一种流场调节装置及等离子刻蚀装置制造方法及图纸

本技术公开了一种流场调节装置及等离子刻蚀装置，包括气流遮挡环和聚焦环，其中，气流遮挡环设置于反应腔体内且位于晶圆放置盘的上方，气流遮挡环的内环通孔与晶圆放置盘上所放置的晶圆正对布置，且内环通孔的形状与晶圆的外周形状相对应；聚焦环设置于晶圆放置盘上，聚焦环具有内环边缘，内环边缘用于与晶圆的外周匹配以围设形成环形引流槽，环形引流槽用于向晶圆的外边缘引入等离子气流。该流场调节装置，通过调节气流遮挡环和聚焦环的配合关系，能够使得晶圆的中心位置和边缘位置的等离子体密度相同，使得晶圆的中心位置和边缘位置的刻蚀速率得到均衡，继而能够提高刻蚀的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体芯片生产，更具体地说，涉及一种流场调节装置及等离子刻蚀装置。

技术介绍

1、在半导体器件制造中，硅片上会设计出若干相同的器件，随着器件尺寸的减小，保证各个器件之间性能一致变得尤为重要，这将直接决定产品良率的提升，同时也有利于增加产量、降低制造成本。刻蚀均匀性就是这种衡量刻蚀工艺在整张硅片上、或硅片与硅片之间、乃至批次与批次之间的刻蚀效果的参数，也是衡量刻蚀设备工艺性能的重要参数之一。

2、等离子体刻蚀机刻蚀腔的主要组成部分有：等离子体耦合线圈11、喷气嘴12、icp功率源13、下电极射频源14、屏蔽罩15、石英压盘16、氦气管道17、真空通道18等组成。工艺气体通过喷气嘴12进入等离子体反应腔室19，在等离子体耦合线圈11的作用下生成等离子体，下电极射频源14提供偏压功率使得等离子体加速轰击基片。在等离子体刻蚀技术中，影响刻蚀均匀性的一个重要因素就是气流。在等离子体腔室中，基片被放置在腔体内的静电吸盘上，用于向腔体内注入气体的喷头通常安装在腔体顶部中央或者侧壁，整个腔体配有真空泵进行抽真空操作。由于整体结构等限制，等离子体密度和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种流场调节装置，用于设置于等离子刻蚀装置的反应腔体(111)内，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的流场调节装置，其特征在于，还包括设置于所述反应腔体(111)内且用于支撑所述气流遮挡环(102)的调节支架。

3.如权利要求2所述的流场调节装置，其特征在于，所述调节支架包括设置于所述聚焦环(106)上的固定支架(105)和设置于所述固定支架(105)与所述气流遮挡环(102)之间的支撑柱，其中，所述固定支架(105)上设置有用于避让所述晶圆的避让开口(103)。

4.如权利要求1所述的流场调节装置，其特征在于，所述气流遮挡环(102)的底面...

【技术特征摘要】

1.一种流场调节装置，用于设置于等离子刻蚀装置的反应腔体(111)内，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的流场调节装置，其特征在于，还包括设置于所述反应腔体(111)内且用于支撑所述气流遮挡环(102)的调节支架。

3.如权利要求2所述的流场调节装置，其特征在于，所述调节支架包括设置于所述聚焦环(106)上的固定支架(105)和设置于所述固定支架(105)与所述气流遮挡环(102)之间的支撑柱，其中，所述固定支架(105)上设置有用于避让所述晶圆的避让开口(103)。

4.如权利要求1所述的流场调节装置，其特征在于，所述气流遮挡环(102)的底面与所述晶圆的刻蚀顶面之间的间距为a，其中，a的取值配置为：30mm≤a≤50mm。

5.如权利要求1所述的流场调节装置，其特征在于，所述气流遮挡环(102)的外环与所述反应腔体(111)的腔室内壁(113)之间具有预设缝隙。

6.如权利要求1所述的流场调节装置，其特征在于，所述内环通孔的内径不小于所述晶圆的外径。

7.如权利要求6所述的流场调节装置，其特征在于，所述内环通孔(1021)的内径取值为r，其中，r的取值配置为：160mm≤r≤230mm。

8.如权利要求5所述的流场调节装置，其特征在于，所述内环通孔(1021)具有与所述晶圆的切边位置相对应的第一平边(1022)，且所述切边与所述第一平边(1022)平行。

9.如权利要求8所述的流场调节装置，其特征在于，所述第一平边(1022)的长...

【专利技术属性】
技术研发人员：游飞，谷志强，任舟逸，秦彬鑫，石小丽，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：