一种匀气盘制造技术

本实用新型专利技术公开了一种匀气盘

【技术实现步骤摘要】
一种匀气盘、放电腔及离子源


[0001]本技术涉及离子源
，更具体地说，涉及一种匀气盘
、
放电腔及离子源
。

技术介绍

[0002]离子源是离子束刻蚀的关键部件，离子源的优劣直接影响刻蚀性能
。
射频感性耦合离子源由于具有高密度
、
无污染
、
易维护和长寿命等优点被广泛用于离子束刻蚀
、
材料表面改性和薄膜加工等领域
。
离子束加工是当代微纳米精密加工的重要工艺之一
。
它是通过气体及它们的混合物辉光放电产生的等离子体，经抽取
、
成束
、
加速
、
中和形成单一方向的中性粒子束，在常温或高温，超真空环境中对金属
、
合金
、
氧化物
、
化合物
、
混合材料
、
半导体
、
绝缘体
、
超导体等材料的工件进行抛光
、
清洗
、
刻蚀
、
溅射
、
沉积
、
镀膜
、
注入等微纳米级的超精细加工
。
[0003]当需要刻蚀时，参照图1，气体从放电腔1的底部进入腔室，并通过匀气盘2将气体均匀的分布于放电腔1内，在底部螺旋线圈3的作用下，对腔内的气体进行电离，放电腔1内的电子被电场加速，产生密集的等离子体，经栅极4引出
>。
但并且匀气盘2表面为平整光滑的表面，离子源工作过程中，由于所刻蚀材料
、
挡板
、
金属材料的溅射，会在表面形成导电的镀层，在射频线圈工作条件下，该镀层会形成涡流而造成能量损耗，表现为功率升高，严重影响离子源的稳定性
。
[0004]综上所述，如何解决离子源工作过程中存在稳定性差的问题已经成为本领域技术人员亟待解决的技术问题
。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术提供了一种匀气盘
、
放电腔及离子源，以解决离子源工作过程中存在稳定性差的问题
。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0007]一种匀气盘，用于安装至离子源的放电腔内，所述匀气盘的顶面设置有至少一个隔断结构，所述隔断结构自所述匀气盘的中部延伸至所述匀气盘的外边沿，以使得所述匀气盘的整个顶面在工作过程中所形成的导电镀层为间断镀层
。
[0008]可选地，所述隔断结构的数量为多个且沿所述匀气盘的周向间隔分布
。
[0009]可选地，所述隔断结构为设置于所述匀气盘的顶面的条形凹槽
。
[0010]可选地，所述条形凹槽的槽宽在所述条形凹槽的槽底至顶部槽口的深度方向上至少部分深度段呈槽宽变小结构
。
[0011]可选地，所述隔断结构为设置于所述匀气盘的顶面的条形凸起
。
[0012]可选地，所述条形凸起的宽度在所述条形凸起的高度方向上至少部分高度段呈宽度变大结构
。
[0013]可选地，所述隔断结构包括第一隔断段和第二隔断段，所述第一隔断段和所述第
二隔断段在所述隔断结构的延伸方向上依次衔接布置
。
[0014]可选地，所述第一隔断段和所述第二隔断段这两者中的一者为设置于所述匀气盘的顶面的条形凹槽，另一者为设置于所述匀气盘的顶面的条形凸起
。
[0015]可选地，所述隔断结构的数量为多个，其中，多个所述隔断结构中的至少一个所述隔断结构为设置于所述匀气盘的顶面的条形凹槽，且多个所述隔断结构中的至少一个所述隔断结构为设置于所述匀气盘的顶面的条形凸起
。
[0016]可选地，所述匀气盘上设置有安装孔，所述放电腔内设置有安装柱，所述安装孔用于与所述安装柱卡合固定
。
[0017]可选地，所述安装孔包括相互贯通的第一通孔和第二通孔，所述安装柱包括柱头
、
柱身和形成于所述柱头与所述柱身之间的颈部卡槽，所述第一通孔配置为允许所述柱头穿过，所述第二通孔配置为能够与所述颈部卡槽适配卡合
。
[0018]可选地，所述第一通孔与所述第二通孔之间通过贯通衔接槽连接，所述贯通衔接槽的槽宽
G
为自所述第一通孔一侧向所述第二通孔一侧贯通的方向上逐渐变窄，且所述槽宽
G
的取值满足条件：
d≤G≤D
，其中，
D
为第一通孔的直径，
d
为所述第二通孔的直径
。
[0019]可选地，所述安装孔为葫芦孔，且所述第一通孔为大径孔，所述第二通孔为小径孔
。
[0020]可选地，所述安装孔的数量为多个，且在所述匀气盘的盘面上沿周向均匀排布
。
[0021]可选地，各个所述安装孔的贯通方向均呈直线布置且相互平行
。
[0022]可选地，各个所述安装孔的贯通方向均呈圆弧形且位于以所述匀气盘的中心为圆心的同一圆周上
