【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶生长，具体涉及一种液相法生长碳化硅的称重装置及其工作方法。
技术介绍
1、碳化硅(sic)作为第三代半导体材料的代表具有禁带宽度大、热导率高、抗辐射性能好、化学稳定性好等优点，在高温、高频、高功率电子器件中有广泛应用。
2、顶端籽晶溶液法生长碳化硅晶体的基本原理是将硅和助溶剂装在石墨坩埚中，对石墨坩埚加热，硅和助溶剂受热溶化形成溶体，溶体溶解石墨坩埚，得到碳化硅晶体生长所需要的碳。在石墨坩埚内的原料溶化后，通过运动装置下降籽晶杆，使籽晶与溶液上表面接触；随后以一定速度向上提拉籽晶杆，开始晶体生长；晶体生长结束后，通过运动装置向上提拉籽晶杆，使晶体脱离溶液；对生长得到的碳化硅晶体进行退火降温处理，得到最终晶体。
3、为防止石墨坩埚在高温下氧化，液相法碳化硅生长时需要将石墨坩埚放入设备的密闭空间中，无法判断晶体生长过程中直径的变化，无法及时对生长工艺参数做出相应的调整，从而影响晶体生长质量。而且晶体与籽晶杆端部固定后，不容易将其自籽晶杆上分离。因此，研发一种液相法生长碳化硅的称重装置及其工作方法是很
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1.一种液相法生长碳化硅的称重装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种液相法生长碳化硅的称重装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的一种液相法生长碳化硅的称重装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的一种液相法生长碳化硅的称重装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的一种液相法生长碳化硅的称重装置，其特征在于：
6.如权利要求5所述的一种液相法生长碳化硅的称重装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的一种液相法生长碳化硅的称重装置，其特征在于：
8.如权利要求7所述的一种...
【技术特征摘要】
1.一种液相法生长碳化硅的称重装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种液相法生长碳化硅的称重装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的一种液相法生长碳化硅的称重装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的一种液相法生长碳化硅的称重装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的一种液相法生长碳化硅的称重装置，其特征在于：
6.如权利要求5所述的一种液相法生长碳化硅的称重装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的一种液相法生...
【专利技术属性】
技术研发人员：王欣，陆敏，王晗，柯尊斌，
申请(专利权)人：常州臻晶半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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