【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体器件n型阱偏移量的检测方法。
技术介绍
1、在ic制造中，光刻是最复杂关键的一个工艺步骤，套刻精度是其中重要性能指标之一。随着集成电路制造中光刻工艺特征尺寸不断减小，对套刻精度的要求逐步提升。若套刻精度不符合设计规则，器件各层组件之间的电路不能准确连接，可能发生短路或断路的现象，从而导致生产良率和器件性能的损失。只有准确量测到真实的套刻误差(overlay，简称ovl)，才能在后续的工艺中设法对其进行有效的补偿和修正。偏移量也叫套刻误差，是描述后层与前层图案间套刻精准性的重要参数。在制造中，理想套刻误差的值为0，即每一光刻层之间都能够完全对准，但因工艺上的各种因素，基本无法达到理想的状态。目前，检测套刻误差所采用的方法较为繁琐，不易操作，导致检测效率较低。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种半导体器件及其n型阱偏移量的检测方法，以提高n型阱偏移量的检测效率。
2、本申请提供一种半导体器件，包括：
3、衬底；
4、p型阱，设置于所述衬底中；
5、第一n型阱和第二n型阱，设置于所述衬底中，所述第一n型阱和所述第二n型阱分别位于所述p型阱的两侧且均与所述p型阱间隔设置；
6、隔离结构，设置于所述衬底中，所述隔离结构的两侧分别与所述第一n型阱和第二n型阱接触设置，所述隔离结构的底部与所述p型阱接触设置；自所述隔离结构朝向所述p型阱的方向上，所述第一n型阱的正投影未与所述隔离结构的正投影重叠
7、测试部，包括间隔设置的至少一第一测试垫和至少一第二测试垫，所述第一测试垫位于所述第一重合区以及所述第二重合区的上端和下端中的一者，所述第二测试垫位于所述第一重合区以及所述第二重合区的上端和下端中的另一者。
8、在一些实施例中，所述半导体器件还包括隔离环，所述隔离环设置于所述衬底中，所述隔离环位于所述第一n型阱以及所述第二n型阱远离所述p型阱的一侧且与所述第一n型阱以及所述第二n型阱间隔设置。
9、在一些实施例中，所述第一n型阱以及所述第二n型阱的底部与所述隔离结构的底部之间的距离小于所述p型阱与所述隔离结构的底部之间的距离。
10、在一些实施例中，所述半导体器件还包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔暴露所述第一重合区，所述第二接触孔暴露所述第二重合区，所述第一测试垫填充于所述第一接触孔，所述第二测试垫填充于所述第二接触孔中。
11、在一些实施例中，所述第一测试垫以及所述第二测试垫的形状包括正方形、长方形、圆形和三角形中的至少一种。
12、本申请还提供一种半导体器件的n型阱偏移量的检测方法，用于检测如上所述的半导体器件，包括：
13、将测试装置的低压端以及高压端分别与位于第一重合区上的第一测试垫以及第二测试垫电连接，测得所述第一重合区的第一电阻值；
14、将所述测试装置的低压端以及高压端分别与位于第二重合区上的所述第一测试垫以及所述第二测试垫电连接，测得所述第二重合区的第二电阻值；
15、计算出所述第一电阻值与所述第二电阻值的第一电阻差值以及所述第一电阻值与所述第二电阻值的第一电阻之和值，所述第一电阻差值与所述第一重合区的第一预设长度的乘积为第一电阻积值；
16、根据所述第一电阻积值与所述第一电阻之和值的第一比值，获得第一n型阱以及第二n型阱相对于衬底第一方向的偏移量。
17、在一些实施例中，所述测试装置的低压端以及高压端分别与位于第二重合区上的所述第一测试垫以及所述第二测试垫电连接，测得所述第二重合区的第二电阻值之后，所述计算出所述第一电阻值与所述第二电阻值的电阻差值以及所述第一电阻值与所述第二电阻值的电阻之和值，所述电阻差值与所述第一重合区的第一预设长度的积为电阻积值之前，还包括：
18、将所述半导体器件旋转90°，将所述测试装置的低压端以及高压端分别与位于所述第一重合区上的所述第一测试垫以及所述第二测试垫电连接，测得所述第一重合区的第三电阻值。
19、在一些实施例中，所述将所述半导体器件旋转90°，将所述测试装置的低压端以及高压端分别与位于所述第一重合区上的所述第一测试垫以及所述第二测试垫电连接，测得所述第一重合区的第三电阻值之后，还包括：
20、将所述测试装置的低压端以及高压端分别与位于所述第二重合区上的所述第一测试垫以及所述第二测试垫电连接，测得所述第二重合区的第四电阻值。
21、在一些实施例中，所述将所述测试装置的低压端以及高压端分别与位于所述第二重合区上的所述第一测试垫以及所述第二测试垫电连接，测得所述第二重合区的第四电阻值之后，还包括：
22、计算出所述第三电阻值与所述第四电阻值的第二电阻差值以及所述第三电阻值与所述第四电阻值的第二电阻之和值，所述第二电阻差值与所述第一重合区的第一预设宽度的乘积为第二电阻积值；
23、根据所述第二电阻积值与所述第二电阻之和值的第二比值，获得所述第一n型阱以及所述第二n型阱相对于所述衬底第二方向的偏移量，所述第一方向与所述第二方向垂直。
