本技术公开的一种用于刻蚀腔加热装置，包括刻蚀箱，刻蚀箱底侧设置有用于承接半导体器件的承载台；承载台顶侧形成由刻蚀箱围拢密封的刻蚀工作腔，在刻蚀工作腔周向外缘设置有位于刻蚀箱内壁处、对承载台上待加工半导体器件再次周向环形防护的腔壁密封环；腔壁密封环周向周围均匀设有多个分别安装于腔壁密封环内部、用于直接热传导加热腔壁密封环并通过环形辐射对刻蚀工作腔内部及承载台温控加热的电加热组件，通过电加热组件热传导的对腔壁密封环直接加热，有效提高加热效率，有效的将刻蚀工作腔内加工半导体器件的承载台温度控制在预设温度之间。
【技术实现步骤摘要】
【】本技术涉及半导体刻蚀技术，尤其涉及一种用于刻蚀腔加热装置。
技术介绍
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技术介绍
1、在半导体刻蚀过程中，承载台用于固持半导体器件，当半导体器件的温度在加热系统的作用下达到了刻蚀反应所需要的温度时，刻蚀气体与半导体器件的表面发生反应，从而实现对半导体器件的刻蚀。
2、半导体器件在刻蚀腔室中进行刻蚀加工处理时，承载台一般采用陶瓷制成的盘体，为了避免刻蚀过程中在承载台上产生附属物，以及避免附属物掉落到半导体器件上造成半导体器件缺陷，一般需要控制半导体器件的温度在预设温度范围内。
3、现有对于承载台的控温方法，一般采用分别设置于刻蚀腔室两侧的两个通气管道将气体同步通入到腔室内，同时采用两个加热器分别对两个通气管道通入的气体同步进行加热处理，然后，通气管道送入到刻蚀腔室内的气体接触承载台，相应控制承载台的温度。
4、但是，这种承载台的控温方法，无法实现将承载台的温度控制在预设温度，控温速度慢、控温成本较高。
技术实现思路
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技术实现思路
1、本技术提供一种用于刻蚀腔加热装置，在刻蚀过程中有效保证废气排放通过的密封对称性，有效提高刻蚀空间中等离子体的密度及能量均匀性，有效提高刻蚀加工精度。
2、本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种用于刻蚀腔加热装置，用于将刻蚀工作腔内加工半导体器件的承载台温度控制在预设温度之间，包括刻蚀箱，所述刻蚀箱底侧设置有用于承接半导体器件的承载台；
>4、所述承载台顶侧形成由所述刻蚀箱围拢密封的刻蚀工作腔；5、在刻蚀工作腔周向外缘设置有位于所述刻蚀箱内壁处、对承载台上待加工半导体器件再次周向环形防护的腔壁密封环；
6、所述腔壁密封环周向周围均匀设有多个分别安装于腔壁密封环内部、用于直接热传导加热腔壁密封环并通过环形辐射对刻蚀工作腔内部及承载台温控加热的电加热组件。
7、优选地，所述腔壁密封环为圆环形限制圈。
8、优选地，所述圆环形限制圈沿圆形周向对称的开设有四个均匀分布、轴向贯通的用于每个电加热组件安装固定的轴向通孔。
9、优选地，每个所述电加热组件包括圆形的电加热棒和至少一个弹性固定片，所述电加热棒和所述弹性固定片紧邻贴合的插套安装于轴向通孔内、并通过弹性固定片弹性限位使所述电加热棒外壁紧贴连接于所述圆环形限制圈的轴向通孔内壁。
10、优选地，所述圆环形限制圈底端还承接的设置有对所有所述电加热组件上的电加热棒和弹性固定片固定连接的定位圈。
11、优选地，两个所述弹性固定片紧邻叠加后随同所述电加热棒插套安装于轴向通孔内。
12、优选地，所述圆环形限制圈底端内沿还周向向内延伸的设有与所述定位圈内缘固定连接的内凸沿。
13、本技术的有益效果是：
14、在腔壁密封环周向周围均匀设有多个分别安装于腔壁密封环内部的电加热组件，通过多个电加热组件直接热传导加热腔壁密封环，并通过腔壁密封环的环形辐射对刻蚀工作腔内部及承载台温控加热，有效提高加热效率，有效的将刻蚀工作腔内加工半导体器件的承载台温度控制在预设温度之间。
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【技术保护点】
1.一种用于刻蚀腔加热装置，用于将刻蚀工作腔内加工半导体器件的承载台温度控制在预设温度之间，其特征在于，包括刻蚀箱，所述刻蚀箱底侧设置有用于承接半导体器件的承载台；
2.根据权利要求1所述的一种用于刻蚀腔加热装置，其特征在于：所述腔壁密封环为圆环形限制圈。
3.根据权利要求2所述的一种用于刻蚀腔加热装置，其特征在于：所述圆环形限制圈沿圆形周向对称的开设有四个均匀分布、轴向贯通的用于每个电加热组件安装固定的轴向通孔。
4.根据权利要求3所述的一种用于刻蚀腔加热装置，其特征在于：每个所述电加热组件包括圆形的电加热棒和至少一个弹性固定片，所述电加热棒和所述弹性固定片紧邻贴合的插套安装于轴向通孔内、并通过弹性固定片弹性限位使所述电加热棒外壁紧贴连接于所述圆环形限制圈的轴向通孔内壁。
5.根据权利要求4所述的一种用于刻蚀腔加热装置，其特征在于：所述圆环形限制圈底端还承接的设置有对所有所述电加热组件上的电加热棒和弹性固定片固定连接的定位圈。
6.根据权利要求4所述的一种用于刻蚀腔加热装置，其特征在于：两个所述弹性固定片紧邻叠加后随同所述电加热棒插套安装于轴向通孔内。
7.根据权利要求5所述的一种用于刻蚀腔加热装置，其特征在于：所述圆环形限制圈底端内沿还周向向内延伸的设有与所述定位圈内缘固定连接的内凸沿。
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【技术特征摘要】
1.一种用于刻蚀腔加热装置，用于将刻蚀工作腔内加工半导体器件的承载台温度控制在预设温度之间，其特征在于，包括刻蚀箱，所述刻蚀箱底侧设置有用于承接半导体器件的承载台；
2.根据权利要求1所述的一种用于刻蚀腔加热装置，其特征在于：所述腔壁密封环为圆环形限制圈。
3.根据权利要求2所述的一种用于刻蚀腔加热装置，其特征在于：所述圆环形限制圈沿圆形周向对称的开设有四个均匀分布、轴向贯通的用于每个电加热组件安装固定的轴向通孔。
4.根据权利要求3所述的一种用于刻蚀腔加热装置，其特征在于：每个所述电加热组件包括圆形的电加热棒和至少一个弹性固定片，所述电加热棒和所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李志强，
申请(专利权)人：珠海恒格微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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