【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种通孔的制造方法。
技术介绍
1、现有通孔刻蚀中，图形形成后，底部的导电部件(例如铜线)裸露出来，影响腔体的刻蚀速率，结合刻蚀腔自清洁功能，导致自清洁后的首片通孔关键尺寸与非自清洁后的关键尺寸有较明显的差异；且经常发生图形边缘的刻蚀副产物残留缺陷。
2、为解决上述问题，需要提出一种新型的通孔的制造方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种通孔的制造方法，用于解决现有技术中通孔刻蚀中，图形形成后，底部的导电部件(例如铜线)裸露出来，影响腔体的刻蚀速率，结合刻蚀腔自清洁功能，导致自清洁后的首片通孔关键尺寸与非自清洁后的关键尺寸有较明显的差异；且经常发生图形边缘的刻蚀副产物残留缺陷的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种通孔的制造方法，包括：
3、步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成集成电路器件；
4、在所述半导体衬底上形成互连结构，其中，所述互连结构包括与所述集成电路器件连接的多个导电部件；
5、在所述互连结构上形成刻蚀停止层以及位于所述刻蚀停止层上的层间介质层；
6、步骤二、在第一工艺腔中，在所述层间介质层上形成光刻胶层，光刻打开所需的所述导电部件上方的所述光刻胶层使得其下方的所述层间介质层裸露，之后刻蚀裸露的所述层间介质层至所述刻蚀停止层上；
7、步骤三、在第二工艺腔中，去除所述光刻胶层以及聚合物，之后在轰
8、优选地，步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
9、优选地，步骤一中的所述层间介质层的材料为二氧化硅。
10、优选地，步骤一中的所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。
11、优选地，步骤一中最上方的所述导电部件为铜金属互连线。
12、优选地，步骤二中以碳氟气和具有碳去除能力的气体为刻蚀气体。
13、优选地，步骤二中的所述碳氟气包括cxfy、cxhyfz中的至少一种，所述具有碳去除能力的气体包括o2或co或co2中的至少一种。
14、优选地，步骤三中利用灰化工艺去除所述光刻胶层以及所述聚合物。
15、优选地，步骤三中的所述灰化工艺以o2+n2，h2，nh3，n2-h2形成气体中的至少一种，并增加高碳氟比的气体作为f源，单种或多种搭配。
16、优选地，步骤三中以碳氟气和具有碳去除能力的气体为刻蚀气体。
17、优选地，步骤三中的所述碳氟气包括cxfy、cxhyfz中的至少一种，所述具有碳去除能力的气体包括o2或co或co2中的至少一种。
18、优选地，步骤三中利用调节腔体压力和射频源能量使得所述轰击能力位于卡控范围内。
19、如上所述，本专利技术的通孔的制造方法，具有以下有益效果：
20、本专利技术通过优化刻蚀及灰化工艺，避免晶圆与晶圆间通孔关键尺寸差异太大及在图形附近形成(聚合物)残留缺陷。
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1.一种通孔的制造方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。
3.根据权利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述层间介质层的材料为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤一中最上方的所述导电部件为铜金属互连线。
6.根据权利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤二中以碳氟气和具有碳去除能力的气体为刻蚀气体。
7.根据权利要求6所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述碳氟气包括CxFy、CxHyFz中的至少一种，所述具有碳去除能力的气体包括O2或CO或CO2中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤三中利用灰化工艺去除所述光刻胶层以及所述聚合物。
9.根据权利要求8所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤三中
10.根据权利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤三中以碳氟气和具有碳去除能力的气体为刻蚀气体。
11.根据权利要求10所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤三中的所述碳氟气包括CxFy、CxHyFz中的至少一种，所述具有碳去除能力的气体包括O2或CO或SO2中的至少一种。
12.根据权利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤三中利用调节腔体压力和射频源能量使得所述轰击能力位于卡控范围内。
...【技术特征摘要】
1.一种通孔的制造方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
3.根据权利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述层间介质层的材料为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤一中最上方的所述导电部件为铜金属互连线。
6.根据权利要求1所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤二中以碳氟气和具有碳去除能力的气体为刻蚀气体。
7.根据权利要求6所述的通孔的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述碳氟气包括cxfy、cxhyfz中的至少一种，所述具有碳去除能力的气体包括o...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶星，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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