基板处理设备制造技术

提供一种基板处理设备，包括:具有处理空间的腔室、布置在所述腔室的上部并且配置以覆盖所述腔室的上表面的介质窗、以及布置在所述介质窗上并且配置以用于提供射频功率以从所述处理空间中的气体产生等离子体的射频源。其中，所述射频源包括设置在所述介质窗上的射频电极和设置在所述射频电极上的射频板，所述介质窗包括从所述介质窗的最上表面垂直向下延伸的凹槽，且所述射频板呈环形。且所述射频板呈环形。且所述射频板呈环形。

【技术实现步骤摘要】
基板处理设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并主张于2022年5月13日提交给韩国知识产权局韩国专利申请号10
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2022
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0059029的优先权，其公开内容通过引用的方式全部并入本文。


[0003]本公开涉及一种基板处理设备，且更具体地，涉及一种使用等离子体的基板处理设备。

技术介绍

[0004]等离子体产生器包括用于薄膜沉积的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、用于蚀刻和图案化沉积的薄膜的蚀刻设备、溅射装置和灰化设备。
[0005]此外，等离子体发生器根据施加射频功率的方法分为电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma，CCP)装置和电感耦合等离子体(inductively coupled plasma，ICP)装置。电容耦合等离子体设备通过将射频功率施加到平行板和彼此面对的电极，使用在电极之间垂直形成的RF电场产生等离子体。电感耦合等离子体设备使用由天线产生的感应电场将源材料转化为等离子体。/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，其特征在于：所述基板处理设备包含︰一腔室，具有一处理空间；一介质窗，设置在所述腔室的一上部，并且配置以覆盖所述腔室的上表面；和一射频源，设置在所述介质窗上，并且配置以提供射频功率以从所述处理空间中的气体产生等离子体，其中，所述射频源包括设置在所述介质窗上的一射频电极和设置在所述射频电极上的一射频板，所述介质窗包括从所述介质窗的最上表面垂直向下延伸的一凹槽，以及所述射频板呈环形。2.如权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于：所述射频板的一凸出部与所述凹槽接合。3.如权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于：所述介质窗的最上表面与所述射频电极的下表面的垂直水平处于同一垂直水平，且布置在比所述射频板的最下表面的垂直水平更高的垂直水平。4.如权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于：在平面图中，所述射频板的各侧面在垂直方向上不与所述凹槽的侧面对齐，并且在水平方向上位于所述凹槽的每个侧表面的内侧。5.如权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于：所述射频电极包括透光材料。6.一种基板处理设备，其特征在于：所述基板处理设备包括：一腔室，具有一处理空间；一介质窗，设置在所述腔室的一上部，并且配置以覆盖所述腔室的一上表面；和一射频源，设置在所述介质窗上，并且配置以提供射频功率以从所述处理空间中的气体产生等离子体，其中，所述射频源包括:配置以产生射频功率的一射频电源、设置在所述介质窗上的一射频电极、和设置在所述射频电极上的一射频板，所述射频板包括：一沟槽，从所述射频板和所述射频电极的接触面垂直向上延伸；和一垫片，设置在所述沟槽内；所述介质窗包括从所述介质窗的最上表面垂直向下延伸的凹槽，所述射频板的一凸出部与所述凹槽接合，所述射频电极包括透光材料，并且所述射频板呈环形。7.如权利要求6所述的基板处理设备，其特征在于：所述垫片的最上表面与所述射频板的不平坦表面的最上表面直接接触，且所述垫片的最下表面与所述射频电极的上表面直接接触。8.如权利要求6所述的基板处理设备，其特征在于：所述射频电极的上表面与所述沟槽的下表面接触，且所述射频电极的下表面与所述介质窗的上表面接触。9.如权利要求6所述的基板处理设备，其特征在于：所述射频板包括孔，并且还包括一耦合单元，所述耦合单元布置在所述孔内以将所述射频板和所述介质窗固定在一起。
10.如权利要求9所述的基板处理设...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相政，奉允根，崔伦硕，辛在原，姜汉林，朴钟源，曹玹玗，张径熏，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：