。
[0023]相比于
技术介绍
介绍内容，上述匀气盘，用于安装至离子源的放电腔内，匀气盘的顶面设置有至少一个隔断结构，隔断结构自匀气盘的中部延伸至匀气盘的外边沿，以使得匀气盘的整个顶面在工作过程中所形成的导电镀层为间断镀层
。
实际应用过程中，通将上述结构的匀气盘安装至离子源的放电腔内，由于匀气盘的顶面设置有至少一个隔断结构，并且该隔断结构自匀气盘的中部延伸至匀气盘的外边沿，因此，离子源工作过程中，即便匀气盘的顶面形成导电镀层，该隔断结构也能够将导电镀层分隔开来，使得导电镀层分隔成若干间断镀层，使得匀气盘的整个顶面不会连续导通，从而使其不会因为螺旋线圈的作用形成涡流而造成能量损耗，可有效提高离子源的稳定性
。
[0024]另外，本技术还提供了一种放电腔，其内安装有匀气盘，所述匀气盘为上述任一方案所描述的匀气盘
。
由于该匀气盘具有上述技术效果，因此具有该匀气盘的放电腔也应具有相应的技术效果，在此不再赘述
。
[0025]可选地，所述放电腔为筒形结构，所述筒形结构的腔底壁上设置有进气孔，所述放电腔内的安装柱沿所述进气孔的周向布置
。
[0026]可选地，所述安装柱与所述放电腔为相同材质且为一体成型
。
[0027]此外，本技术还提供了一种离子源，包括放电腔，所述放电腔为上述任一方案所描述的放电腔
。
由于该放电腔具有前述技术效果，因此具有该放电腔的离子源也应具有相应的技术效果，在此不再赘述
。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种匀气盘，用于安装至离子源的放电腔
(1)
内，其特征在于，所述匀气盘
(2)
的顶面设置有至少一个隔断结构
(201)
，所述隔断结构
(201)
自所述匀气盘
(2)
的中部延伸至所述匀气盘
(2)
的外边沿，以使得所述匀气盘
(2)
的整个顶面在工作过程中所形成的导电镀层为间断镀层
。2.
如权利要求1所述的匀气盘，其特征在于，所述隔断结构
(201)
的数量为多个且沿所述匀气盘
(2)
的周向间隔分布
。3.
如权利要求1所述的匀气盘，其特征在于，所述隔断结构
(201)
为设置于所述匀气盘
(2)
的顶面的条形凹槽
。4.
如权利要求3所述的匀气盘，其特征在于，所述条形凹槽的槽宽在所述条形凹槽的槽底至顶部槽口的深度方向上至少部分深度段呈槽宽变小结构
。5.
如权利要求1所述的匀气盘，其特征在于，所述隔断结构
(201)
为设置于所述匀气盘
(2)
的顶面的条形凸起
。6.
如权利要求5所述的匀气盘，其特征在于，所述条形凸起的宽度在所述条形凸起的高度方向上至少部分高度段呈宽度变大结构
。7.
如权利要求1所述的匀气盘，其特征在于，所述隔断结构
(201)
包括第一隔断段和第二隔断段，所述第一隔断段和所述第二隔断段在所述隔断结构
(201)
的延伸方向上依次衔接布置
。8.
如权利要求7所述的匀气盘，其特征在于，所述第一隔断段和所述第二隔断段这两者中的一者为设置于所述匀气盘
(2)
的顶面的条形凹槽，另一者为设置于所述匀气盘
(2)
的顶面的条形凸起
。9.
如权利要求1所述的匀气盘，其特征在于，所述隔断结构
(201)
的数量为多个，其中，多个所述隔断结构
(201)
中的至少一个所述隔断结构
(201)
为设置于所述匀气盘
(2)
的顶面的条形凹槽，且多个所述隔断结构
(201)
中的至少一个所述隔断结构
(201)
为设置于所述匀气盘
(2)
的顶面的条形凸起
。10.
如权利要求1所述的匀气盘，其特征在于，所述匀气盘
(2)
上设置有安装孔
(202)
，所述放电腔
(1)
内设置有安装柱
(101)
，所述安装孔
(202)
用于与所述安装柱
(101)
卡合固定
。11.
如权利要求
10
所述的匀气盘，其特征在于，所述安装孔
(202)
包括相互贯通的第一通孔
(202a)
和第二通孔
(202b)
，所述安装柱
(101)
包括柱头
(101a)、
柱身
(101b)
和形成于所述柱头
(101a)
...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫奎呈，杨振，刘小波，陈龙保，刘海洋，郭颂，胡冬冬，石小丽，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：