【技术实现步骤摘要】
本技术涉及气相沉积，具体为一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备。
技术介绍
1、化学气相沉积(cvd)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
2、如中国技术专利公开号(cn203128659u)中公开了一种微波激发cvd镀膜设备，该微波激发cvd镀膜设备包括壳体，还包括具有微波发射喇叭的微波发生器，壳体具有密封的cvd腔体，cvd腔体内安装有用于喷出工作气体的喷气装置，待镀膜材料位于喷气装置的喷嘴上方且其需镀膜的一面与之相对，微波发生器的本体安装于cvd腔体外，其微波发射喇叭设于cvd腔体内，cvd腔体内横设有用于屏蔽微波的金属网，该金属网位于喷气装置与待镀膜材料之间，该实用解决了现有技术中，工作气体的加热方式一般都是使用红外加热气体或加热待镀膜材料的方式促进气体的化学反应，使用红外加热气体的方式效率低，所镀出来的膜厚也不均匀，镀膜表面粗糙，而加热待镀膜材料的方式容易损坏材料的问题，但是该专利中由于部分气体在化学气相沉积的过程中，会高温分解出有害气体，直接排放会对工作环境以及大气环境造成污染，影响实用性。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本技术提供了一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，具备对化学气相沉积后产生的气体进行处理的优点，解决了该专利中由于部分气体在化学气相沉积的过程中，会高温分解出有害气体，直接排放会对
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，包括底座，所述底座的上表面固定有第一支撑杆，所述第一支撑杆的另一端固定有加工台，所述底座的上表面固定有第二支撑杆，所述第二支撑杆的顶端设有气体处理机构，所述底座的上表面设有加工机构；
3、所述气体处理机构包括固定在第二支撑杆顶端的第一安装板，所述第一安装板的上表面固定有固定杆，所述固定杆的另一端固定有第二安装板，所述第二安装板的上表面固定有第一气泵，所述底座的上表面固定有气罐，所述第一气泵的输入端连通有第一进气管，所述第一进气管的另一端贯穿并延伸至气罐的内部，所述第一气泵的输出端连通有第一出气管，所述第一安装板的上表面固定有第二气泵，所述第二气泵的输入端连通有第二进气管，所述第二气泵的输出端连通有第二出气管，所述第一安装板的上表面固定有净化设备本体，所述第二出气管的另一端与净化设备本体的左侧连通。
4、进一步，所述第二支撑杆位于第一支撑杆的右侧，且第二支撑杆的长度大于第一支撑杆的长度。
5、进一步，所述固定杆的数量为四个，且均匀分布在第二安装板下表面的四角处。
6、进一步，所述加工机构包括固定在底座上表面的连接板，所述连接板的上表面固定有电机，所述电机的输出轴贯穿并延伸至连接板的内部，且固定有螺纹杆，所述螺纹杆的另一端与连接板的内底壁之间通过轴承转动连接，所述螺纹杆的外侧螺纹连接有螺纹块，所述螺纹块的右侧贯穿并延伸至连接板的右侧，且固定有加工罩，所述加工罩的内侧固定有加热板，所述加工罩的外侧固定有隔热垫。
7、进一步，所述密封垫的外径大于加工罩的外径，所述密封垫的内径大于加工罩的内径。
8、进一步，所述第一出气管远离第一气泵的一端和第二进气管远离第二气泵的一端均贯穿并延伸至加工罩的内部，且位于加工台的正上方。
9、进一步，所述连接板的右侧开设有滑口，所述螺纹块位于滑口的内部，且滑口的宽度与螺纹块的宽度相适配。
10、与现有技术相比，本申请的技术方案具备以下有益效果：
11、1、该具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，通过第一气泵的配合，可以将气罐内部储存的气体抽入内部并增压，从而由第一出气管将气体通入加工罩内，进行化学气相沉积加工，通过第二气泵的配合，可以将加工罩内加工时产生的有害气体抽出，并由第二出气管通入净化设备内部，从而避免有害气体泄漏，对工作环境和大气造成污染。
12、2、该具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，通过电机的配合，可以带动螺纹杆转动，从而带动螺纹块移动，通过螺纹块的移动，可以带动加工罩移动，从而方便将加工台罩住或取出加工好的工件，通过加热板的配合，可以在加工罩的内部进行加热，从而使通入加工罩内部的气体受热分解，完成化学气相沉积。
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1.一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)的上表面固定有第一支撑杆(2)，所述第一支撑杆(2)的另一端固定有加工台(3)，所述底座(1)的上表面固定有第二支撑杆(4)，所述第二支撑杆(4)的顶端设有气体处理机构(5)，所述底座(1)的上表面设有加工机构(6)；
2.根据权利要求1所述的一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，其特征在于：所述第二支撑杆(4)位于第一支撑杆(2)的右侧，且第二支撑杆(4)的长度大于第一支撑杆(2)的长度。
3.根据权利要求1所述的一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，其特征在于：所述固定杆(502)的数量为四个，且均匀分布在第二安装板(503)下表面的四角处。
4.根据权利要求1所述的一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，其特征在于：所述加工机构(6)包括固定在底座(1)上表面的连接板(601)，所述连接板(601)的上表面固定有电机(602)，所述电机(602)的输出轴贯穿并延伸至连接板(601)的内部，且固定有螺纹杆
5.根据权利要求4所述的一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，其特征在于：所述底座(1)的上表面固定有密封垫，所述密封垫的外径大于加工罩(605)的外径，所述密封垫的内径大于加工罩(605)的内径。
6.根据权利要求4所述的一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，其特征在于：所述第一出气管(507)远离第一气泵(504)的一端和第二进气管(509)远离第二气泵(508)的一端均贯穿并延伸至加工罩(605)的内部，且位于加工台(3)的正上方。
7.根据权利要求4所述的一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，其特征在于：所述连接板(601)的右侧开设有滑口，所述螺纹块(604)位于滑口的内部，且滑口的宽度与螺纹块(604)的宽度相适配。
...【技术特征摘要】
1.一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)的上表面固定有第一支撑杆(2)，所述第一支撑杆(2)的另一端固定有加工台(3)，所述底座(1)的上表面固定有第二支撑杆(4)，所述第二支撑杆(4)的顶端设有气体处理机构(5)，所述底座(1)的上表面设有加工机构(6)；
2.根据权利要求1所述的一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，其特征在于：所述第二支撑杆(4)位于第一支撑杆(2)的右侧，且第二支撑杆(4)的长度大于第一支撑杆(2)的长度。
3.根据权利要求1所述的一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，其特征在于：所述固定杆(502)的数量为四个，且均匀分布在第二安装板(503)下表面的四角处。
4.根据权利要求1所述的一种具有高通量和高沉积速率的等离子化学气相沉积设备，其特征在于：所述加工机构(6)包括固定在底座(1)上表面的连接板(601)，所述连接板(601)的上表面固定有电机(602)，所述电机(602)的输出轴贯穿并延伸至连接板(601)的内部，且固定有螺纹杆(603)，所述螺纹杆(6...
【专利技术属性】
技术研发人员：张红，
申请(专利权)人：上海芯承电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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