用于半导体照明的近紫外激发蓝绿色荧光粉及其制备方法技术

本发明专利技术公开的用于半导体照明的近紫外激发蓝绿色发光荧光粉，其化学式为ＣａＹＡｌ３Ｏ７：ｘＣｅ，ｙＴｂ；其中０．００５≤ｘ≤０．０７，０．０２≤ｙ≤０．２４。制备步骤如下：首先按化学式称取ＣａＣＯ３，Ｙ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＣｅＯ２和Ｔｂ４Ｏ７，将各组分原料置于行星式球磨机中混合球磨，充分混合均匀后烘干，置于坩埚中，放入马弗炉，在还原气氛中于８００℃保温１小时，然后升温到１２００－１４００℃保温４－８小时。该蓝绿色荧光粉在近紫外区域具有很宽的激发光谱，在氮化镓铟近紫外光ＬＥＤ激发下，可产生蓝绿色发光，具有发光亮度高、耐紫外辐射、化学稳定性和热稳定性好等特点。该荧光粉制备方法简单、无污染、成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来，随着蓝紫光InGaN LED技术的不断提升，半导体照明器件在照明领域迅 猛发展，有取代现有照明器件之势。与传统照明器件相比，半导体照明具有节能、环保、安 全、响应快、可靠性高、单色性好、体积小、色彩丰富可控等一系列独特优点，因而成为新一 代照明器件的理想选择。白光LED作为新一代照明光源，目前，最为成熟的途径是利用氮 化镓蓝光(460nm)LED配合黄色YAG:Ce3+荧光粉实现的，但这类半导体照明器件存在色温 高、耐紫外辐照性差、温度稳定性差等问题。随着氮化镓铟近紫外光LED的快速发展，近紫 外光LED配上红、蓝、绿三基色荧光粉为白光LED提供了新途径。近紫外光LED波长与强 度的波动对于配出的白光不会特别敏感，并可根据各色荧光粉的选择及配比，调制出可接 受色温及演色性的白光。目前常用的红色荧光粉为Y203S:Eu、蓝色荧光粉为(Sr， Ca， Ba， Mg) 1Q (P04) 6C12:Eu2+，绿色荧光粉为ZnS: Cu+， Al3+等，但目前使用的近紫外LED用荧光粉的激 发光谱与近紫外LED的发射光谱并不能很好的匹配，制备方法也比较本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于半导体照明的近紫外激发蓝绿色发光荧光粉，其特征在于它的化学式为ＣａＹＡｌ↓［３］Ｏ↓［７］：ｘＣｅ，ｙＴｂ；其中０．００５≤ｘ≤０．０７，０．０２≤ｙ≤０．２４。

【技术特征摘要】
用于半导体照明的近紫外激发蓝绿色发光荧光粉，其特征在于它的化学式为CaYAl3O7:xCe，yTb；其中0.005≤x≤0.07，0.02≤y≤0.24。2. 制备权利要求1所述的用于半导体照明的近紫外激发蓝绿色荧光粉的方法，其特征 在于步骤如下按化学式称取CaC03， Y203， A1203， Ce02和Tb407，将各组分原料置于行星式球磨机中混合...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊先平，林祥，乔旭升，骆群，崔硕，潘毓，张小青，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]