一种倒装磷化铝镓铟发光二极管的制作方法技术

本发明专利技术公开的一种倒装磷化铝镓铟发光二极管的制作方法，在一暂时基板上依次外延生长由缓冲层、截止层、第二导电型欧姆接触层、第二导电型限制层、有源层、第一导电型限制层和第一导电型窗口层构成外延发光层；外延发光层上生长一介质层，定义出切割道图形并蚀刻掉切割道以外的介质层；切割道上的介质层宽度比用于切割的金刚刀刀口宽；在外延发光层上蒸镀一反射镜；永久基板背面和上表面分别制作第一欧姆接触电极和蒸镀接合层；将反射镜与接合层键合，去除暂时基板、缓冲层和截止层；在第二导电型欧姆接触层上制备第二欧姆接触电极；切割形成芯片。本发明专利技术能解决切割带来的漏电问题，并且不必蚀刻切割道上的外延层，简化制作工艺，提高工艺稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电半导体发光器件的制备方法，特别是一种倒装磷化铝镓铟发光二 极管的制作方法。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种冷光发光组件，其发光原理是在 III- V族化合物半导体材料上施加电流，利用二极管内电子与空穴互相结合，而将能量转 换为光的形式释出时便可发光，且使用久也不会像白炽灯泡般地发烫。发光二极管的优点 在于体积小、寿命长、驱动电压低、反应速率快、耐震性特佳，能够配合各种应用设备的轻、 薄、及小型化的需求，因而早已成为日常生活中十分普及的产品。以磷化铝镓铟(AlGaInP)发光二极管为例，磷化铝镓铟为一四元素化合物半导体 材料，适合用于制造高亮度红、橙、黄、及黄绿光发光二极管，其拥有高发光效率、并生长在 晶格匹配的砷化镓(GaAs)衬底上。然而，由于砷化镓衬底为一吸光性衬底，因此会吸收磷 化铝镓铟发出的可见光，且其热传导性较差，因此限制了其在大电流的发光效率。对于这种 结构的发光二极管来说，有几种因素限制了光的提取效率半导体材料和其周围媒质之间 折射率差偏大导致的内部反射，金属电极的遮挡，GaAs衬底吸收等。这样，有源区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装磷化铝镓铟发光二极管的制作方法，其工艺步骤如下：１）提供一暂时基板，在其上依次外延生长由缓冲层、截止层、第二导电型欧姆接触层、第二导电型限制层、有源层、第一导电型限制层和第一导电型窗口层构成外延发光层；２）在外延发光层上生长一介质层，光罩定义出切割道图形，蚀刻掉切割道以外的介质层；切割道上的介质层宽度比用于切割的金刚刀刀口宽；３）在上述带有图案化介质层的外延发光层上蒸镀一反射镜，高温熔合连接；４）提供一永久基板，在其背面制作第一欧姆接触电极；５）在永久基板上表面蒸镀接合层；６）将外延发光层的反射镜与永久基板的接合层隔空相对键合在一起，并去除暂时基板、缓冲层和截止层；７）在第二导电型欧姆...

【技术特征摘要】
一种倒装磷化铝镓铟发光二极管的制作方法，其工艺步骤如下1) 提供一暂时基板，在其上依次外延生长由缓冲层、截止层、第二导电型欧姆接触层、第二导电型限制层、有源层、第一导电型限制层和第一导电型窗口层构成外延发光层；2) 在外延发光层上生长一介质层，光罩定义出切割道图形，蚀刻掉切割道以外的介质层；切割道上的介质层宽度比用于切割的金刚刀刀口宽；3) 在上述带有图案化介质层的外延发光层上蒸镀一反射镜，高温熔合连接；4) 提供一永久基板，在其背面制作第一欧姆接触电极；5) 在永久基板上表面蒸镀接合层；6) 将外延发光层的反射镜与永久基板的接合层隔空相对键合在一起，并去除暂时基板、缓冲层和截止层；7) 在第二导电型欧姆接触层上制备第二欧姆接触电极；8)切割形成芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪灵愿，吴志强，林素慧，尹灵峰，林潇雄，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]