一种图形化蓝宝石复合衬底及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种制备图形化蓝宝石复合衬底的方法，该方法包括：使用激光雕刻出具有图形结构的硅片母模板，在所述硅片母模板上复刻出具有所述图形结构的软模板；在蓝宝石衬底的表面沉积SiO<subgt;2</subgt;薄膜层，得到蓝宝石复合衬底；然后在所述蓝宝石复合衬底上涂覆UV光刻胶；使用纳米压印将所述软模板上的图形结构转移到所述UV光刻胶上，在所述SiO<subgt;2</subgt;薄膜层上形成掩膜图形；对形成有所述掩膜图形的蓝宝石复合衬底进行电感耦合等离子体刻蚀，得到图形化蓝宝石复合衬底。通过使用激光雕刻技术和纳米压印技术，可以快速制备硅片母模板，减少了工艺流程步骤，使得制备效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体地，涉及一种图形化蓝宝石复合衬底及其制备方法和应用。

技术介绍

1、现有图形化蓝宝石衬底(pss)的制作方式包括(如图1和3所示)：在蓝宝石衬底表面涂覆光刻胶，采用纳米压印技术将硅片母模板上的图形转移至光刻胶上，得到圆柱状光刻胶阵列；对圆柱状光刻胶阵列和蓝宝石衬底进行刻蚀，在刻蚀过程中，光刻胶被等离子体刻蚀，光刻胶形貌由初期圆柱状转变为圆凸台，然后转变为尖锥，以在蓝宝石衬底表面形成一层圆锥状凸块阵列，即形成图形化蓝宝石衬底。

2、在采用纳米压印技术进行图形转移的过程中，需要使用硅片母模板作为初始衬底图形进行复刻，硅片母模板则通过传统的曝光、显影、刻蚀技术工艺流程进行制作，最后在硅片母模板上形成圆柱阵列。在传统曝光工艺制程中，需要使用光罩掩膜板来进行图形转移以此形成硅片母模板，而光罩掩膜板的开模研发成本高，且通过曝光、显影、刻蚀工艺制作硅片母模板的制程复杂，生产成本高(人工、物料耗材、设备损耗、厂务供能等方面)、生产周期时间长。因此造成制备图形化蓝宝石衬底的工艺流程复杂，制备效率低下，生产成本高，且得到的图形化蓝宝石衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制备图形化蓝宝石复合衬底的方法，其特征在于，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述具有图形结构的硅片母模板通过包括如下的方法制备得到：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽的宽度各自独立地为0.5-2μm，深度各自独立地为2-4μm；相邻的两个所述第一沟槽之间的距离为1-4μm，相邻的两个所述第二沟槽之间的距离为1-4μm；

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述软模板通过包括如下的方法制备得到：

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述SiO2薄膜层的厚度为2-4μm，所述UV光刻胶的厚...

【技术特征摘要】

1.一种制备图形化蓝宝石复合衬底的方法，其特征在于，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述具有图形结构的硅片母模板通过包括如下的方法制备得到：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽的宽度各自独立地为0.5-2μm，深度各自独立地为2-4μm；相邻的两个所述第一沟槽之间的距离为1-4μm，相邻的两个所述第二沟槽之间的距离为1-4μm；

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述软模板通过包括如下的方法制备得到：

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述sio2薄膜层的厚度为2-4μm，所述uv光刻胶的厚度为1-3μm。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过等离子体增强化学气相沉积法沉积所述sio2薄膜层，参数条件包括：真空压力为1....

【专利技术属性】
技术研发人员：任想想，李孟轩，林宏达，翟虎，
申请(专利权)人：浙江丽晖智能装备有限公司，
类型：发明
国别省市：