导流腔和半导体设备制造技术

本公开提供的一种导流腔和半导体设备，涉及半导体技术领域

【技术实现步骤摘要】
导流腔和半导体设备


[0001]本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种导流腔和半导体设备
。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，蚀刻技术可以分为湿蚀刻
(wet etching)
和干蚀刻
(dry etching)
两类
。
其中，干法刻蚀是利用等离子体进行薄膜刻蚀的技术，干法蚀刻中需要利用多种气体进行蚀刻，例如：惰性系
、
腐蚀系
、
氧化系以及
C
系
、F
系等气体，通常在密闭腔体内进行蚀刻工艺，其中密闭腔体内的蚀刻气流在反应时存在气流大小不一致，导致蚀刻反应速度不均匀，以及密闭腔体的管路通常采用同一进口进入腔体，容易存在反应残留物，导致蚀刻不均匀等问题
。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种导流腔和半导体设备，其能够调节进入腔体内的气体流量，从而提高反应效率和气流的均匀性
。
且能实现多种气体从不同的进气口进入腔体，防止同一进气口的残留物反应
。
[0004]本技术的实施例是这样实现的：
[0005]第一方面，本技术提供一种导流腔，包括：
[0006]底板，所述底板上间隔设有安装孔和第一进气孔，所述底板用于放置晶圆；
[0007]侧板，所述侧板和所述底板连接，所述侧板和所述底板围成腔体；所述侧板上设有安装槽，所述安装槽的截面尺寸和形状与所述安装孔的截面形状尺寸一致；所述安装槽内设有与所述第一进气孔连通的第二进气孔；
[0008]调节块，所述调节块设于所述安装孔和
/
或所述安装槽中，所述调节块上设有与所述腔体连通的调节孔
。
[0009]在可选的实施方式中，所述调节块安装于所述安装孔的状态下，所述调节块朝向所述腔体的一侧表面凸出于所述底板朝向所述腔体的一侧表面，且所述调节块的表面高于所述晶圆的表面
。
[0010]在可选的实施方式中，所述侧板呈锥形，所述侧板远离所述底板的一侧的直径大于所述侧板靠近所述底板一侧的直径
。
[0011]在可选的实施方式中，所述安装孔的截面呈弧形，所述安装孔靠近底板中心的一侧的弧长小于所述安装孔远离底板中心的一侧的弧长
。
[0012]在可选的实施方式中，所述安装槽的截面呈弧形，所述安装槽靠近所述底板的一侧的弧长大于所述安装槽远离所述底板的一侧的弧长
。
[0013]在可选的实施方式中，所述调节块的截面形状尺寸与所述安装槽或所述安装孔的截面形状尺寸一致
。
[0014]在可选的实施方式中，所述调节孔包括第一通孔和第二通孔；
[0015]所述调节块包括相对设置的第一弧面和第二弧面，以及相对设置的第一平面和第
二平面；所述调节块设有贯穿所述第一弧面和所述第二弧面的第一通孔，以及贯穿所述第一平面和所述第二平面的第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔连通
。
[0016]在可选的实施方式中，所述第二进气孔和所述第一通孔连通
。
[0017]在可选的实施方式中，所述第二通孔的数量为多个，多个所述第二通孔相互连通
。
[0018]第二方面，本技术提供一种半导体设备，包括机台和如前述实施方式中任一项所述的导流腔
。
[0019]本技术实施例的有益效果包括：
[0020]本技术实施例提供的导流腔和半导体设备，气体可以从底板和侧板分别进入腔体内，能实现多种气体从不同的进气口进入腔体，防止同一进气口通入不同的气体时有气体的残留物发生反应的问题
。
有利于提高反应均匀性
。
并且，调节块的设置能够调节气体流量，改变气体从不同的位置进入腔体，改变气体流向，有利于控制气体进入的均匀性，从而提高反应效率和反应均匀性
。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图
。
[0022]图1为本技术实施例提供的导流腔的第一视角的结构示意图；
[0023]图2为本技术实施例提供的导流腔的第二视角的结构示意图；
[0024]图3为本技术实施例提供的导流腔隐藏调节块后的结构示意图；
[0025]图4为本技术实施例提供的导流腔的调节块的第一视角的结构示意图；
[0026]图5为本技术实施例提供的导流腔的调节块的第二视角的结构示意图
。
[0027]图标：
100
‑
导流腔；
110
‑
底板；
111
‑
安装孔；
113
‑
第一进气孔；
115
‑
晶圆放置区；
120
‑
侧板；
121
‑
安装槽；
123
‑
第二进气孔；
130
‑
调节块；
131
‑
第一弧面；
133
‑
第二弧面；
135
‑
第一平面；
137
‑
第二平面；
140
‑
调节孔；
141
‑
第一通孔；
143
‑
第二通孔
。
具体实施方式
[0028]为使本技术实施例的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计
。
[0029]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例
。
基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围
。
[0030]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释
。
[0031]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖
直”、“水平”、“内”、“外”等指示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种导流腔，其特征在于，包括：底板，所述底板上间隔设有安装孔和第一进气孔，所述底板用于放置晶圆；侧板，所述侧板和所述底板连接，所述侧板和所述底板围成腔体；所述侧板上设有安装槽，所述安装槽的截面尺寸和形状与所述安装孔的截面形状尺寸一致；所述安装槽内设有与所述第一进气孔连通的第二进气孔；调节块，所述调节块设于所述安装孔和
/
或所述安装槽中，所述调节块上设有与所述腔体连通的调节孔
。2.
根据权利要求1所述的导流腔，其特征在于，所述调节块安装于所述安装孔的状态下，所述调节块朝向所述腔体的一侧表面凸出于所述底板朝向所述腔体的一侧表面，且所述调节块的表面高于所述晶圆的表面
。3.
根据权利要求1所述的导流腔，其特征在于，所述侧板呈锥形，所述侧板远离所述底板的一侧的直径大于所述侧板靠近所述底板一侧的直径
。4.
根据权利要求1所述的导流腔，其特征在于，所述安装孔的截面呈弧形，所述安装孔靠近底板中心的一侧的弧长小于所述安装孔远离底板中心的一侧的弧长
。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：何正鸿，林金涛，高源，罗蓉，李江桃，
申请(专利权)人：甬矽半导体宁波有限公司，
类型：新型
国别省市：