效应管的漏极连接所述驱动电路的复位端口。
10.一种预驱动芯片，其特征在于，包括驱动电路和权利要求1-9任一项所述的毛刺防护电路，所述驱动电路包括第二锁存器和驱动电路模块；其中：
...【技术特征摘要】
1.一种毛刺防护电路，其特征在于，用于对基于预驱动芯片的高压侧前置电路的毛刺扰动信号进行屏蔽，包括：
2.根据权利要求1所述的毛刺防护电路，其特征在于，所述比较电路包括电压比较器，所述电压比较器的正相输入端与所述预驱动芯片的高压侧输出端连接，所述电压比较器的反相输入端接收所述参考信号，所述电压比较器的输出端与所述第一锁存器的r端口连接。
3.根据权利要求2所述的毛刺防护电路，其特征在于，所述参考信号由所述预驱动芯片的高压侧的电源电压分压产生；或，所述参考信号为预设电压。
4.根据权利要求1-3任一项所述的毛刺防护电路，其特征在于，所述参考信号等于或略小于所述预驱动芯片的高压侧的电源电压。
5.根据权利要求1所述的毛刺防护电路，其特征在于，还包括延时电路，所述延时电路连接在所述比较电路和所述第一锁存器之间，使所述比较电路的输出信号到达所述第一锁存器的时间延长。
6.根据权利要求5所述的毛刺防护电路，其特征在于，所述延时电路包括延时器，所述延时器连接在所述比较电路和所述第一锁存器之间，使所述屏蔽信号的脉宽根据所述延时器的预设延时延长预设宽度...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴忠洁，司龙，
申请(专利权)人：上海灵动微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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