【技术实现步骤摘要】
用于等离子体刻蚀设备的边缘环和等离子体刻蚀设备
[0001]本技术总体上涉及半导体制造领域，更具体地，涉及一种用于半导体器件制造中的等离子体刻蚀设备的边缘环和等离子体刻蚀设备
。
技术介绍
[0002]刻蚀工艺是半导体器件制造过程中的关键工艺，刻蚀包括干法刻蚀和湿法刻蚀
。
干法刻蚀被用于半导体制造工艺中先进电路的小特征尺寸的精细刻蚀，是指以反应气体为主要媒体，在射频
(RF)
电场的作用下形成等离子体，对半导体材料进行刻蚀，得到所需要的器件外形结构
。
例如，在典型的等离子体刻蚀工艺中，工艺气体
(
例如，
CF4、O2等
)
在射频激励作用下形成等离子体
。
这些等离子体在经过上电极和下电极之间的电场
(
电容耦合或者电感耦合
)
作用后与晶圆表面发生物理轰击作用和化学反应，从而刻蚀出具有特定结构的晶圆
。
[0003]然而，等离子体浓度随晶圆的相对位置
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种用于等离子体刻蚀设备的边缘环，其特征在于，包括：第一环状部；和第二环状部，位于所述第一环状部上，与所述第一环状部同心地一体形成，其中，所述第二环状部具有形成于内侧的斜坡部，所述斜坡部沿径向方向向外倾斜延伸，并且其中，所述斜坡部的斜面与所述第一环状部的上表面所形成的锐角角度处于
52
°
～
58
°
的范围内
。2.
根据权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的边缘环，其特征在于：所述锐角角度大约为
55
°
。3.
根据权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的边缘环，其特征在于：所述第一环状部的外径与所述第二环状部的外径相同，使得所述第一环状部的外周面与所述第二环状部的外周面齐平
。4.
根据权利...
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