【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种刻蚀设备的检测方法及晶圆的刻蚀方法。
技术介绍
1、铝薄膜刻蚀的刻蚀副产物聚合物（polymer）多，该聚合物易在刻蚀过程中从反应腔的腔壁掉落至晶圆表面形成部分刻蚀缺陷（partial etch defect），导致金属连线短路从而降低晶圆生产良率。现有技术通常利用无晶圆清洁过程（wac, wafer-less autoclean）减少反应腔腔壁聚集聚合物，同时也通过卡控反应腔的平均清洁时间来维护反应腔的清洁，但这些方法仅能杜绝大批量的部分刻蚀缺陷，无法解决反应腔随机性的产生一片晶圆部分刻蚀缺陷的问题。铝薄膜刻蚀过程中经常会出现随机性的一片发生部分刻蚀缺陷，该缺陷易逃脱缺陷检测方法，也容易造成良率降低，影响工艺质量稳定性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种刻蚀设备的检测方法及晶圆的刻蚀方法，以解决刻蚀工艺中产生刻蚀缺陷造成良率降低，影响工艺质量稳定性的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种刻蚀设备的检测方法，包括：
3、提本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种刻蚀设备的检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀设备的检测方法，其特征在于，所述刻蚀设备工作预定时间周期为2天至3天。
3.根据权利要求1所述的刻蚀设备的检测方法，其特征在于，所述漏率测试的步骤包括：检测所述刻蚀设备的反应腔体内的当前气压值，根据所述当前气压值与预设气压值的比值计算所述刻蚀设备的反应腔体的漏率。
4.根据权利要求1所述的刻蚀设备的检测方法，其特征在于，所述底压测试的步骤包括：将所述刻蚀设备的反应腔体的分子泵开到最大，关闭进气的阀门，测试所述刻蚀设备的反应腔体内的压力值，所述压力值为底压值，...
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀设备的检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀设备的检测方法，其特征在于，所述刻蚀设备工作预定时间周期为2天至3天。
3.根据权利要求1所述的刻蚀设备的检测方法，其特征在于，所述漏率测试的步骤包括：检测所述刻蚀设备的反应腔体内的当前气压值，根据所述当前气压值与预设气压值的比值计算所述刻蚀设备的反应腔体的漏率。
4.根据权利要求1所述的刻蚀设备的检测方法，其特征在于，所述底压测试的步骤包括：将所述刻蚀设备的反应腔体的分子泵开到最大，关闭进气的阀门，测试所述刻蚀设备的反应腔体内的压力值，所述压力值为底压值，以表征所述反应腔体的极限情况下的压力值。
5.根据权利要求1所述的刻蚀设备的检测方法，其特征在于，所述暖机的步骤包括：将暖机片置于所述刻蚀设备的反应腔体中，对所述暖机片进行刻蚀，以在刻蚀过程中使所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：舒思桅，陈观陆，廖永亮，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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