【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子源，具体涉及一种离子源装置、离子源系统及其调试方法。
技术介绍
1、在当前的半导体器件、传感器件、存储器件等器件的制造工艺中，越来越多地开始应用离子束刻蚀系统(ion beam etching，ibe)。ibe的工作原理是在低压条件下，将气体通入离子源装置中激发产生等离子体，然后通过离子源栅网将离子束拉出和加速，并通过中和器产生的电子将离子束中的离子中和掉，最后的粒子束可以到达待加工部件的表面，进而可以实现刻蚀的目的。
2、请参考图1，图1为现有技术中的离子源装置的结构示意图。
3、如图1所示，一种常见的离子源装置包括工作桶01和进气管02。工作桶01包括顶板011和环形侧板012，顶板011和环形侧板012可以围合形成放电腔室013。进气管02安装于顶板011，用于向放电腔室013内通入工作气体。工作桶01的外侧配置有激发线圈03，通过为激发线圈03加载射频功率，放电腔室013内的工作气体可以产生电感耦合等离子体(inductively coupled plasma，icp)。
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【技术保护点】
1.一种离子源装置，包括工作桶(110)、进气管(120)和激发线圈(130)，所述工作桶(110)包括顶板(111)和环形侧板(112)，所述顶板(111)和所述环形侧板(112)围合形成放电腔室(113)，所述环形侧板(112)远离所述顶板(111)的一端围合形成出口(114)，所述激发线圈(130)外套于所述环形侧板(112)，其特征在于，
2.根据权利要求1所述离子源装置，其特征在于，所述第一磁体(140)和所述第二磁体(150)均为环形，所述第一磁体(140)外套于所述进气管(120)，所述第二磁体(150)外套于所述环形侧板(112)。
...【技术特征摘要】
1.一种离子源装置，包括工作桶(110)、进气管(120)和激发线圈(130)，所述工作桶(110)包括顶板(111)和环形侧板(112)，所述顶板(111)和所述环形侧板(112)围合形成放电腔室(113)，所述环形侧板(112)远离所述顶板(111)的一端围合形成出口(114)，所述激发线圈(130)外套于所述环形侧板(112)，其特征在于，
2.根据权利要求1所述离子源装置，其特征在于，所述第一磁体(140)和所述第二磁体(150)均为环形，所述第一磁体(140)外套于所述进气管(120)，所述第二磁体(150)外套于所述环形侧板(112)。
3.根据权利要求1所述离子源装置，其特征在于，所述第一磁体(140)包括环绕所述进气管(120)间隔分布的若干第一分体(141)，所述第二磁体(150)包括环绕所述环形侧板(112)间隔分布的若干第二分体(151)。
4.根据权利要求1所述离子源装置，其特征在于，所述第一磁体(140)具有第一n极(140a)和第一s极(140b)，所述第一n极(140a)和所述第一s极(140b)的分布方向和所述工作桶(110)的轴向相平行。
5.根据权利要求1所述离子源装置，其特征在于，所述第二磁体(150)具有第二n极(150a)和第二s极(150b)，所述第二n极(150a)和所述第二s极(150b)的分布方向和所述工作桶(110)的轴向相平行。
6.根据权利要求1所述离子源装置，其特征在于，所述第二磁体(150)具有第二n极(150a)和第二s极(150b)，所述第二n极(150a)和所述第二s极(150b)的分布方向和所述工作桶(110)的轴向呈夹角设置。
7.根据权利要求1-6中任一项所述离子源装置，其特征在于，还包括第一驱动部件(160)，所述第一驱动部件(160)和所述第一磁体(140)相连，用于驱使所述第一磁体(140)进行位移。
8.根据权利要求7所述离子源装置，其特征在于，所述第一磁体(140)的位移方向和所述工作桶(110)的轴向相平行。
9.根据权利要求1-6中任一项所述离子源装置，其特征在于，还包括第二驱动部件(170)，所述第二驱动部件(170)和所述第二磁体(150)相连，用于驱使所述第二磁体(150)进行位移。
10.根据权利要求9所述离子源装置，其特征在于，所述第二磁体(150)的位移方向和所述工作桶(110)的轴向相平行。
11.根据权利要求1-6中任一项所述离子源装置，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡冬冬，杨振，闫奎呈，陈龙保，刘海洋，郭颂，徐康宁，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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