【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料生长，具体涉及一种pecvt等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置。
技术介绍
1、化学气相输运(cvt)是单晶材料合成生长制备和物质提纯的重要方法，其具备直接、简单、有效、低成本、易于操作控制使用等优点，通过在密闭的坩埚管容器中利用含有构成晶体材料的化合物物质原料与运输剂单质通入放置有基材的反应室生产挥发性产物，在一定的温度梯度下从容器的一端输运至另一端，能够借助空间气相的可逆化学反应合成生长制备晶体材料。
2、但是传统化学气相输运(cvt)存在反应温度高、时间长、产物质量低、尺寸小、适用面窄等问题。
3、因此本申请特提出一种pecvt等离子辅助增强气相输运合成生长制备的方法以及装置以解决这一问题，pecvt是在传统cvt前端加入rf射频感应装置将反应气体或前驱体电离，形成活性等离子体，利用等离子体的活性来促进和加强反应、加快材料合成生长，提高材料尺寸和质量。
4、且上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案，并不代表承认上述内容是最接近的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种能够降低化学气相输运反应温度，促使cvt合成反应加快进行，提高合成效率，降低反应温度，满足材料生长和器件制备的一种pecvt等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置。
2、本专利技术采用以下技术方案解决上述技术问题：
3、一种pecvt等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，包括依次连接的安装台、真空箱、高温生长
4、高温生长炉，内部放置石英坩埚用于气相输运合成生长制备材料；
5、rf射频感应装置，照射高温生长炉内部，用于等离子辅助增强气相输运合成生长制备材料；
6、真空箱，两侧设置开口，且一侧开口与所述高温生长炉内部连通，用于控制高温生长炉内部同步真空化处理或充入保护气氛；
7、安装台，顶端通过导轨连接有滑动安装块，所述滑动安装块上设置有原料安装机构用于安装石英坩埚，所述滑动安装块在导轨上滑动用于驱动石英坩埚穿过真空箱进入高温生长炉内。
8、优选的，所述原料安装机构包括位于滑动安装块上的坩埚装载组件，与坩埚装载组件连接的连接块和设置在连接块与滑动安装块上用于手动驱动滑动安装块在导轨上滑动的连接把手。
9、优选的，所述连接块上设置有限位弧板用于配合坩埚装载组件定位石英坩埚的一端。
10、优选的，所述连接块内部设置有高温等离子结烧装置，用于高温等离子结烧热封石英坩埚的敞口端。
11、优选的，所述连接块内部设置有另一组rf射频感应装置，用于石英坩埚进入高温生长炉后照射高温生长炉内部。
12、优选的，所述坩埚装载组件包括上下侧分别安装连接块与滑动安装块的连接板、滑动穿过连接板侧壁的连接杆、开设在连接板内部的滑动槽、滑动在滑动槽内且与连接杆一端连接的滑动板、设置在滑动槽内且与滑动板连接的收缩弹簧和设置在连接杆上用于装载生长原料或石英坩埚的限位连接件，所述收缩弹簧用于驱动滑动板带动连接杆向滑动槽内部移动。
13、优选的，所述限位连接件设置为位于连接杆末端用于石英坩埚一端放置的半圆环卡块。
14、优选的，所述石英坩埚中部设置有颈部，所述限位连接件设置为位于连接杆末端用于颈部卡合放置的半圆环卡块。
15、优选的，所述限位连接件设置为位于连接杆上用于放置生长原料或石英坩埚的最少两组装载板，且此时所述连接块上不需要加装限位弧板，此时所述连接杆设置在连接板侧壁，所述连接块内部不需要设置滑动槽、滑动板和收缩弹簧。
16、优选的，所述真空箱另一侧开口处设置有多组挤压密封组件；
17、所述石英坩埚进入高温生长炉状态下，所述连接板与所述连接块穿过所述开口，所述挤压密封组件配合连接板与所述连接块用于封堵所述开口。
18、优选的，所述挤压密封组件包括设置在真空箱壁体内部的滑动腔、位于所述开口外周用于滑动穿过真空箱进入滑动腔的滑动块、位于滑动腔内用于驱动滑动块向真空箱外侧移动的第一挤压弹簧、位于所述开口内侧用于滑动穿过真空箱进入滑动腔的橡胶条、位于橡胶条一端的三角楔块、设置在滑动腔内侧用于三角楔块一端滑动的边角滑槽、位于边角滑槽内部用于驱动三角楔块向滑动腔内移动的第二挤压弹簧、开设在所述开口内侧的限位滑槽和设置在橡胶条另一端用于滑动在限位滑槽内的限位滑块。
19、优选的，所述橡胶条中部设置有弯折部，所述滑动块位于滑动腔内一侧设置有用于接触三角楔块斜面的挤压倾斜部；
20、所述原料安装机构还包括位于连接板与连接块外侧的接触环块，所述连接板配合连接块穿过所述开口过程中，所述接触环块接触并挤压驱动滑动块向滑动腔内部移动。
21、本专利技术提供了一种pecvt等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置。
22、与现有技术相比本专利技术的有益效果体现在：
23、1.本专利技术通过在高温生长炉上设置rf射频感应装置，并在高温生长炉进行气相输运合成生长材料的过程中，让rf射频感应装置持续照射高温生长炉内部，能够将石英坩埚内部的反应气体或前驱体电离，形成活性等离子体，利用等离子体的活性来促进和加强反应、加快材料合成生长，提高材料尺寸和质量，从而进一步在化学气相输运反应过程中降低反应温度，促使cvt合成反应加快进行，提高合成效率，满足材料生长和器件制备。
24、2.本专利技术通过设置原料安装机构，能够方便根据高温生长炉内的材料生长要求，快速夹持安装不同大小规格的石英坩埚，从而便于高温生长炉内石英坩埚的快速装卸，提高高温生长炉内正常进行气相输运合成生长材料的操作效率。
25、3.本专利技术通过设置挤压密封组件，能够在连接板配合连接块穿过开口的过程中，利用接触环块接触并挤压驱动滑动块向滑动腔内部移动，从而进一步驱动橡胶条向开口内侧移动，由于橡胶条位于开口内一端通过限位滑块限位滑动在限位滑槽内，且此时连接板配合连接块穿过开口，因此能够在真空箱内部真空化处理或之后充入保护气氛时，保证真空箱连通高温生长炉空间封闭，进而保证石英坩埚内部正常进行气相输运合成生长材料。
26、当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
