半导体沉积设备制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体沉积设备，属于半导体技术领域

【技术实现步骤摘要】
半导体沉积设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体沉积设备
。

技术介绍

[0002]半导体沉积设备在处理晶圆时，使用的技术包括：物理气相沉积
(PVD)、
化学气相沉积
(CVD)、
电浆增强化学气相沉
(PECVD)、
原子层沉积
(ALD)、
电浆增强原子层沉积
(PEALD)、
蚀刻以及光阻去除
。
[0003]但是，现阶段存在以下技术问题：1）将反应气体直接输入至半导体工艺腔室内，由于反应气体流动速度不均匀容易造成半导体表面形成的沉积层也不均匀，降低了产品的良率；2）反应气体进入半导体工艺腔室后，四处弥散，使加热盘周围的浓度过低，降低了半导体沉积的效率；3）需要额外独立增设等离子体气体产生装置，增大了半导体沉积设备的占地面积，而且等离子体气体产生装置与半导体工艺腔室之间通过较长管路连接，使设备整体的沉积效率受到严重影响
。
[0004]为此，亟需提供一种半导体沉积设备以解决上述问题
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
半导体沉积设备，其特征在于，包括：半导体工艺腔室
(100)
，分隔板
(200)
设置于所述半导体工艺腔室
(100)
内，并将所述半导体工艺腔室
(100)
分隔为上腔体
(101)
和下腔体
(102)
，所述分隔板
(200)
上设有通气通道
(201)
；石英筒
(300)
，设置于所述分隔板
(200)
上且位于所述上腔体
(101)
内，所述石英筒
(300)
的外壁面绕设有磁感线圈
(400)
；输气管路
(500)
，穿过所述上腔体
(101)
并与所述石英筒
(300)
连通；加热盘
(600)
，固定设置于所述下腔体
(102)
内，用于放置晶圆
(5)
；通气组件
(700)
，包括导流筒
(3)
和设置于所述分隔板
(200)
底部的通气板主体
(1)
，所述通气板主体
(1)
上均匀开设有多个通气孔
(2)
，所述通气孔
(2)
的第一端口
(21)
的内径小于所述通气孔
(2)
的第二端口
(22)
的内径，所述通气孔
(2)
内的导流孔洞
(23)
的内径沿所述第一端口
(21)
朝向所述第二端口
(22)
的方向逐渐增大，所述通气板主体
(1)
包括第一端面
(11)
和第二端面
(12)
，所述第一端口
(21)
与所述第一端面
(11)
贯通，所述第二端口
(22)
与所述第二端面
(12)
贯通，所述导流筒
(3)
设置于所述通气板主体
(1)
的第二端面
(12)
，所述导流筒
(3)
沿靠近所述加热盘
(600)
的方向延伸，多个所述通气孔
(2)
的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴建波，石宇，
申请(专利权)人：无锡邑文微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：