一种用于刻蚀腔废气排放的流道结构及其刻蚀机制造技术

本发明专利技术公开的一种用于刻蚀腔废气排放的流道结构及其刻蚀机，包括刻蚀箱和下电极组件，下电极组件安装于刻蚀箱中下部中心；下电极组件正上方的刻蚀箱上部形成刻蚀工作室；在刻蚀箱与下电极组件之间形成用于刻蚀工作室内废气排放的环状流道；环状流道底侧设置有用于刻蚀后废气沿下电极组件周向外围均匀缓流排出的缓流格栅板；环状流道下侧还设有相对上侧的缓流格栅板平行间隔设置的分流导向板，分流导向板沿下电极组件中部周向外围均匀分布的设置有多个用于将排出废气分别分流导向后排出的分流导向孔；通过缓流格栅板和分流导向板，有效保证刻蚀过程中的废气舒缓稳流的排出，有效保证刻蚀工作室中有旋交变电场的磁场稳定，提高刻蚀精度

【技术实现步骤摘要】
一种用于刻蚀腔废气排放的流道结构及其刻蚀机


[0001]本专利技术涉及半导体刻蚀技术，尤其涉及一种用于刻蚀腔废气排放的流道结构及其刻蚀机
。

技术介绍

[0002]在半导体刻蚀过程中，影响刻蚀加工精度因素有多重，但最终的目的都是为了在刻蚀腔中有旋的交变电场
E(t)
作用下控制等离子体形成
。
[0003]但是，在刻蚀过程中，由于需要不断的对刻蚀腔抽真空
、
充注惰性反应气体和排放刻蚀后的废气，所以不可避免的造成腔壁密封环开设各种通道口，影响有旋的交变电场的磁场对称性，进而造成刻蚀腔空间内等离子体的密度及能量均匀性不达标，影响刻蚀加工的精度
。
[0004]特别是刻蚀时，由于刻蚀废气不能够进行有序
、
稳流的排放，反而会扰乱有旋的交变电场的磁场，影响蚀腔空间内的等离子体密度，影响半导体器件的刻蚀精度
。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种用于刻蚀腔废气排放的流道结构及其刻蚀机，在刻蚀过程中有效保证废气排放通过腔体的密封对称性，有效提高刻蚀空间中等离子体的密度及能量均匀性，有效提高刻蚀加工精度
。
[0006]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0007]一种用于刻蚀腔废气排放的流道结构，包括刻蚀箱和下电极组件，所述下电极组件安装于所述刻蚀箱中下部中心；
[0008]所述下电极组件正上方的刻蚀箱上部形成用于刻蚀加工后半导体器件的刻蚀工作室；r/>[0009]在刻蚀工作室周向外缘的所述刻蚀箱与所述下电极组件之间形成用于刻蚀工作室内废气排放的环状流道；
[0010]所述环状流道底侧设置有用于刻蚀工作室内刻蚀后废气
、
沿所述下电极组件周向外围均匀缓流排出的缓流格栅板；
[0011]所述环状流道下侧还设有相对上侧的缓流格栅板平行间隔设置的分流导向板，所述分流导向板沿所述下电极组件中部周向外围均匀分布的设置有多个用于将所述缓流格栅板排出废气分别分流导向后排出的分流导向孔
。
[0012]优选地，所述环状流道内壁设有环状包套所述下电极组件顶端部分的环状封套，所述环状封套底端径向沿周向外延延伸形成所述缓流格栅板
。
[0013]优选地，所述环状封套与所述缓流格栅板一体成形为圆环凸台形结构
。
[0014]优选地，所述环状流道为圆形环绕于所述下电极组件外围的圆环形流道，对应的所述缓流格栅板为封盖于圆环形流道上侧的圆环状格栅圈
。
[0015]优选地，所述圆环状格栅圈沿周向均匀分布有多个沿径向延伸
、
且上下竖直贯通
的条状缓流通孔
。
[0016]优选地，所述分流导向板由四个圆弧板首尾对接形成的圆环圈组成，每个圆弧板中心开设有一个用于废气分流导出的长圆形分流导向孔
。
[0017]优选地，所述缓流格栅板与所述分流导向板之间的刻蚀箱侧壁上还设置有二个对称分布
、
用于对排出废气观察的观察窗，所述观察窗内侧连接有上下沿分别与缓流格栅板外缘和分流导向板外缘贴合
、
保持缓流格栅板与分流导向板之间流道对称顺畅的弧形导流板
。
[0018]一种刻蚀机，该刻蚀机的刻蚀废气排出通道中安装有如上述的一种用于刻蚀腔废气排放的流道结构
