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碳化硅晶片厚度量测控制装置及测量方法制造方法及图纸
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文档序号:44163979
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本发明属于测量技术领域,具体涉及厚度测量,尤其涉及一种碳化硅晶片厚度量测控制装置及测量方法,包括:盖板、支撑盘和检测机构;盖板位于支撑盘上方;支撑盘的顶面上设置有至少一个承载机构,承载机构适于承载碳化硅晶片;检测机构包括:设置在盖板底面的第...
该专利属于常州臻晶半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过常州臻晶半导体有限公司授权不得商用。
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