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本发明公开的倒梯形铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺,在临时基板的顶面依次形成由第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层、窗口层构成的晶片;在窗口层上形成P电极;在P电极上覆盖一层粘合用胶,在粘合用胶上粘合一过渡基板;去除临时基板并将晶片倒置;采用激...该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开的倒梯形铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺,在临时基板的顶面依次形成由第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层、窗口层构成的晶片;在窗口层上形成P电极;在P电极上覆盖一层粘合用胶,在粘合用胶上粘合一过渡基板;去除临时基板并将晶片倒置;采用激...