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提供一种基板处理设备，包括:具有处理空间的腔室、布置在所述腔室的上部并且配置以覆盖所述腔室的上表面的介质窗、以及布置在所述介质窗上并且配置以用于提供射频功率以从所述处理空间中的气体产生等离子体的射频源。其中，所述射频源包括设置在所述介质窗上...
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