【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种用于装置制造的硬掩模剥离工艺。
技术介绍
1、掩蔽和剥离工艺可以用于限定沉积的结构，从而形成用于诸如量子计算的应用的装置的各部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面描述一种制造方法。根据所述制造方法，提供衬底、安置在衬底上的第一层以及安置在第一层上的第二层。蚀刻出穿过第二层到达第一层的开口。使用第一蚀刻剂通过开口蚀刻第一层的第一部分，以通过开口暴露衬底的表面。通过开口将特征件沉积在衬底的表面上。使用气体蚀刻剂蚀刻第一层的第二部分以从第二层释放衬底。
2、制造方法的实现方式可以具有至少以下特性中的任何一个或多个。
3、在一些实现方式中，第一层包括硅氧化物。
4、在一些实现方式中，第二层包括硬掩模材料。在一些实现方式中，硬掩模材料包括非晶硅或多晶硅中的至少一种。
5、在一些实现方式中，气体蚀刻剂包括气态氢氟酸。
6、在一些实现方式中，所述特征件耐受气体蚀刻剂的蚀刻。在一些实现方式中，所述特征件易受气体蚀刻剂的液体类似物
【技术保护点】
1.一种制造方法，其包括：
2.如权利要求1所述的制造方法，其中所述第一层包括硅氧化物。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其中所述第二层包括硬掩模材料。
4.如权利要求3所述的制造方法，其中所述硬掩模材料包括非晶硅或多晶硅中的至少一种。
5.如权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其中所述气体蚀刻剂包括气态氢氟酸。
6.如权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其中所述特征件耐受所述气体蚀刻剂的蚀刻。
7.如权利要求6所述的制造方法，其中所述特征件易受所述气体蚀刻剂的液体类似物的蚀刻。
<...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种制造方法，其包括：
2.如权利要求1所述的制造方法，其中所述第一层包括硅氧化物。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其中所述第二层包括硬掩模材料。
4.如权利要求3所述的制造方法，其中所述硬掩模材料包括非晶硅或多晶硅中的至少一种。
5.如权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其中所述气体蚀刻剂包括气态氢氟酸。
6.如权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其中所述特征件耐受所述气体蚀刻剂的蚀刻。
7.如权利要求6所述的制造方法，其中所述特征件易受所述气体蚀刻剂的液体类似物的蚀刻。
8.如权利要求1至7中任一项所述的制造方法，其中所述第二层耐受所述气体蚀刻剂的蚀刻。
9.如权利要求1至8中任一项所述的制造方法，其中所述第一蚀刻剂包括所述气体蚀刻剂。
10.如权利要求9所述的制造方法，其中使用所述气体蚀刻剂蚀刻所述第一层的所述第二部分包括：使用与使用所述气体蚀刻剂蚀刻所述第一层的所述第一部分所使用的相比更高的蚀刻腔室压力、更高浓度的活性气体蚀刻试剂或更高的蚀刻温度中的至少一者来蚀刻所述第二部分。
11.如权利要求1至10中任一项所述的制造方法，其包括在所述衬底处于高于150℃的温度时至少部分地沉积所述特征件。
12.如权利要求1至11中任一项所述的制造方法，其中所述特征件包括金属。
13.如权利要求12所述的制造方法，其中所述金属包括铝、铌或钽中的至少一种。
14.如权利要求1至13中任一项所述的制造方法，其中沉积所述特征件包括通过物理气相沉积或化学沉积来沉积所述特征件。
15.如权利要求1至14中任一项所述的制造方法，其中沉积所述特征件包括通过双角度沉积工艺来沉积所述特征件。
16.如权利要求1至15中任一项所述的制造方法，其中蚀刻出所述开口包括执行等离子体蚀刻或湿化学蚀刻。
17.如权利要求1至16中任一项所述的制造方法，其中蚀刻所述第一层的所述第一部分包括在所述第一层中蚀刻出底切。
18.如权利要求1至17中任一项所述的制造方法，其包括除了所述开口之外还蚀刻出穿过所述第二层到达所述第一层的多个通气孔。
19.如权利要求1至18中任一项所述的制造方法，其包括在沉积所述特征件之前并且在蚀刻所述第一层的所述第一部分之后，通过等离子体工艺清洁所述衬底的所述表面。
20.如权利要求1至19中任一项所述的制造方法，其包括在沉积所述特征件之前并且在蚀刻所述第一层的所述第一部分之后，在高于150℃的温度下至少部分地对所述衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·J·伯克特，J·M·克雷克鲍姆，
申请(专利权)人：谷歌有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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