用于高压处理腔室的气体输送系统技术方案

一种高压处理系统，用于处理基板上的层，所述系统包括：第一腔室；支撑件，支撑件用于将基板保持于第一腔室中；第二腔室，第二腔室邻近第一腔室；前级管道，前级管道用于从第二腔室移除气体；真空处理系统，真空处理系统经配置以将第二腔室内的压力降低至接近真空；阀组件，阀组件位于第一腔室与第二腔室之间，用于将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；气体输送系统，气体输送系统经配置以在第一腔室与第二腔室隔离的同时将第一腔室内的压力提升至至少10个大气压；排气系统，排气系统包括排气线以从第一腔室移除气体；和共同外壳，共同外壳围绕第一气体输送模块和第二气体输送模块两者。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于集成电路制造的高压处理腔室。

技术介绍

1、微电子电路和其他微型装置通常由基板制成，诸如硅基板或其他半导体材料的基板。在基板上施加多个金属层，以形成微电子部件或其他微型部件，或提供电气连接。这些金属层(例如铜)被由一系列的光刻、镀覆、蚀刻、抛光或其他操作镀覆到基板上并形成部件和互连。

2、为了获得所需的材料性质，基板通常经过退火工艺，其中基板通常被快速加热至约200-500℃。基板可在一段相对较短的时间，例如60-300秒内被保持在这些温度下。基板随后被快速冷却，而整体工艺通常仅需要数分钟。退火可用于改变基板上的材料层性质。退火亦可用于活性化掺杂剂、在基板上的膜之间驱动掺杂剂、改变膜对膜界面或膜对基板界面、使经沉积的膜致密化、或修复离子注入(ion implantation)所造成的损害。

3、随着微电子装置和互连的特征结构(feature)尺寸缩小，可允许的缺陷率大大地降低。一些缺陷来自污染物颗粒。其他缺陷可来自基板的某些区域的不完全处理，例如没有在沟槽底部长成膜。

4、过去已使用了各种退火腔室。在单本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高压处理系统，包括：

2.如权利要求1所述的高压处理系统，其中，在所述隔离阀为打开的同时，将所述基板从所述第二腔室传送入所述第一腔室，其中响应于完成所述基板的处理，对所述第一腔室抽气，并且，响应于对所述第一腔室抽气，打开所述隔离阀并将所述基板从所述第一腔室移除。

3.如权利要求2所述的高压处理系统，其中对所述第一腔室抽气包括将所述第一腔室中的压力降低至小于所述第一压力的第六压力。

4.如权利要求3所述的高压处理系统，其中所述第六压力大于所述第三压力。

5.如权利要求1所述的高压处理系统，其中所述气体输送系统经配置以：

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【技术特征摘要】

1.一种高压处理系统，包括：

2.如权利要求1所述的高压处理系统，其中，在所述隔离阀为打开的同时，将所述基板从所述第二腔室传送入所述第一腔室，其中响应于完成所述基板的处理，对所述第一腔室抽气，并且，响应于对所述第一腔室抽气，打开所述隔离阀并将所述基板从所述第一腔室移除。

3.如权利要求2所述的高压处理系统，其中对所述第一腔室抽气包括将所述第一腔室中的压力降低至小于所述第一压力的第六压力。

4.如权利要求3所述的高压处理系统，其中所述第六压力大于所述第三压力。

【专利技术属性】
技术研发人员：梁奇伟，斯里尼瓦斯·D·内曼尼，肖恩·S·康，阿迪卜·汗，怡利·Y·叶，
申请(专利权)人：微材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：