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本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体提供了一种促进碳化硅晶体稳定生长的装置及其工作方法，其中，促进碳化硅晶体稳定生长的装置通过调控搅拌阶段和生长阶段的温度，在较低温度下进行搅拌，减少对坩埚以及搅拌桨的腐蚀，控制坩埚按照周期性交替的方式进行正反...
该专利属于常州臻晶半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州臻晶半导体有限公司授权不得商用。

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