【技术实现步骤摘要】
本公开涉及镀膜设备，具体地，涉及一种托盘和等离子体增强化学气相沉积设备。
技术介绍
1、离子体增强化学的气相沉积法(以下简称pecvd)是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜，被广泛应用于半导体制造工业的薄膜材料制备中。例如，图形化蓝宝石复合衬底在制作过程中也需要利用等离子体增强化学气相沉积设备(以下简称pecvd设备)镀制二氧化硅(sio2)膜层。
2、相关技术中，pecvd设备中通过圆形的sic托盘上来容置晶圆片，在镀制蓝宝石衬底上的sio2膜层的过程中，每镀制约6次后需要对sic托盘表面的sio2层进行清洗，每镀制6次需要耗时4小时，每次清洗约耗时1小时，导致sio2镀制的产能低。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供一种托盘和等离子体增强化学气相沉积设备，该托盘能够提高产能。
2、为了实现上述目的，根据本公开的第一方面，提供一种托盘，所述托盘用于容置晶圆片，所述托...
【技术保护点】
1.一种托盘，所述托盘用于容置晶圆片，其特征在于，所述托盘构造为矩形，并且所述托盘的一侧形成有向内凹陷的容置槽，所述容置槽用于容置所述晶圆片，所述容置槽的数量为四个且呈矩形阵列布设于所述托盘上，所述容置槽构造为与所述晶圆片形状相适配的弓形，并且所述容置槽的平边朝向相邻的另一个所述容置槽的弧边设置。
2.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述容置槽的槽深小于所述晶圆片的厚度，所述晶圆片的厚度与所述容置槽的槽深之间的差值大于0μm并小于10μm。
3.根据权利要求2所述的托盘，其特征在于，所述晶圆片的厚度与所述容置槽的槽深之间的差值为5μm。<...
【技术特征摘要】
1.一种托盘，所述托盘用于容置晶圆片，其特征在于，所述托盘构造为矩形，并且所述托盘的一侧形成有向内凹陷的容置槽，所述容置槽用于容置所述晶圆片，所述容置槽的数量为四个且呈矩形阵列布设于所述托盘上，所述容置槽构造为与所述晶圆片形状相适配的弓形，并且所述容置槽的平边朝向相邻的另一个所述容置槽的弧边设置。
2.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述容置槽的槽深小于所述晶圆片的厚度，所述晶圆片的厚度与所述容置槽的槽深之间的差值大于0μm并小于10μm。
3.根据权利要求2所述的托盘，其特征在于，所述晶圆片的厚度与所述容置槽的槽深之间的差值为5μm。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的托盘，其特征在于，所述托盘上还具有向内凹陷的操作槽，所述操作槽的数量为四个且与所述容置槽一一对应，成对的两个所述操作槽布置在所述托盘的对角线，所述操作槽与所述容置槽连通并且靠近所述托盘的边缘布置。
5...
【专利技术属性】
技术研发人员：任想想，李孟轩，林宏达，翟虎，
申请(专利权)人：浙江丽晖智能装备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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