一种半导体结构及其制备方法、存储器技术

本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法、存储器，半导体结构包括第一器件结构和第二器件结构；第一器件结构包括第一有源区和位于第一有源区上方的第一栅极结构；其中，第一有源区包括第一能带调节层，第一栅极结构位于第一能带调节层上方；第二器件结构包括第二有源区和位于第二有源区上方的第二栅极结构；其中，第二有源区包括第二能带调节层，第二栅极结构位于第二能带调节层上方；第一能带调节层的厚度小于第二能带调节层的厚度。本公开实施例提供的半导体结构能够改善阈值电压的调节效果。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，涉及但不限于一种半导体结构及其制备方法、存储器。

技术介绍

1、晶体管是一种重要的半导体器件。目前，根据栅氧化层的厚度不同，可以将晶体管划分为厚氧器件(thick device)和薄氧器件(thin device)，厚氧器件和薄氧器件均采样功函数调节层来调节晶体管的阈值电压(threshold voltage，vt)。然而，由于功函数调节层的调节效果受到栅氧化层厚度及高介电常数材料层的限制，使得功函数调节层对于厚氧器件和薄氧器件的调节效果不同，导致厚氧器件容易引入较高的阈值电压，降低了晶体管的性能。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法、存储器。

2、第一方面，本公开实施例提供一种半导体结构，所述半导体结构包括第一器件结构和第二器件结构；

3、所述第一器件结构包括第一有源区和位于第一有源区上方的第一栅极结构；其中，所述第一有源区包括第一能带调节层，所述第一栅极结构位于所述第一能带调节层上方；

4、所述第二器件结构包括第二有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括第一器件结构和第二器件结构；

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一能带调节层为硅锗(SiGe)，所述第二能带调节层为SiGe；

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第三器件结构和第四器件结构，所述第三器件结构和所述第四器件结构均为N型晶体管；

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构、所述第二栅极结构、所述第三栅极结构或者所述第四栅极结构包括：p>

6.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括第一器件结构和第二器件结构；

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一能带调节层为硅锗(sige)，所述第二能带调节层为sige；

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第三器件结构和第四器件结构，所述第三器件结构和所述第四器件结构均为n型晶体管；

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构、所述第二栅极结构、所述第三栅极结构或者所述第四栅极结构包括：

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构、所述第二栅极结构、所述第三栅极结构或者所述第四栅极结构包括：

7.根据权利要求5或6所述的半导体结构，其特征在于，

8.根据权利要求5或6所述的半导体结构，其特征在于，所述导电层包括：

9.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构、所述第二栅极结构、所述第三栅极结构或者所述第四栅极结构还包括：

10.根据权利要求6所述的半导体结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈宇桐，王蒙蒙，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：