垂直结构发光二极管的制造方法技术

本发明专利技术提供了垂直结构发光二极管的制作方法，包括如下步骤：在氮化镓外延层上沉积接触、反光层金属；在基板上沉积金属焊料；将氮化镓外延层与基板键合；去除蓝宝石衬底；外延层表面粗化，露出外延层中的Ｎ型氮化镓；去除划片槽区域的氮化镓外延层；沉积钝化层保护膜；露出沉积电极窗口，腐蚀去除电极窗口下的钝化层，蒸镀与Ｎ型氮化镓接触的金属薄膜，然后使用剥离工艺制作Ｎ电极２８；划片切割垂直结构发光二极管。本发明专利技术具有工艺流程简单，有利于保障发光二极管的可靠性，提高良率，只用到两次光刻工艺，节省成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术公开了一种氮化镓基。尤其涉及一种采用两次光刻工艺实现的垂直结构氮化镓基发光二极管制作方法。
技术介绍
随着技术不断进步，氮化镓基发光二极管(LED)正在迅速扩大应用领域，特别是 需要超高亮度的应用领域，如大尺寸屏幕的背光单元和取代传统荧光灯和白炽灯泡的固态 照明系统，大功率半导体发光二极管具有取代白炽灯的巨大前途，但是首先要解决技术上 的问题。 以蓝宝石为原始生长衬底的垂直结构的氮化镓基发光二极管的两个电极分别在 支持衬底的两侧，该发光二极管具备散热效率高，电流分布均匀，电流拥塞改善，电流密度 增大，充分利用发光层的材料，光取出效率提高等优点。蓝宝石是电绝缘材料，因此需要去 除生长衬底，但是，目前的剥离技术尚不成熟，有待进一步完善，常用的方法有激光剥离技 术和化学机械研磨技术。 传统垂直结构氮化镓基发光二极管制造的主要步骤有反光接触层沉积；外延层 刻蚀；金属焊料沉积；外延片与基板键合；去除蓝宝石衬底；N面氮化镓粗化；钝化层保护； 电极制作，要经历多次光刻。由于制造过程中涉及到键合工艺和衬底转移，芯片边缘绝缘性 能是影响芯片漏电的主要因素，由此，在芯片键合前、去掉蓝宝石衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
垂直结构发光二极管的制作方法，其特征在于：（１）在氮化镓外延层２２上沉积接触、反光层金属２１；（２）在导热、导电的基板２５上沉积金属焊料２４（３）通过反光层金属层２１和金属焊料２４，将氮化镓外延层２２与基板２５键合；（４）通过激光剥离或者机械研磨的方法去除蓝宝石衬底２３；（５）通过干法刻蚀或者湿法腐蚀使去掉蓝宝石衬底后的外延层表面粗化，露出外延层中的Ｎ型氮化镓；（６）通过匀胶、光刻使发光二极管发光区被光刻胶２６覆盖保护，露出划片槽窗口，然后通过干法刻蚀或者湿法腐蚀，去除划片槽区域的氮化镓外延层，去除光刻胶；或者先沉积刻蚀或腐蚀掩膜，然后匀胶、光刻，通过腐蚀去除划片槽区域的掩膜，然后再去除划片槽...

【技术特征摘要】
垂直结构发光二极管的制作方法，其特征在于(1)在氮化镓外延层22上沉积接触、反光层金属21；(2)在导热、导电的基板25上沉积金属焊料24(3)通过反光层金属层21和金属焊料24，将氮化镓外延层22与基板25键合；(4)通过激光剥离或者机械研磨的方法去除蓝宝石衬底23；(5)通过干法刻蚀或者湿法腐蚀使去掉蓝宝石衬底后的外延层表面粗化，露出外延层中的N型氮化镓；(6)通过匀胶、光刻使发光二极管发光区被光刻胶26覆盖保护，露出划片...

【专利技术属性】
技术研发人员：田红涛，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]