。
[0019]本专利技术的有益效果是：
[0020]在刻蚀箱与下电极组件之间形成用于刻蚀工作室内废气排放的环状流道，环状流道底侧设置有用于刻蚀后废气
、
沿下电极组件周向外围均匀缓流排出的缓流格栅板，环状流道下侧还设有相对上侧的缓流格栅板平行间隔设置的分流导向板，分流导向板沿下电极组件中部周向外围均匀分布的设置有多个用于将排出废气分别分流导向后排出的分流导向孔，通过缓流格栅板和分流导向板的共同作用，有效保证刻蚀过程中的废气舒缓稳流的排出，有效保证刻蚀工作室中有旋交变电场的磁场稳定，提高刻蚀精度
。
【附图说明】
[0021]图1是本专利技术实施例中的纵剖结构示意图；
[0022]图2是本专利技术实施例中的横剖结构示意图；
[0023]图3是本专利技术实施例中去除刻蚀箱的立体结构示意图；
[0024]图4是本专利技术实施例中去除下电极组件后的剖视结构示意图；
[0025]图5是本专利技术实施例中主体部件的爆炸结构示意图；
[0026]附图标记：
[0027]1、
刻蚀箱；
2、
下电极组件；
3、
刻蚀工作室；
4、
环状流道；
5、
缓流格栅板；
6、
分流导向板；
7、
分流导向孔；
60、
圆弧板；
8、
环状封套；
9、
条状缓流通孔；
10、
观察窗；
11、
弧形导流板
。
【具体实施方式】
[0028]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件
。
[0029]显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制
。
[0030]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释
。
在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放
的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制
。
[0031]此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜
。
如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜
。
[0032]在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于刻蚀腔废气排放的流道结构，其特征在于，包括刻蚀箱和下电极组件，所述下电极组件安装于所述刻蚀箱中下部中心；所述下电极组件正上方的刻蚀箱上部形成用于刻蚀加工后半导体器件的刻蚀工作室；在刻蚀工作室周向外缘的所述刻蚀箱与所述下电极组件之间形成用于刻蚀工作室内废气排放的环状流道；所述环状流道底侧设置有用于刻蚀工作室内刻蚀后废气
、
沿所述下电极组件周向外围均匀缓流排出的缓流格栅板；所述环状流道下侧还设有相对上侧的缓流格栅板平行间隔设置的分流导向板，所述分流导向板沿所述下电极组件中部周向外围均匀分布的设置有多个用于将所述缓流格栅板排出废气分别分流导向后排出的分流导向孔
。2.
根据权利要求1所述的一种用于刻蚀腔废气排放的流道结构，其特征在于：所述环状流道内壁设有环状包套所述下电极组件顶端部分的环状封套，所述环状封套底端径向沿周向外延延伸形成所述缓流格栅板
。3.
根据权利要求2所述的一种用于刻蚀腔废气排放的流道结构，其特征在于：所述环状封套与所述缓流格栅板一体成形为圆环凸台形结构
。4.
根据权利要求1所述的一种用于刻蚀腔废气排放的流道结构，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志强，
申请(专利权)人：珠海恒格微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：