【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于测量，具体涉及厚度测量，尤其涉及一种碳化硅晶片厚度量测控制装置及测量方法。
技术介绍
1、碳化硅晶片在生产过程中需要进行研磨，使得碳化硅晶片的厚度满足需求，碳化硅晶片研磨时相关技术中采用人工估算研磨去除量来计算碳化硅晶片厚度，会导致厚度计算不精确，导致碳化硅晶片厚度偏薄报废或需要返工。
2、因此，由于碳化硅晶片研磨过程中厚度无法精确检测的技术问题，需要设计一种新的碳化硅晶片厚度量测控制装置及测量方法。
3、需要说明的是，本
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于理解本申请构思的
技术介绍
，因此，并不认为上述描述构成现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开实施例至少提供一种碳化硅晶片厚度量测控制装置及测量方法。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种碳化硅晶片厚度量测控制装置，包括：
3、盖板、支撑盘和检测机构；
4、所述盖板位于所述支撑盘上方；
5、所述支撑盘的顶面上设置有至少一个承载机构，所述承载机构适于承载碳
<本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种碳化硅晶片厚度量测控制装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的碳化硅晶片厚度量测控制装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的碳化硅晶片厚度量测控制装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的碳化硅晶片厚度量测控制装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的碳化硅晶片厚度量测控制装置，其特征在于：
6.如权利要求5所述的碳化硅晶片厚度量测控制装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的碳化硅晶片厚度量测控制装置，其特征在于：
8.如权利要求7所述的碳化硅晶片厚度量测控制装置，
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片厚度量测控制装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的碳化硅晶片厚度量测控制装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的碳化硅晶片厚度量测控制装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的碳化硅晶片厚度量测控制装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的碳化硅晶片厚度量测控制装置，其特征在于：
6.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：张庆云，杨加海，郑红军，陆敏，
申请(专利权)人：常州臻晶半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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