倒梯形铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺制造技术

本发明专利技术公开的倒梯形铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺，在临时基板的顶面依次形成由第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层、窗口层构成的晶片；在窗口层上形成Ｐ电极；在Ｐ电极上覆盖一层粘合用胶，在粘合用胶上粘合一过渡基板；去除临时基板并将晶片倒置；采用激光划裂在晶片上形成切割道，切割道使晶片的每个侧面呈倾斜状；在切割道填充光刻胶，使光刻胶与晶片表面齐平；在光刻胶与晶片表面形成Ｎ电极；在Ｎ电极上形成永久基板；去除过渡基板及粘合用胶，并将晶片再次倒置；去除光刻胶并对晶片的底面进行切割，形成完整的单颗倒梯形ＬＥＤ芯粒。由于倾斜的侧面使得每一个出光面的可出光角度范围扩大，出光面积增加，可大大提升ＬＥＤ的出光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及四元系发光二极管的制作工艺，特别是一种倒梯形铝镓铟磷系发光二 极管的制作工艺。
技术介绍
发光二极管(简称LED)具有工作电压和电流低、可靠性高、寿命长且可方便调节发 光亮度等优点。目前从红光到蓝光的全波段上量子阱效率超过8%的LED随处可见，红橙光 LED的效率已可以达到23%以上。但由于LED内量子效率与外量子效率之间存在巨大的差 距，LED的发光效率仍有提高的空间，现有改善LED发光效率的方法主要有生长分布布拉 格反射层结构，将射向基板的光反射回表面；制作透明基板，取代原有的砷化镓(GaAs)基 板；改变LED几何外形来缩短光在LED内部反射的路程以及限制全反射现象的表面粗化技 术。已知的四元系发光二极管结构，如图1所示，在基板101上依次制作分布布拉格 反射镜102 (英文为Distributed Bragg Ref lector，简称DBR)、第一型磊晶层103、发光层 104以及第二型磊晶层105，而该第二型磊晶层105顶面设有P电极106，该基板11的底面 设有N电极107。该发光二极管顶面是平面状，且与其相对的基板底面是相互的平行面，当 光从发光层发出本文档来自技高网...

【技术保护点】
倒梯形铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺，其工艺步骤为：１）提供一临时基板，在临时基板的顶面依次形成由第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层、窗口层构成的晶片；２）通过光罩、刻蚀作业，在窗口层上形成Ｐ电极；３）在Ｐ电极上覆盖一层粘合用胶，在粘合用胶上粘合一过渡基板；４）去除临时基板并将晶片倒置；５）采用激光划裂在晶片上形成切割道，切割道使晶片的每个侧面呈倾斜状；６）通过光罩作业，在切割道填充光刻胶，使光刻胶与晶片表面齐平；７）在光刻胶与晶片表面形成Ｎ电极；８）通过电镀技术，在Ｎ电极上形成永久基板；９）去除过渡基板及粘合用胶，并将晶片再次倒置；１０）去除光刻胶并对晶片的底面进行切割，形成完整的单颗倒梯形...

【技术特征摘要】
倒梯形铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺，其工艺步骤为1) 提供一临时基板，在临时基板的顶面依次形成由第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层、窗口层构成的晶片；2) 通过光罩、刻蚀作业，在窗口层上形成P电极；3) 在P电极上覆盖一层粘合用胶，在粘合用胶上粘合一过渡基板；4) 去除临时基板并将晶片倒置；5) 采用激光划裂在晶片上形成切割道，切割道使晶片的每个侧面呈倾斜状；6) 通过光罩作业，在切割道填充光刻胶，使光刻胶与晶片表面齐平；7) 在光刻胶与晶片表面形成N电极；8) 通过电镀技术，在N电极上形成永久基板；9) 去除过渡基板及粘合用胶，并将晶片再次倒置；10) 去除光刻胶并对晶片的底面进行切割，形成完...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹灵峰，蔡家豪，林素慧，林潇雄，洪灵愿，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：92