【技术实现步骤摘要】
本专利技术属硅废料回收，具体的说，是涉及一种去除硅粉中钙杂质的方法。
技术介绍
1、近年来，在技术进步的推动下，我国光伏发电产业取得快速发展，产业规模和技术水平均达到世界领先水平。加强光伏技术创新与产业升级，是提升核心源动力，推动光伏发电高质量、低成本、大规模发展的重要保障。然而大量硅废料的产生阻碍了光伏产业的发展，传统的解决方式是采用高温冶炼，这不仅产生了高能耗的问题，还产生了大量的温室气体，对环境造成了极大的破环，因此迫切需要一种低能耗、无污染的方案来解决硅废料的再提纯问题。
技术实现思路
1、为解决现有技术的不足，针对高纯硅切削过程产生的边角料，本专利技术提供了一种去除硅粉中钙杂质的方法，该方法避免了高温炉和酸液的使用，减少了温室气体的排放和因废液处理产生的高额成本，同时还能够去除45％-93％的钙物质，是一种低碳环保的新工艺。
2、本专利技术为实现上述目的，通过以下的技术方案予以实现：
3、本专利技术提供了一种去除硅粉中钙杂质的方法，包括如下步骤：
4、(1)常温下将表面活性剂和去离子水按照配比混合后，搅拌并超声均匀获得表面活性剂溶液；
5、(2)常温下将细硅粉分散到步骤(1)所得表面活性剂溶液中，搅拌均匀得到细硅粉的悬浊液；
6、(3)将所述细硅粉的悬浊液在50-80℃的反应温度下，搅拌状态下反应直至细硅粉中的钙物质完全溶解；
7、(4)将步骤(3)所得悬浊液通过离心处理得到固体部分；
8
9、(6)将步骤(5)所得固体进行烘干处理，之后粉碎过筛，即获得去除钙杂质的提纯硅粉。
10、优选地，步骤(1)中，所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵(ctab)、乙二胺四乙酸二钠(edta2na)、乙二胺四亚甲基膦酸钠(edtmps)和十二烷基硫酸钠(sds)中的至少一种。
11、优选地，步骤(1)中，所述表面活性剂溶液中所述表面活性剂的体积浓度为3-6‰。
12、作为一种可选的实施方式，步骤(1)和步骤(2)中的搅拌速度均为500-700转/分钟，搅拌时长均为0.5h。
13、作为一种可选的实施方式，步骤(1)中的超声时间为0.5h。
14、作为一种可选的实施方式，步骤(2)中的所述细硅粉是通过回收硅块粉碎为粗硅粉，收集后研磨至200目以上得到。
15、优选地，步骤(2)中的每克所述细硅粉分散到2-8ml的所述表面活性剂溶液中。
16、作为一种可选的实施方式，步骤(3)中的搅拌速度为400-500转/分钟，反应时间为2h。
17、作为一种可选的实施方式，步骤(4)中离心处理的转速为7000转/分钟。
18、通常地，步骤(5)中的其他杂质为钙镁铝盐，如氧化钙、碳酸钙、氧化铝中的至少一种。
19、本专利技术的有益效果是：
20、本专利技术的方法利用十六烷基三甲基溴化铵(ctab)等表面活性剂可以与ca2+等二价金属离子结合的螯合剂性质，在细硅粉形成悬浊液的情况下，施加一定温度使表面活性剂与细硅粉悬浊液进行充分接触形成螯合物，再通过水洗并以高速离心的方式将细硅粉和螯合物分离，干燥后粉碎处理获得去除钙物质的提纯硅粉，所获得的硅粉杂质能够降低到ppm级。可见，本专利技术的方法避免了传统方式中大量酸的使用，产生的废液通过简单的活性炭吸附即可去除水中的螯合物，从而降低了废液处理的成本问题；同时，去除了45％-93％的钙物质，是一种易于产业化的硅提纯的全新制作工艺。
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1.一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、乙二胺四乙酸二钠(EDTA2Na)、乙二胺四亚甲基膦酸钠(EDTMPS)和十二烷基硫酸钠(SDS)中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述表面活性剂溶液中所述表面活性剂的体积浓度为3-6‰。
4.根据权利要求1所述的一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(2)中的搅拌速度均为500-700转/分钟，搅拌时长均为0.5h。
5.根据权利要求1所述的一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，步骤(1)中的超声时间为0.5h。
6.根据权利要求1所述的一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，步骤(2)中的所述细硅粉是通过回收硅块粉碎为粗硅粉，收集后研磨至200目以上得到。
7.根据权利要求1所述的一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，步骤(2)中的每克所述
8.根据权利要求1所述的一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，步骤(3)中的搅拌速度为400-500转/分钟，反应时间为2h。
9.根据权利要求1所述的一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，步骤(4)中离心处理的转速为7000转/分钟。
10.根据权利要求1所述的一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，步骤(5)中的其他杂质为钙镁铝盐，如氧化钙、碳酸钙、氧化铝中的至少一种。
...【技术特征摘要】
1.一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵(ctab)、乙二胺四乙酸二钠(edta2na)、乙二胺四亚甲基膦酸钠(edtmps)和十二烷基硫酸钠(sds)中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述表面活性剂溶液中所述表面活性剂的体积浓度为3-6‰。
4.根据权利要求1所述的一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(2)中的搅拌速度均为500-700转/分钟，搅拌时长均为0.5h。
5.根据权利要求1所述的一种去除硅粉中钙杂质的方法，其特征在于，步骤(1)中的超声时间为0.5...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄金强，李海静，张力峰，沈铸睿，杨定勇，段英男，刘慧，赵鹤翔，
申请(专利权)人：扬州晶樱光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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