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1.一种PECVT等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，包括依次连接的安装台(3)、真空箱(7)、高温生长炉(1)和RF射频感应装置(2)，其中：
2.如权利要求1所述的PECVT等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述原料安装机构(6)包括位于滑动安装块(5)上的坩埚装载组件(62)，与坩埚装载组件(62)连接的连接块(63)和设置在连接块(63)与滑动安装块(5)上用于手动驱动滑动安装块(5)在导轨(4)上滑动的连接把手(64)。
3.如权利要求2所述的PECVT等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述连接块(63)上设置有限位弧板(631)用于配合坩埚装载组件(62)定位石英坩埚(61)的一端。
4.如权利要求3所述的PECVT等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述连接块(63)内部设置有高温等离子结烧装置(632)，用于高温等离子结烧热封石英坩埚(61)的敞口端。
5.如权利要求3所述的PECVT等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述连接块(6
6.如权利要求3所述的PECVT等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述坩埚装载组件(62)包括上下侧分别安装连接块(63)与滑动安装块(5)的连接板(621)、滑动穿过连接板(621)侧壁的连接杆(622)、开设在连接板(621)内部的滑动槽(624)、滑动在滑动槽(624)内且与连接杆(622)一端连接的滑动板(623)、位于连接杆(622)末端用于石英坩埚(61)一端放置的半圆环卡块(626)和设置在滑动槽(624)内且与滑动板(623)连接的收缩弹簧(625)，所述收缩弹簧(625)用于驱动滑动板(623)带动连接杆(622)向滑动槽(624)内部移动。
7.如权利要求3所述的PECVT等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述石英坩埚(61)中部设置有颈部(611)；
8.如权利要求2所述的PECVT等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述坩埚装载组件(62)包括上下侧分别安装连接块(63)与滑动安装块(5)的连接板(621)、设置在连接板(621)侧壁的连接杆(622)和位于连接杆(622)上用于放置生长原料或石英坩埚(61)的最少两组装载板(627)。
9.如权利要求6-8任一项所述的PECVT等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述真空箱(7)另一侧开口(71)处设置有多组挤压密封组件(74)；
10.如权利要求9所述的PECVT等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述挤压密封组件(74)包括设置在真空箱(7)壁体内部的滑动腔(741)、位于所述开口(71)外周用于滑动穿过真空箱(7)进入滑动腔(741)的滑动块(742)、位于滑动腔(741)内用于驱动滑动块(742)向真空箱(7)外侧移动的第一挤压弹簧(743)、位于所述开口(71)内侧用于滑动穿过真空箱(7)进入滑动腔(741)的橡胶条(747)、位于橡胶条(747)一端的三角楔块(744)、设置在滑动腔(741)内侧用于三角楔块(744)一端滑动的边角滑槽(745)、位于边角滑槽(745)内部用于驱动三角楔块(744)向滑动腔(741)内移动的第二挤压弹簧(746)、开设在所述开口(71)内侧的限位滑槽(748)和设置在橡胶条(747)另一端用于滑动在限位滑槽(748)内的限位滑块(749)；
...【技术特征摘要】
1.一种pecvt等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，包括依次连接的安装台(3)、真空箱(7)、高温生长炉(1)和rf射频感应装置(2)，其中：
2.如权利要求1所述的pecvt等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述原料安装机构(6)包括位于滑动安装块(5)上的坩埚装载组件(62)，与坩埚装载组件(62)连接的连接块(63)和设置在连接块(63)与滑动安装块(5)上用于手动驱动滑动安装块(5)在导轨(4)上滑动的连接把手(64)。
3.如权利要求2所述的pecvt等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述连接块(63)上设置有限位弧板(631)用于配合坩埚装载组件(62)定位石英坩埚(61)的一端。
4.如权利要求3所述的pecvt等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述连接块(63)内部设置有高温等离子结烧装置(632)，用于高温等离子结烧热封石英坩埚(61)的敞口端。
5.如权利要求3所述的pecvt等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述连接块(63)内部设置有另一组rf射频感应装置(2)，用于石英坩埚(61)进入高温生长炉(1)后照射高温生长炉(1)内部。
6.如权利要求3所述的pecvt等离子辅助增强气相输运合成生长制备装置，其特征在于，所述坩埚装载组件(62)包括上下侧分别安装连接块(63)与滑动安装块(5)的连接板(621)、滑动穿过连接板(621)侧壁的连接杆(622)、开设在连接板(621)内部的滑动槽(624)、滑动在滑动槽(624)内且与连接杆(622)一端连接的滑动板(623)、位于连接杆(622)末端用于石英坩埚(61)一端放置的半圆环卡块(626)和设置在滑动槽(624)内且与滑动...
【专利技术属性】
技术研发人员：王瑞，莫琴，
申请(专利权)人：武汉是维光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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