促进碳化硅晶体稳定生长的装置及其工作方法制造方法及图纸

本发明专利技术属于碳化硅单晶生长领域，具体提供了一种促进碳化硅晶体稳定生长的装置及其工作方法，其中，促进碳化硅晶体稳定生长的装置通过调控搅拌阶段和生长阶段的温度，在较低温度下进行搅拌，减少对坩埚以及搅拌桨的腐蚀，控制坩埚按照周期性交替的方式进行正反转，在搅拌组件固定的情况下通过溶液流动可以带动搅拌桨自由旋转，完成对溶液的搅拌；溶液在坩埚正转以及反转产生的相反的惯性力的冲击下，可以快速进行混合，使得溶液在短时间内混合均匀；坩埚周期性正反转，降低达到所需搅拌效果时的转速，从而避免溶碳速度增加，进而提高了后续晶体生产时的稳定性。在搅拌完成之后，以较高温度进行晶体生长，提高晶体的生长速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于碳化硅单晶生长领域，具体涉及高温溶液法的碳化硅晶体生长，尤其涉及一种促进碳化硅晶体稳定生长的装置及其工作方法。

技术介绍

1、高温溶液发生长碳化硅晶体的本质是通过石墨坩埚内的助溶液溶解碳溶质，在温度梯度的驱使下，溶质在籽晶生长界面处达到过饱和，进而析出sic结晶，实现晶体的外延生长。在整个生长过程中，碳化硅晶体生长的稳定性是确保其高质量高性能的关键。

2、相关技术中，碳化硅晶体在制备时一般包括两个阶段，第一个是化料溶碳阶段，第二个是提拉生长阶段。化料溶碳阶段，溶液中形成额外的小碳化硅颗粒，如果直接进入提拉生长阶段，这些小颗粒会干扰晶体的正常生长，会导致晶体表面不平整，形成多晶团簇，使晶体内部缺陷增多，降低晶体生长时的稳定性。

3、因此，如何在减少晶体的多晶团簇的生成同时提高晶体生长的稳定性是目前亟待解决的技术问题。

4、需要说明的是，本
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于理解本申请构思的
技术介绍
，因此，并不认为上述描述构成现有技术的信息。

技术实现思路</p>

1、本公本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特征在于，

3.如权利要求1所述的促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特征在于，

4.如权利要求3所述的促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特征在于，

5.如权利要求4所述的促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特征在于，

6.如权利要求3所述的促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特征在于，

7.如权利要求6所述的促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特征在于，

8.如权利要求3所述的促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特...

【技术特征摘要】

1.一种促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特征在于，

3.如权利要求1所述的促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特征在于，

4.如权利要求3所述的促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特征在于，

5.如权利要求4所述的促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特征在于，

6.如权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱昊，尹祖荣，陆敏，
申请(专利权)人：常州臻晶半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：