24、在一些实施例中，根据所述第一比值是否为0，判断所述第一n型阱以及所述第二n型阱是否相对于所述衬底存在第一方向的偏移。预设宽度预设宽度预设长度
25、本申请提供一种半导体器件及其的n型阱偏移量的检测方法，半导体器件包括衬底、p型阱、第一n型阱、第二n型阱、隔离结构以及测试部；p型阱设置于衬底中；第一n型阱和第二n型阱设置于衬底中，第一n型阱和第二n型阱分别位于p型阱的两侧且均与p型阱间隔设置；隔离结构设置于衬底中，隔离结构的两侧分别与第一n型阱和第二n型阱接触设置，隔离结构的底部与p型阱接触设置；自隔离结构朝向p型阱的方向上，第一n型阱的正投影未与隔离结构的正投影重叠的区域且与衬底的正投影重叠的区域为第一重合区，第二n型阱的正投影未与隔离结构的正投影重叠的区域且与衬底的正投影重叠的区域为第二重合区；测试部包括间隔设置的至少一第一测试垫和至少一第二测试垫，第一测试垫位于第一重合区以及第二重合区的上端和下端中的一者，第二测试垫位于第一重合区以及第二重合区的上端和下端中的另一者。通过在第一重合区以及第二重合区上均设置测试部，以使得测试装置与第一测试垫以及第二垫电连接时，即可测得第一重合区以及第二重合区的电阻，从而可以根据第一重合区以及第二重合区的电阻变化计算出n型阱相对于衬底的左右偏移量，即提高了n型阱偏移量的检测效率。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括隔离环，所述隔离环设置于所述衬底中，所述隔离环位于所述第一N型阱以及所述第二N型阱远离所述P型阱的一侧且与所述第一N型阱以及所述第二N型阱间隔设置。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一N型阱以及所述第二N型阱的底部与所述隔离结构的底部之间的距离小于所述P型阱与所述隔离结构的底部之间的距离。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔暴露所述第一重合区，所述第二接触孔暴露所述第二重合区，所述第一测试垫填充于所述第一接触孔，所述第二测试垫填充于所述第二接触孔中。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一测试垫以及所述第二测试垫的形状包括正方形、长方形、圆形和三角形中的至少一种。
6.一种半导体器件的N型阱偏移量的检测方法，其特征在于，用于检测权利要求1-5任一项所述的半导体器件的N型阱偏移量，包括：
7.根
8.根据权利要求7所述的半导体器件的N型阱偏移量的检测方法，其特征在于，所述将所述半导体器件旋转90°，将所述测试装置的低压端以及高压端分别与位于所述第一重合区上的所述第一测试垫以及所述第二测试垫电连接，测得所述第一重合区的第三电阻值之后，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件的N型阱偏移量的检测方法，其特征在于，所述将所述测试装置的低压端以及高压端分别与位于所述第二重合区上的所述第一测试垫以及所述第二测试垫电连接，测得所述第二重合区的第四电阻值之后，还包括：
10.根据权利要求6所述的半导体器件的N型阱偏移量的检测方法，其特征在于，根据所述第一比值是否为0，判断所述第一N型阱以及所述第二N型阱是否相对于所述衬底存在第一方向的偏移。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括隔离环，所述隔离环设置于所述衬底中，所述隔离环位于所述第一n型阱以及所述第二n型阱远离所述p型阱的一侧且与所述第一n型阱以及所述第二n型阱间隔设置。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一n型阱以及所述第二n型阱的底部与所述隔离结构的底部之间的距离小于所述p型阱与所述隔离结构的底部之间的距离。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔暴露所述第一重合区，所述第二接触孔暴露所述第二重合区，所述第一测试垫填充于所述第一接触孔，所述第二测试垫填充于所述第二接触孔中。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一测试垫以及所述第二测试垫的形状包括正方形、长方形、圆形和三角形中的至少一种。
6.一种半导体器件的n型阱偏移量的检测方法，其特征在于，用于检测权利要求1-5任一项所述的半导体器件的n型阱偏移量，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：艾怡君，赵晓龙，张青，张拥华，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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