本发明专利技术属于半导体技术领域，具体涉及处理半导体的装置，尤其涉及籽晶片定量腐蚀装置及其操作方法。本发明专利技术提供了一种籽晶片定量腐蚀装置，包括：反应筒，其内注有腐蚀剂；籽晶杆，其贯穿所述密封盘，且适于相对反应筒上下滑动；籽晶片，其设置在所述籽晶杆下端；缓冲件，其下端设置在密封盘上，且籽晶杆滑动缓冲件内部；联动件，其套设在籽晶杆外壁，且适于与缓冲件抵接；其中，籽晶杆带动联动件向下移动，至联动件与缓冲件抵接，所述缓冲件适于减缓籽晶杆下移速度；籽晶片腐蚀完成后，籽晶杆相对联动件向上移动，籽晶杆相对联动件周向转动，以甩落籽晶片底壁残留的腐蚀剂。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，具体涉及处理半导体的装置，尤其涉及籽晶片定量腐蚀装置及其操作方法。
技术介绍
1、液相法碳化硅晶体生长时，籽晶片浸入溶液中，溶液中饱和的碳化硅析出，与籽晶片相结合，进行晶体生长，得到碳化硅晶体。籽晶片浸入溶液后，溶液对籽晶进行溶解，形成生长台阶，溶液中饱和碳化硅在台阶上生长。但是，由于溶液中各部分组分存在差异，对籽晶溶解能力不同，导致籽晶表面台阶分布不均匀，籽晶表面各位置晶体生长速度不同，影响晶体生长的均匀性，对晶体质量产生影响。
2、在相关技术中，在籽晶粘接之前，对籽晶进行腐蚀处理，使籽晶表面显露出可供溶液中饱和碳化硅进行生长的台阶。而籽晶片在放入腐蚀装置内进行腐蚀时，操作不当会导致籽晶片插入腐蚀溶液内时形成较大的波纹，最终影响了籽晶底壁的生长台阶的均匀性。
3、因此，在上述前提下如何解决籽晶片放入腐蚀溶液内的稳定性是本领域亟需解决的技术问题。
4、需要说明的是，本
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于理解本申请构思的
技术介绍
，因此，并不认为上述描述构成现有技术的信息。
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【技术保护点】
1.一种籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，
6.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，
7.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，
8.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，
9.一种籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，
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【技术特征摘要】
1.一种籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在于，
6.如权利要求1所述的籽晶片定量腐蚀装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：王欣，王晗，柯尊斌，
申请(专利权)人：常州臻晶半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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